一种显示面板内部TFT器件电学性能测量方法与流程

本发明涉及电学测量，特别涉及一种显示面板内部tft器件电学性能测量方法。

背景技术：

1、在各项显示技术中均会使用阵列基板用于驱动电路，其中有源矩阵驱动技术是目前最成熟的技术，其是在每个像素上设计一个非线性的有源器件，使得每个像素可以被独立控制。

2、tft器件的功能是作为三端子开关用于电路的开断，tft的特性决定了显示面板的优劣，实际生产中具体工艺和结构会影响tft开关器件的特性，并且在经过长期使用后，不同使用状态的tft器件其特性也会有不同的变化，如何能够得到tft器件的变化程度是在设计开发仿真过程中的重要事项，并且通过量测tft器件的特性，可以得知工厂生产工艺的稳定性。

3、tft器件由于其本身尺寸较小，其特性量测通常由在显示面板周边布置的testkey器件进行量测，该器件通过将器件端子引出到扎针pad上，从而实现对tft器件特性的测量。但此种测量方式只能量测tft器件的静态特性，无法测得经过长期使用后的tft器件的特性。因此对于显示面板内部的tft器件的测量是非常有必要的。

4、现有显示面板内部tft器件的测量通常是通过镭射断开连接待测量tft器件的金属走线，用探针戳至金属走线截面，量测显示面板内部的tft器件的电学性能，但该方法对测量手法需求较高，需求不断调整下针位置，下针角度，因此测量时间需求较久，影响产品开发的解析进展。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题，在于提供一种显示面板内部tft器件电学性能测量方法，通过加热组件对焊丝进行加热使其熔融，使探针与被测端子导电连接，无需调整下针角度，可有效降低对测试手法的要求，加快测试速度。

2、本发明实施例提供一种显示面板内部tft器件电学性能测量方法，具体包括如下步骤：

3、步骤10、使用镭射机台将待量测tft器件的被测端子的走线镭射断开；

4、步骤20、将探针的尖端分别放置于被测端子的镭射凹槽内，每一个探针对应一个被测端子，所述探针内设置有焊料通道，所述焊料通道的末端设置有溢流孔；

5、步骤30、通过推进组件将焊丝向焊料通道末端推进，然后采用设置于所述焊料通道的下端的加热组件对所述焊丝进行加热使其熔融，再通过所述溢流孔流出；

6、步骤40、关闭加热组件，探针通过凝固的焊料在镭射凹槽内与待量测的tft器件的金属走线连通，然后进行电学性能测量。

7、进一步地，所述步骤10中，显示区域内的tft器件的漏极通过连接洞连接至阵列显示基板的最上层的像素电极，漏极无需镭射断开。

8、进一步地，若显示区域内的tft器件的漏极通过连接洞连接至阵列显示基板的最上层的像素电极，则将漏极的探针放置于该连接洞内，并用熔融的焊料将该连接洞注满。

9、进一步地，提供显微镜，所述步骤10前还包括，通过显微镜定位待量测的tft器件；所述步骤20中，将探针的尖端分别放置于被测端子的镭射凹槽内后，通过显微镜的焦距调节确认探针的尖端是否已进入镭射凹洞内，探针的尖端清晰度与镭射凹槽清晰度一致时，即为放置于镭射凹槽内。

10、进一步地，采用探针夹持组件夹持所述探针并移动到指定被测端子位置。

11、进一步地，所述探针包括针管和针尖，所述针管内为焊料通道，所述溢流孔设置于所述针管上，且靠近针尖一端。

12、进一步地，所述焊料通道表面设有导电层，所述针管靠近针尖一端设有第一附着层，所述针尖靠近针管一端设有第二附着层，所述第一附着层和第二附着层用于与导电液体形成低表面能界面，便于导电液体顺针尖流下。

13、进一步地，所述导电层的材质为金、铂或铜；所述第一附着层和第二附着层的材质为锡氧化物；所述焊丝为锡基焊丝或锡-铅基焊丝。

14、进一步地，所述加热组件包括电热丝和温度控制电路，所述电热丝绕设于所述焊料通道外侧。

15、进一步地，所述推进组件包括焊丝推进单元和步进电机，所述焊丝推进单元为两并排设置于探针顶端的焊丝推进轮，焊丝夹设于两焊丝推进轮之间，两焊丝推进轮相向转动将焊丝向焊料通道末端推进。

16、本发明具有如下优点：

17、通过焊丝推进组件将焊丝向焊料通道末端推进，通过加热组件对所述焊丝进行加热使其熔融，使探针与被测端子导电连接，从而实现无需调整下针角度，可有效降低显示面板内部tft器件电学性能的测试手法的要求；可增加量测量测显示面板内部tft器件电学性能的测试速度，加快产品开发的解析进度；可有效增加量测探针与待量测端子的金属走线的连接效果，降低接触阻抗对测试结果的影响。

技术特征：

1.一种显示面板内部tft器件电学性能测量方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于：所述步骤10中，显示区域内的tft器件的漏极通过连接洞连接至阵列显示基板的最上层的像素电极，漏极无需镭射断开。

3.根据权利要求2所述的测量方法，其特征在于：若显示区域内的tft器件的漏极通过连接洞连接至阵列显示基板的最上层的像素电极，则将漏极的探针放置于该连接洞内，并用熔融的焊料将该连接洞注满。

4.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于：提供显微镜，所述步骤10前还包括，通过显微镜定位待量测的tft器件；所述步骤20中，将探针的尖端分别放置于被测端子的镭射凹槽内后，通过显微镜的焦距调节确认探针的尖端是否已进入镭射凹洞内，探针的尖端清晰度与镭射凹槽清晰度一致时，即为放置于镭射凹槽内。

5.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于：采用探针夹持组件夹持所述探针并移动到指定被测端子位置。

6.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于：所述探针包括针管和针尖，所述针管内为焊料通道，所述溢流孔设置于所述针管上，且靠近针尖一端。

7.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于：所述焊料通道表面设有导电层，所述针管靠近针尖一端设有第一附着层，所述针尖靠近针管一端设有第二附着层，所述第一附着层和第二附着层用于与导电液体形成低表面能界面，便于导电液体顺针尖流下。

8.根据权利要求7所述的测量方法，其特征在于：所述导电层的材质为金、铂或铜；所述第一附着层和第二附着层的材质为锡氧化物；所述焊丝为锡基焊丝或锡-铅基焊丝。

9.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于：所述加热组件包括电热丝和温度控制电路，所述电热丝绕设于所述焊料通道外侧。

10.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于：所述推进组件包括焊丝推进单元和步进电机，所述焊丝推进单元为两并排设置于探针顶端的焊丝推进轮，焊丝夹设于两焊丝推进轮之间，两焊丝推进轮相向转动将焊丝向焊料通道末端推进。

技术总结
本发明公开了一种显示面板内部TFT器件电学性能测量方法，涉及电学测量技术领域。所述方法包括：使用镭射机台将待量测TFT器件的被测端子的走线镭射断开；将探针的尖端分别放置于被测端子的镭射凹槽内，所述探针内设置有焊料通道，所述焊料通道的末端设置有溢流孔；通过推进组件将焊丝向焊料通道末端推进，然后采用设置于所述焊料通道的下端的加热组件对所述焊丝进行加热使其熔融，再通过所述溢流孔流出；关闭加热组件，探针通过凝固的焊料在镭射凹槽内与待量测的TFT器件的金属走线连通。本发明提供的一种显示面板内部TFT器件电学性能测量方法，使探针通过焊料与被测端子导电连接，从而无需调整下针角度，可有效降低对测试手法的要求，加快测试速度。

技术研发人员：韩正宇
受保护的技术使用者：华映科技（集团）股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/29