一种COF树脂区异物检测方法与流程

文档序号:36313273发布日期:2023-12-07 18:44阅读:24来源:国知局
一种的制作方法

本发明属于视觉检测技术,具体涉及一种cof树脂区异物检测方法。


背景技术:

1、cof产品的树脂区包括厚脂区、中脂区、薄脂区,树脂为环氧树脂,由于厚脂区光线无法通过,所有企业对于该部分均不要求检测,而对于薄脂区、中脂区以及薄脂区与中脂区之间的过渡区和中脂区与厚脂区之间的过渡区均要求检测以剔除不良品。

2、现有的检测方式主要采用由田新技股份有限公司生产的自动光学检查机(reelto reel cof chip)用于检测,该机台包括chip b 站出光口、位于chip b 站出光口下方的正光光源、位于chip b 站出光口上方的chip 站 ccd 取像模块,对于该机台,其采用正光光源,使用时标准参数:chip b 站light值为880,chip 站 light值为0,光圈值5.6,chip站取像线值为7.28,chip 站辨识度为-9,ccd gain取值3。

3、该检测参数对薄脂区能够进行有效检测,但对中脂区及过渡区检测效果差,具体参考图1-3所示。


技术实现思路

1、本发明设计了一种cof树脂区异物检测方法,通过对参数优化并与侧光源结合,能有效检测中脂区、过渡区的异物。

2、本发明公开的技术方案如下:一种cof树脂区异物检测方法,包括,

3、(1)光源调整:

4、chip b站light值调至880±50,chip 站 light值归0,调整光圈值,获取最佳光圈值;

5、调整chip 站辨识度,获取最佳辨识度;

6、调整chip 站 light值,获取最佳chip 站 light值;

7、调整chip 站取像线值,获取最佳取像线值;

8、增加侧光源,侧光源强度与chip b站light值相同,调整侧光源与竖直方向的倾斜角度,获得最佳倾斜角度;

9、(2)利用调整好的光源进行树脂区异物检测。

10、在上述方案的基础上,作为优选,最佳光圈值为4.7。

11、在上述方案的基础上,作为优选,最佳辨识度为5.981。

12、在上述方案的基础上,作为优选,最佳chip 站 light值为50。

13、在上述方案的基础上,作为优选,最佳取像线值为8.24。

14、在上述方案的基础上,作为优选,侧光源与竖直方向的最佳角度为40度。

15、在上述方案的基础上,作为优选,还包括ccd gain参数调整,ccd gain参数由标准3修改为4.1。

16、在上述方案的基础上,作为优选,利用光学检查机进行检测,光学检查机包括chipb 站出光口、位于chip b 站出光口下方的正光光源、位于chip b 站出光口上方的chip 站ccd 取像模块,在所述正光光源外侧固定安装侧光源,侧光源与树脂方向呈30-45度角射出chip b 站出光口。

17、与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:

18、通过对参数优化并与侧光源结合,能有效检测中脂区、过渡区的异物。从而剔除不良品。



技术特征:

1.一种cof树脂区异物检测方法,其特征在于,包括,

2.如权利要求1所述的cof树脂区异物检测方法,其特征在于,最佳光圈值为4.7。

3.如权利要求1所述的cof树脂区异物检测方法,其特征在于,最佳辨识度为5.981。

4.如权利要求1所述的cof树脂区异物检测方法,其特征在于,最佳chip 站 light值为50。

5.如权利要求1所述的cof树脂区异物检测方法,其特征在于,最佳取像线值为8.24。

6.如权利要求1所述的cof树脂区异物检测方法,其特征在于,侧光源与竖直方向的最佳角度为40度。

7.如权利要求1所述的cof树脂区异物检测方法,其特征在于,还包括ccd gain参数调整,ccd gain参数由标准3修改为4.1。

8.如权利要求1所述的cof树脂区异物检测方法,利用光学检查机进行检测,光学检查机包括chip b 站出光口、位于chip b 站出光口下方的正光光源、位于chip b 站出光口上方的chip 站 ccd 取像模块,其特征在于,在所述正光光源外侧固定安装侧光源,侧光源与树脂方向呈30-45度角射出chip b 站出光口。


技术总结
本发明公开了一种COF树脂区异物检测方法,包括:(1)光源调整:chip B站light值调至880±50,chip站light值归0,调整光圈值,获取最佳光圈值;调整chip站辨识度,获取最佳辨识度;调整chip站light值,获取最佳chip站light值;调整chip站取像线值,获取最佳取像线值;增加侧光源,侧光源强度与chip B站light值相同,调整侧光源与竖直方向的倾斜角度,获得最佳倾斜角度;(2)利用调整好的光源进行树脂区异物检测。通过对参数优化并与侧光源结合,能有效检测中脂区、过渡区的异物。

技术研发人员:汪文坚,杨雪松
受保护的技术使用者:江苏纳沛斯半导体有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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