寄生电阻值的提取方法和系统与流程

本技术涉及半导体，特别是涉及一种寄生电阻值的提取方法和系统。

背景技术：

1、半导体工艺技术的不断发展使得场效应管的特征尺寸不断缩小，场效应管的尺寸减小带来了性能上的提升，但同时也加剧了寄生效应对于器件性能的影响。

2、寄生电阻的具体电阻数值需要根据器件的工艺、结构、材料等多种因素综合分析，而通常，工作人员往往需要对实际场效应管进行多组仿真实验，才能提取出与变量不敏感的寄生电阻阻值，寄生电阻的电阻值确定方法不仅人力物力消耗大，耗费时间长，电阻值的确定效率也太低。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高寄生电阻值的确定效率的寄生电阻值的提取方法和系统。

2、第一方面，本技术提供了一种寄生电阻值的提取方法，包括：

3、接收提取指令；所述提取指令携带有功率晶体管的栅极结构信息；所述栅极结构信息包括栅极及其互联结构的尺寸信息和材质信息；

4、根据所述尺寸信息，划分所述栅极及其互联结构为信号接入单元、衔接单元及重复单元组；所述重复单元组中的任一重复单元包括：横向传输模块及相连的纵向传输模块；

5、根据所述尺寸信息和所述材质信息，分别确定所述信号接入单元的第一等效电阻值、所述衔接单元的第二等效电阻值以及所述重复单元组的第三等效电阻值；

6、根据所述第一等效电阻值、所述第二等效电阻值和所述第三等效电阻值，确定所述栅极的寄生电阻值。

7、在其中一个实施例中，所述衔接单元沿第一方向延伸，并连接于所述信号接入单元和所述重复单元组之间的连接区域；所述重复单元组中各所述重复单元的所述横向传输模块沿第二方向依次串联，且任一所述重复单元的所述纵向传输模块沿所述第一方向延伸并连接于该所述重复单元中所述横向传输模块和下一个所述重复单元之间的连接区域；所述第一方向和所述第二方向相交；

8、确定所述重复单元组的第三等效电阻值，包括：

9、确定所述横向传输模块的等效电阻值ra；

10、确定所述纵向传输模块的等效电阻值rb；

11、以所述重复单元组中各所述重复单元沿靠近所述信号接入单元方向的排列序号为目标序号列，并依序确定所述目标序号列中各目标序号i对应的第一目标结构的等效电阻值ri；其中，目标序号i对应的目标结构包含i个所述重复单元，i为大于或等于1的正整数；

12、其中，i=1，r1=ra+rb；i≥2，ri=ra+rb||ri-1。

13、在其中一个实施例中，所述信号接入单元的第一等效电阻值为rc；所述衔接单元的第二等效电阻值为rd；所述重复单元组中所述重复单元的最大排列序号为n；

14、其中，所述栅极及其互联结构的寄生电阻值rgn=rc+rd||rn。

15、在其中一个实施例中，同一个所述信号接入单元对应连接平行间隔排布的m个所述重复单元组；所述衔接单元的数量为m个，且各所述衔接单元分别位于所述信号接入单元和对应的所述重复单元组之间；m为大于或等于2的正整数；

16、其中，所述信号接入单元的第一等效电阻值为rc；

17、所述衔接单元的第二等效电阻值为rd；

18、所述重复单元组中所述重复单元的最大排列序号为n；

19、所述栅极的寄生电阻值rgn=rc+（rd||rn）/m。

20、在其中一个实施例中，所述衔接单元包括第一衔接单元和第二衔接单元，所述第一衔接单元连接于所述信号接入单元和所述重复单元组之间的连接区域，所述第二衔接单元连接于所述重复单元组远离所述信号接入单元的一端；

21、所述重复单元组中各所述重复单元的所述横向传输模块沿第二方向依次串联，且任一所述重复单元的所述纵向传输模块沿第一方向延伸并连接于该所述重复单元中所述横向传输模块和下一个所述重复单元之间的连接区域，所述纵向传输模块远离所述横向传输模块的端部沿所述第二方向向两侧延伸；

22、其中，确定所述衔接单元的第二等效电阻值，包括确定所述第一衔接单元的等效电阻值rd1，以及确定所述第二衔接单元的等效电阻值rd2；

23、确定所述重复单元组的第三等效电阻值，包括：

24、确定所述横向传输模块的等效电阻ra；

25、确定所述纵向传输模块的等效电阻rb；

26、以所述重复单元组中各所述重复单元沿靠近所述信号接入单元方向的排列序号为目标序号列，并依序确定所述目标序号列中各目标序号i对应的目标结构的等效电阻ri；其中，目标序号i对应的目标结构包含i个所述重复单元，i为大于或等于1的正整数；

27、其中，i=1，r1=ra+rb||rd2；i≥2，ri=ra+rb||ri-1。

28、在其中一个实施例中，所述信号接入单元的第一等效电阻值为rc；所述重复单元组中所述重复单元的最大排列序号为n；

29、其中，所述栅极的寄生电阻值rgn=rc+rd1||rn。

30、在其中一个实施例中，同一个所述信号接入单元对应连接平行间隔排布的m个所述重复单元组；所述第一衔接单元和所述第二衔接单元的数量均为m个，且各所述第一衔接单元分别位于所述信号接入单元和对应的所述重复单元组之间，各所述第二衔接单元分别连接于对应所述重复单元组远离所述信号接入单元的一端；m为大于或等于2的正整数；

31、其中，所述信号接入单元的第一等效电阻值为rc；

32、所述重复单元组中所述重复单元的最大排列序号为n；

33、所述栅极的寄生电阻值rgn=rc+（rd1||rn）/m。

34、在其中一个实施例中，所述根据所述第一等效电阻值、所述第二等效电阻值和所述第三等效电阻值，确定所述栅极的寄生电阻值，还包括：

35、确定所述重复单元组中所述重复单元的数量；

36、确定所述横向传输模块的宽度；

37、根据所述横向传输模块的数量和所述宽度确定等效修正系数；

38、根据所述等效修正系数对所述栅极的寄生电阻值进行修正。

39、在其中一个实施例中，所述重复单元的数量为n；所述横向传输模块的宽度为w；

40、所述根据所述数量和所述宽度确定等效修正系数，包括：

41、获取所述横向传输模块的数量和所述宽度的乘积（n+1）×w；

42、获取所述栅极及其互联结构在所述宽度方向上的最大尺寸wmax；

43、确定所述乘积（n+1）×w相对于所述最大尺寸的wmax的归一化函数为所述等效修正系数。

44、第二方面，本技术还提供了一种寄生电阻值的提取系统，包括：

45、接收装置，被配置为：接收提取指令；所述提取指令携带有功率晶体管的栅极结构信息；所述栅极结构信息包括栅极及其互联结构的尺寸信息和材质信息；

46、结构分解装置，与所述接收装置相连接，被配置为：根据所述尺寸信息，划分所述栅极及其互联结构为信号接入单元、衔接单元及重复单元组；其中，所述重复单元组中的任一重复单元包括：横向传输模块及相连的纵向传输模块；

47、电阻等效装置，与所述接收装置、所述结构分解装置相连接，被配置为：根据所述尺寸信息和所述材质信息分别确定所述信号接入单元的第一等效电阻值、所述衔接单元的第二等效电阻值以及所述重复单元组的第三等效电阻值，以及根据所述第一等效电阻值、所述第二等效电阻值和所述第三等效电阻值确定所述栅极的寄生电阻值。

48、上述寄生电阻值的提取方法和系统，能够针对射频晶体管的器件结构中栅极及其互联金属的结构，对栅极寄生电阻的构成进行单元拆分，并获取拆分出的单元对应的等效电阻值，最后按照栅极及其互联金属的连接结构以及各个单元的等效电阻值，直接推算出栅极寄生电阻对应的电阻值，这使得在提取栅极寄生电阻值时，无需再进行多次仿真测算，降低了寄生电阻值的提取复杂度，提高了寄生电阻值的确定效率。