SiCMOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法与流程

文档序号:37595160发布日期:2024-04-18 12:31阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种sic mosfet栅极氧化物健康状态在线监测方法,其特征在于,利用电流传感器判断电流方向,当负载电流反向流过待测器件且待测器件处于导通状态时,触发在线监测程序;然后,通过给待测器件输入电容放电,测量栅极电压变化率,并使用比较器将其与参考值进行比较。;当栅极电容降低至设定的参考值时,比较器输出信号触发锁存器,将待测器件栅极电压锁存在参考值;最后,通过采样和记录栅极电压的数值,并与过去的数值进行比较,就可以判断栅极氧化物的健康状态。

2.如权利要求1所述sic mosfet栅极氧化物健康状态在线监测方法,其特征在于,该方法包括使用电流传感器判断电流方向的步骤,当电流传感器检测到负载电流反向流过待测器件且待测器件处于导通状态时,触发在线监测程序。

3.如权利要求2所述sic mosfet栅极氧化物健康状态在线监测方法,其特征在于,在待测器件导通后,使用电流源向待测器件输入电容放电的步骤,其中电流源产生的电流流经待测器件的输入电容,使得待测器件的栅极电压逐渐降低,同时利用微分运算电路实时测量栅极电压变化率。

4.如权利要求3所述sic mosfet栅极氧化物健康状态在线监测方法,其特征在于,设置比较器的参考值为vref,当待测器件输入电容降低至预设的参考电容cref时,微分运算电路的输出电压增大至vref,从而使得待测器件的栅极电压vgs锁存在vref。

5.如权利要求4所述sic mosfet栅极氧化物健康状态在线监测方法,其特征在于,比较器输出电压达到vref时,rs锁存器输出信号q拉低,从而关断n-mosfet s2,切断电流源输出,阻止电流流向待测器件。

6.如权利要求5所述sic mosfet栅极氧化物健康状态在线监测方法,其特征在于,当rs锁存器的反向输出nq拉高,触发模拟-数字转换器(adc)对待测器件的栅极电压vgs进行采样,并将此时的vref采集进入微控制器进行记录。

7.如权利要求6所述sic mosfet栅极氧化物健康状态在线监测方法,其特征在于,微控制器通过对比当前的vref与过去记录的vref,能够判断栅极氧化物的健康状态,实现对sicmosfet栅极氧化物健康状况的在线监测。

8.一种实施如权利要求1-4任意一项所述sic mosfet栅极氧化物健康状态在线监测方法的sic mosfet栅极氧化物健康状态在线监测系统,其特征在于,所述sic mosfet栅极氧化物健康状态在线监测系统包括:

9.一种计算机设备,其特征在于,所述计算机设备包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序,所述计算机程序被所述处理器执行时,使得所述处理器执行如权利要求1-6任意一项所述sic mosfet栅极氧化物健康状态在线监测方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质,存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时,使得所述处理器执行如权利要求1-6任意一项所述sic mosfet栅极氧化物健康状态在线监测方法的步骤。


技术总结
本发明属于智能监测装置技术领域,公开了一种SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法,借助电流传感器判断负载电流方向,当负载电流反向流过待测器件且待测器件导通时,触发在线监测程序;使用电流源抽取待测器件输入电容的电荷,使待测器件栅极电压在恒定电流作用下不断降低,同时使用运算放大器构成微分运算电路实时测量dV<subgt;gs</subgt;/dt;比较器的参考值设置为V<subgt;ref</subgt;,当Ciss降低至C<subgt;ref</subgt;时,V<subgt;dif</subgt;(dV<subgt;gs</subgt;/dt)增大至V<subgt;ref</subgt;,比较器输出电压V<subgt;cmp</subgt;拉高,RS锁存器输出信号Q拉低,关断N‑MOSFET S<subgt;2</subgt;,切断电流源输出,使得待测器件V<subgt;gs</subgt;锁存在V<subgt;ref</subgt;;RS锁存器的反向输出nQ拉高,触发ADC对V<subgt;gs</subgt;进行采样,将此时的V<subgt;ref</subgt;采集进入微控制器进行记录,通过和过去值的对比,判断栅极氧化物的健康状态。

技术研发人员:马凯,李巍巍,李盈,谭令其,于圣旭,时晓洁,王智强,李歆蔚,杨柳,马燕君
受保护的技术使用者:广东电网有限责任公司电力科学研究院
技术研发日:
技术公布日:2024/4/17
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