1.一种半导体光电倍增器(100)，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体光电倍增器(100)，其中所述第二类型的微单元(225)位于所述阵列的第二位置处，所述第二位置是所述阵列的外周边的拐角位置，并且所述第一类型的微单元(125)位于所述阵列的第一位置处，所述第一位置不位于所述阵列的所述外周边的拐角位置处。
3.根据权利要求1所述的半导体光电倍增器(100)，其中所述第一几何形状和所述第二几何形状中的至少一个限定弓形形状。
4.根据权利要求3所述的半导体光电倍增器(100)，其中所述第二几何形状限定弓形形状，所述第一几何形状以小于所述第二几何形状的半径限定弓形形状或非弓形形状。
5.根据权利要求3所述的半导体光电倍增器(100)，其中所述第一几何形状和所述第二几何形状两者限定弓形形状。
6.根据权利要求3所述的半导体光电倍增器(100)，其中所述第一几何形状和所述第二几何形状限定不同半径的弓形形状。
7.根据权利要求1所述的半导体光电倍增器(100)，其中与位于所述阵列的、在其中具有电场低于预定电平的区域的位置处的所述微单元相比，位于所述阵列的、在其中具有所述电场高于预定电平的区域的位置处的所述微单元具有更低的击穿。
8.根据权利要求7所述的半导体光电倍增器(100)，其中所述预定电平在20伏至60伏的范围内。
9.根据权利要求1所述的半导体光电倍增器(100)，其中所述第一结区的面积和所述第二结区的面积不同。
10.根据权利要求1所述的半导体光电倍增器(100)，其中与覆盖所述第二类型的微单元的一层或多层材料相关联的透射率低于与覆盖所述第一类型的微单元的一层或多层材料相关联的透射率。