一种晶圆测试电压检测方法和检测装置与流程

本发明涉及晶圆测试，尤其涉及一种晶圆测试电压检测方法和检测装置。

背景技术：

1、现有技术中，测试机仅对晶圆正极的输入电压损耗进行了补偿处理，晶圆测试精度较低。

技术实现思路

1、本发明提供了一种晶圆测试电压检测方法和检测装置，以使得输入测试电压值与测试机中测试程序预期设定的电压值更为接近，进而使得晶圆测试结果更为精准。

2、根据本发明的一方面，提供了一种晶圆测试电压检测方法，晶圆测试电压检测方法包括：

3、通过测试机的第一dps测试通道，采用开尔文测试法确定晶圆电路pad端的第一测试电压值；

4、通过测试机的第二dps测试通道，采用开尔文测试法确定晶圆电路gnd端的第二测试电压值；

5、根据第一测试电压值和第二测试电压值确定晶圆电路的输入测试电压值。

6、进一步的，通过测试机的第一dps测试通道，采用开尔文测试法确定晶圆电路pad端的第一测试电压值，包括：

7、将第一dps测试通道中的第一force端子与第一dps测试通道中的第一sense端子在晶圆电路pad端短接，并确定晶圆电路pad端的第一测试电压值。

8、进一步的，通过测试机的第二dps测试通道，采用开尔文测试法确定晶圆电路gnd端的第二测试电压值，包括：

9、将第二dps测试通道中的第二force端子与第二dps测试通道中的第二sense端子在晶圆电路gnd端短接，并确定晶圆电路gnd端的第二测试电压值。

10、进一步的，根据第一测试电压值和第二测试电压值确定晶圆电路的输入测试电压值，包括：

11、将第一测试电压值与第二测试电压值作差，并根据作差结果确定晶圆电路的输入测试电压值。

12、进一步的，将第一dps测试通道中的第一force端子与第一dps测试通道中的第一sense端子在晶圆电路pad端短接，并确定晶圆电路pad端的第一测试电压值，包括：

13、第一force端子与第一sense端子通过第一铜片在晶圆电路pad端短接，并确定晶圆电路pad端的第一测试电压值。

14、进一步的，将第二dps测试通道中的第二force端子与第二dps测试通道中的第二sense端子在晶圆电路gnd端短接，并确定晶圆电路gnd端的第二测试电压值，包括：

15、第二force端子与第二sense端子通过第二铜片在晶圆电路gnd端短接，并确定晶圆电路gnd端的第二测试电压值。

16、根据本发明的另一方面，提供了一种晶圆测试电压检测装置，晶圆测试电压检测装置包括：

17、第一检测模块，用于通过测试机的第一dps测试通道，采用开尔文测试法确定晶圆电路pad端的第一测试电压值；

18、第二检测模块，用于通过测试机的第二dps测试通道，采用开尔文测试法确定晶圆电路gnd端的第二测试电压值。

19、进一步的，第一检测模块用于：

20、将第一dps测试通道中的第一force端子与第一dps测试通道中的第一sense端子在晶圆电路pad端短接，并确定晶圆电路pad端的第一测试电压值。

21、进一步的，第二检测模块用于：

22、将第二dps测试通道中的第二force端子与第二dps测试通道中的第二sense端子在晶圆电路gnd端短接，并确定晶圆电路gnd端的第二测试电压值。

23、进一步的，第一检测模块还用于：

24、第一force端子与第一sense端子通过第一铜片在晶圆电路pad端短接，并确定晶圆电路pad端的第一测试电压值。

25、本发明实施例设计的晶圆测试电压检测方法，通过测试机的第一dps测试通道，采用开尔文测试法确定晶圆电路pad端的第一测试电压值，并通过测试机的第二dps测试通道，采用开尔文测试法确定晶圆电路gnd端的第二测试电压值，最终根据第一测试电压值和第二测试电压值确定晶圆电路的输入测试电压值，相比较现有技术中仅通过一个dps测试通道，采用开尔文测试法确定晶圆电路pad端的电压值而言，本发明实施例在采用开尔文测试法确定晶圆电路pad端的第一测试电压值的基础上，同时在用开尔文测试法确定晶圆电路gnd端的第二测试电压值，并根据第一测试电压值和第二测试电压值确定晶圆电路的输入测试电压值，由于第一测试电压值和第二测试电压值都经过测试机的电压损耗的补偿处理，进而通过第一测试电压值与第二测试电压值作差产生的输入测试电压值与测试机中测试程序预期设定的电压值更为接近，进而使得晶圆测试结果更为精准。

26、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

技术特征：

1.一种晶圆测试电压检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆测试电压检测方法，其特征在于，所述通过测试机的第一dps测试通道，采用开尔文测试法确定晶圆电路pad端的第一测试电压值，包括：

3.根据权利要求1所述的晶圆测试电压检测方法，其特征在于，所述通过测试机的第二dps测试通道，采用开尔文测试法确定晶圆电路gnd端的第二测试电压值，包括：

4.根据权利要求1所述的晶圆测试电压检测方法，其特征在于，所述根据所述第一测试电压值和所述第二测试电压值确定晶圆电路的输入测试电压值，包括：

5.根据权利要求2所述的晶圆测试电压检测方法，其特征在于，将所述第一dps测试通道中的第一force端子与所述第一dps测试通道中的第一sense端子在所述晶圆电路pad端短接，并确定晶圆电路pad端的所述第一测试电压值，包括：

6.根据权利要求1所述的晶圆测试电压检测方法，其特征在于，将所述第二dps测试通道中的第二force端子与所述第二dps测试通道中的第二sense端子在所述晶圆电路gnd端短接，并确定晶圆电路gnd端的所述第二测试电压值，包括：

7.一种晶圆测试电压检测装置，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的晶圆测试电压检测装置，其特征在于，所述第一检测模块用于：

9.根据权利要求7所述的晶圆测试电压检测装置，其特征在于，所述第二检测模块用于：

10.根据权利要求8所述的晶圆测试电压检测装置，其特征在于，所述第一检测模块还用于：

技术总结
本发明公开了一种晶圆测试电压检测方法和检测装置，晶圆测试电压检测方法包括：通过测试机的第一DPS测试通道，采用开尔文测试法确定晶圆电路PAD端的第一测试电压值；通过测试机的第二DPS测试通道，采用开尔文测试法确定晶圆电路GND端的第二测试电压值；根据第一测试电压值和第二测试电压值确定晶圆电路的输入测试电压值。本发明使得输入测试电压值与测试机中测试程序预期设定的电压值更为接近，进而使得晶圆测试结果更为精准。

技术研发人员：丁盛峰,田佳杰,江欣蕊
受保护的技术使用者：杭州芯云半导体技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27