本技术涉及核辐射探测,尤其涉及一种像素型面阵探测器伽马能谱测试系统。
背景技术:
1、当前核辐射探测领域,探测器主要分为气体探测器、闪烁体探测器以及半导体探测器三大类。半导体作为第三代探测器,以其较低的平均电离能和较高的能量分辨率成为当前社会研究的主要目标。碲锌镉以其很高的能量分辨率,可室温工作成为目前研究的热点。
2、伽马射线在空间探测、医疗、核安全检测领域均有重要应用,而现有的伽马能谱测试系统检测范围小、空间分辨率低,严重制约了伽马能谱测试系统的应用。
技术实现思路
1、本实用新型提供一种像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,用以解决现有技术中伽马能谱测试系统检测范围小、空间分辨低的缺陷。
2、本实用新型提供一种像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,包括像素型面阵探测器,所述像素型面阵探测器的入射端面设有多个碲锌镉晶体,每个所述碲锌镉晶体包括多个像素,多个所述像素呈阵列排布。
3、根据本实用新型提供的一种像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,多个所述碲锌镉晶体呈阵列排布,且相邻两个所述碲锌镉晶体相拼接。
4、根据本实用新型提供的一种像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,多个所述碲锌镉晶体沿直线或斜线依次拼接。
5、根据本实用新型提供的一种像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,所述像素型面阵探测器的入射端面设有多层碲锌镉晶体层,多层所述碲锌镉晶体层叠设,每层所述碲锌镉晶体层均设有多个所述碲锌镉晶体,相邻两层所述碲锌镉晶体层的所述碲锌镉晶体错开设置。
6、根据本实用新型提供的一种像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,所述像素的个数范围为4-256。
7、根据本实用新型提供的一种像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,还包括电路单元,所述电路单元与所述像素型面阵探测器电性连接。
8、根据本实用新型提供的一种像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,所述电路单元包括:专用集成电路和数字电路,所述专用集成电路与所述像素型面阵探测器电性连接,所述数字电路与所述专用集成电路电性连接。
9、根据本实用新型提供的一种像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,所述专用集成电路包括:前置放大器,与所述像素型面阵探测器电性连接,所述前置放大器用于将感应电荷转换为指数衰减信号;成形放大器,与所述前置放大器电性连接,所述成形放大器用于将所述指数衰减信号转换为高斯信号;峰值保持器,与所述成形放大器电性连接,所述峰值保持器用于将所述高斯信号的峰值输出至所述数字电路。
10、根据本实用新型提供的一种像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,还包括壳体,所述像素型面阵探测器和所述电路单元设置于所述壳体内。
11、根据本实用新型提供的一种像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,还包括上位机,所述上位机设置于所述壳体外,所述上位机与所述电路单元电性连接。
12、本实用新型提供的像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,通过在像素型面阵探测器的入射端面设置多个碲锌镉晶体,扩大了环境中伽马射线的检测范围,提高了检测效率,每个碲锌镉晶体包括多个呈阵列排布的像素,通过调节像素个数,可相应提高像素型面阵探测器的空间分辨率,提高了像素型面阵探测器伽马能谱测试系统的检测精度、增强了像素型面阵探测器伽马能谱测试系统的适用性,使其能够应用于多种领域。
1.一种像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,其特征在于,包括像素型面阵探测器,所述像素型面阵探测器的入射端面设有多个碲锌镉晶体,每个所述碲锌镉晶体包括多个像素,多个所述像素呈阵列排布。
2.根据权利要求1所述的像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,其特征在于,多个所述碲锌镉晶体呈阵列排布,且相邻两个所述碲锌镉晶体相拼接。
3.根据权利要求1所述的像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,其特征在于,多个所述碲锌镉晶体沿直线或斜线依次拼接。
4.根据权利要求1所述的像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,其特征在于,所述像素型面阵探测器的入射端面设有多层碲锌镉晶体层,多层所述碲锌镉晶体层叠设,每层所述碲锌镉晶体层均设有多个所述碲锌镉晶体,相邻两层所述碲锌镉晶体层的所述碲锌镉晶体错开设置。
5.根据权利要求1所述的像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,其特征在于,所述像素的个数范围为4-256。
6.根据权利要求1所述的像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,其特征在于,还包括电路单元,所述电路单元与所述像素型面阵探测器电性连接。
7.根据权利要求6所述的像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,其特征在于,所述电路单元包括:专用集成电路和数字电路,所述专用集成电路与所述像素型面阵探测器电性连接,所述数字电路与所述专用集成电路电性连接。
8.根据权利要求7所述的像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,其特征在于,所述专用集成电路包括:
9.根据权利要求6所述的像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,其特征在于,还包括壳体,所述像素型面阵探测器和所述电路单元设置于所述壳体内。
10.根据权利要求9所述的像素型面阵探测器伽马能谱测试系统,其特征在于,还包括上位机,所述上位机设置于所述壳体外,所述上位机与所述电路单元电性连接。