一种强抗干扰的电流传感器的制作方法

本技术涉及电流传感器，具体为一种强抗干扰的电流传感器。

背景技术：

1、罗氏线圈电流传感器以其线性度好、体积小、无饱和性等优点，在输电系统中对导线电流的监测，应用越加广泛。但由于其抗外界磁场干扰能力低，导致测量精度不高，特别对于空间十分紧凑的电气设备中，电磁环境复杂，又受空间限制，难以采用优良的电磁屏蔽措施。

技术实现思路

1、本实用新型的目的就在于为了解决上述至少一个技术问题而提供一种。

2、第一方面，本实用新型实施例提供了一种强抗干扰的电流传感器，包括：传感器线圈和外壳；所述传感器线圈设置于所述外壳内；所述传感器线圈为两个半环形构件组合而成；所述传感器线圈包括第一线圈内排、第二线圈内排、第三线圈内排和线圈外排；所述第一线圈内排、所述第二线圈内排、所述第三线圈内排和所述线圈外排依次由内向外同心设置；所述传感器线圈以所述第一线圈内排、所述第三线圈内排和所述线圈外排作为进线走线层，同时以所述第二线圈内排和所述线圈外排作为回线走线层绕制布局；所述传感器线圈的进线和回线呈交叉布局。

3、进一步地，所述第一线圈内排、所述第二线圈内排和所述第三线圈内排为圆柱半径为等差分布的空心圆柱构件；所述线圈外排为半径大于所述第三线圈内排半径的空心圆柱构件。

4、进一步地，所述第一线圈内排、所述第二线圈内排、所述第三线圈内排和所述线圈外排全部对称分割之后，通过连接板固定在一起。

5、进一步地，所述第一线圈内排、所述第二线圈内排、所述第三线圈内排、所述线圈外排和所述连接板的材质均为pcb材质。

6、进一步地，所述外壳的材质为abs塑料材质。

7、进一步地，所述外壳和所述传感器线圈之间填充有灌封胶。

8、进一步地，所述灌封胶包括环氧树脂灌封胶。

9、进一步地，所述两个半环形构件通过折叠式卡扣固定。

10、进一步地，还包括盖板和防爆接头；所述外壳上设有螺纹孔；所述防爆接头和所述折叠式卡扣均设置于所述外壳侧面位置；所述防爆接头，用于引出所述传感器线圈的引出线；所述盖板通过螺栓固定于所述外壳上；所述螺栓固定于所述螺纹孔内。

11、进一步地，所述传感器线圈的绕线为漆包线。

12、本实用新型提供了一种强抗干扰的电流传感器，通过改变传感器线圈内部回线的走线方式，使得回线围绕的面积与进线围绕面积严格相等，能够完全消除垂直于线圈平面磁场的影响，从而提高了传感器的测量精度，缓解了现有技术中存在的抗外界磁场干扰能力低，导致测量精度不高的技术问题。

技术特征：

1.一种强抗干扰的电流传感器，其特征在于，包括：传感器线圈和外壳；所述传感器线圈设置于所述外壳内；所述传感器线圈为两个半环形构件组合而成；所述传感器线圈包括第一线圈内排、第二线圈内排、第三线圈内排和线圈外排；所述第一线圈内排、所述第二线圈内排、所述第三线圈内排和所述线圈外排依次由内向外同心设置；

2.根据权利要求1所述的强抗干扰的电流传感器，其特征在于：所述第一线圈内排、所述第二线圈内排和所述第三线圈内排为圆柱半径为等差分布的空心圆柱构件；所述线圈外排为半径大于所述第三线圈内排半径的空心圆柱构件。

3.根据权利要求2所述的强抗干扰的电流传感器，其特征在于：所述第一线圈内排、所述第二线圈内排、所述第三线圈内排和所述线圈外排全部对称分割之后，通过连接板固定在一起。

4.根据权利要求3所述的强抗干扰的电流传感器，其特征在于：所述第一线圈内排、所述第二线圈内排、所述第三线圈内排、所述线圈外排和所述连接板的材质均为pcb材质。

5.根据权利要求1所述的强抗干扰的电流传感器，其特征在于：所述外壳的材质为abs塑料材质。

6.根据权利要求1所述的强抗干扰的电流传感器，其特征在于：所述外壳和所述传感器线圈之间填充有灌封胶。

7.根据权利要求6所述的强抗干扰的电流传感器，其特征在于：所述灌封胶包括环氧树脂灌封胶。

8.根据权利要求1所述的强抗干扰的电流传感器，其特征在于：所述两个半环形构件通过折叠式卡扣固定。

9.根据权利要求8所述的强抗干扰的电流传感器，其特征在于：还包括盖板和防爆接头；所述外壳上设有螺纹孔；所述防爆接头和所述折叠式卡扣均设置于所述外壳侧面位置；

10.根据权利要求1所述的强抗干扰的电流传感器，其特征在于：所述传感器线圈的绕线为漆包线。

技术总结
本技术公开了一种强抗干扰的电流传感器，包括：传感器线圈和外壳；传感器线圈设置于外壳内；传感器线圈为两个半环形构件组合而成；传感器线圈包括第一线圈内排、第二线圈内排、第三线圈内排和线圈外排；第一线圈内排、第二线圈内排、第三线圈内排和线圈外排依次由内向外同心设置；传感器线圈以第一线圈内排、第三线圈内排和线圈外排作为进线走线层，同时以第二线圈内排和线圈外排作为回线走线层绕制布局；传感器线圈的进线和回线呈交叉布局。本技术的传感器线圈采用独特的走线方式，消除了垂直于线圈平面磁场的影响，提升了测量准确度。

技术研发人员：任涛,师重庆,王鹏,杨兆辉,邹欣,王浩志,吴日卓
受保护的技术使用者：国投广西新能源发展有限公司
技术研发日：20230510
技术公布日：2024/1/15