一种长爬电距离的电容式电压传感器的制作方法

文档序号:37358280发布日期:2024-03-22 10:12阅读:7来源:国知局
一种长爬电距离的电容式电压传感器的制作方法

本技术涉及电子式计量装置,具体为一种长爬电距离的电容式电压传感器。


背景技术:

1、目前一二次融合zw32型柱开多以极柱型式高度集成,体积越来越小。zw20型的以六氟化硫为绝缘介质的柱上开关也同样如此。传统的电压传感器多以柱状薄膜电容、陶瓷电容为主流分压介质,柱状薄膜电容受高度影响无法满足狭小空间柱开内部安装结构。陶瓷电容体积虽小,但爬电距离太短,容易导致绝缘击穿,且电容量小,精度无法满足测量级要求。


技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种长爬电距离的电容式电压传感器,以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种长爬电距离的电容式电压传感器,包括高压输入端口、环氧浇筑外壳、不锈钢底座、二芯屏蔽线、电容支撑架、高压薄膜电容;所述不锈钢底座内部为空心,上表面横向安装有三件环氧浇筑外壳;环氧浇筑外壳顶端设有高压输入端口,其内部为中空,顶端配装高压端嵌件;所述高压输入端口包括abc三相高压输入端口,分别安装在三件环氧浇筑外壳顶端并与高压端嵌件连接;所述电容支撑架安装在环氧浇筑外壳内,所述高压薄膜电容共八件,用导线串联焊接后使用环氧胶固定在电容支撑架上,导线一端连接至环氧浇筑外壳顶端的高压端嵌件上,另一端依次与相序二次分压电容、零序分压电容相连;所述二芯屏蔽线共四根,均从不锈钢底座上穿出,二芯屏蔽线其中三根分别与三件二次分压电容连接,另一跟连接至不锈钢底座。

3、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述电容支撑架为“丰”字型,八件高压薄膜电容分别固定在八个单独的空间内。

4、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述高压薄膜电容长55mm,去除内芯卷绕芯棒后压实,其内绝缘爬电距离为440mm。

5、为本实用新型的一种优选技术方案,所述环氧浇筑外壳每件配装四个螺栓安装在不锈钢底座上。

6、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述二次分压电容使用热熔胶固定在不锈钢底座内。

7、与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型满足传感器团体标准前提下,具有高压陶瓷型电容的小体积特点,同时拥有高压薄膜电容本身高精度性能,优化了内部分压结构,增加的内部爬电距离,提高了运行的安全可靠性。输出的二次小电压型号,满足一二次融合柱上开关的实际需求,且体积小巧,适用范围更广。可以直接与模数转换采集器连接,输出数字信号,实现数字化传输的功能,满足数字装置数字采集的需求。



技术特征:

1.一种长爬电距离的电容式电压传感器,其特征在于:包括高压输入端口(1)、环氧浇筑外壳(2)、不锈钢底座(3)、二芯屏蔽线(4)、电容支撑架(5)、高压薄膜电容(6);所述不锈钢底座(3)内部为空心,上表面横向安装有三件环氧浇筑外壳(2);环氧浇筑外壳(2)顶端设有高压输入端口(1),其内部为中空,顶端配装高压端嵌件;所述高压输入端口(1)包括abc三相高压输入端口,分别安装在三件环氧浇筑外壳(2)顶端并与高压端嵌件连接;所述电容支撑架(5)安装在环氧浇筑外壳(2)内,所述高压薄膜电容(6)共八件,用导线串联焊接后使用环氧胶固定在电容支撑架(5)上,导线一端连接至环氧浇筑外壳(2)顶端的高压端嵌件上,另一端依次与相序二次分压电容、零序分压电容相连;所述二芯屏蔽线(4)共四根,均从不锈钢底座(3)上穿出,二芯屏蔽线(4)其中三根分别与三件二次分压电容连接,另一跟连接至不锈钢底座(3)。

2.根据权利要求1所述的一种长爬电距离的电容式电压传感器,其特征在于:所述电容支撑架(5)为“丰”字型,八件高压薄膜电容(6)分别固定在八个单独的空间内。

3.根据权利要求2所述的一种长爬电距离的电容式电压传感器,其特征在于:所述高压薄膜电容(6)长55mm,去除内芯卷绕芯棒后压实,其内绝缘爬电距离为440mm。

4.根据权利要求1所述的一种长爬电距离的电容式电压传感器,其特征在于:所述环氧浇筑外壳(2)每件配装四个螺栓安装在不锈钢底座(3)上。

5.根据权利要求1所述的一种长爬电距离的电容式电压传感器,其特征在于:所述二次分压电容使用热熔胶固定在不锈钢底座(3)内。


技术总结
本技术公开了一种长爬电距离的电容式电压传感器,包括高压输入端口、环氧浇筑外壳、不锈钢底座、二芯屏蔽线、电容支撑架、高压薄膜电容。三相高电压经三相环氧浇筑外壳高压端,通过三相高压薄膜电容,再经二次分压电容,连接二芯屏蔽线输出信号,采集三相电压和零序电压为测量,保护提供用二次小电压信号。与现有技术相比,本技术二次输出为标准小信号无需进行二次转换,可直接通过A/D转换输入二次设备,具有体积小巧、受环境影响小、易于安装、高精度低功耗、抗干扰力强等特点,适应现有柱上开关各种型号安装需求,满足一二次融合柱上断路器电压信号采样需求。

技术研发人员:王峰,邓沙,马坤,贾俊
受保护的技术使用者:恒达创能(陕西)电力科技股份有限公司
技术研发日:20230801
技术公布日:2024/3/21
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