钉架和具有它的霍尔电流传感器的制作方法

本发明涉及霍尔电流传感器，具体而言，涉及一种钉架和具有它的霍尔电流传感器。

背景技术：

1、霍尔效应是指当导电材料中有电流流过时，垂直于电流方向和磁场方向的方向上会产生电压差，而电流流过导体后会在导体周围产生磁场，因此可以利用霍尔效应检测导体电流的大小。

2、在相关技术中，霍尔电流传感器可利用霍尔效应检测通电导体的电流大小，但霍尔电流传感器在工作时容易受到外部磁场的干扰，使得霍尔电流传感器的检测结果出现偏差，霍尔电流传感器的抗干扰能力较差。

技术实现思路

1、本发明旨在至少在一定程度上解决现有技术中的上述技术问题之一。为此，本发明提出一种钉架，可提升霍尔电流传感器的抗干扰能力。

2、本发明还提出了一种具有上述钉架的霍尔电流传感器。

3、根据本发明实施例的钉架，用于霍尔电流传感器，所述钉架包括：第一导电段、第二导电段和中间导电段，所述中间导电段连接于所述第一导电段和所述第二导电段之间，所述中间导电段与所述第一导电段共同限定出第一开口槽，所述中间导电段与所述第二导电段共同限定出第二开口槽，且所述第一开口槽的开口方向与所述第二开口槽的开口方向相反。

4、根据本发明实施例的钉架，钉架形成有第一开口槽和第二开口槽，以在电流通过钉架时，提升第一开口槽和第二开口槽处的磁场强度，从而有利于提高霍尔电流传感器的灵敏度，同时，第一开口槽的开口方向和第二开口槽的开口方向相反，以便于霍尔电流传感器通过差分的方式精确地测量通过钉架的电流大小，从而有利于提升霍尔电流传感器的抗干扰能力。

5、根据本发明的一些实施例，所述第一导电段的横截面积大于所述中间导电段的横截面积，所述第二导电段的横截面积大于所述中间导电段的横截面积。

6、根据本发明的一些实施例，所述第一导电段在远离所述中间导电段的一端具有多个第一引脚，所述第二导电段在远离所述中间导电段的一端具有多个第二引脚。

7、根据本发明的一些实施例，所述第一开口槽与所述第二开口槽的形状和大小相同。

8、根据本发明另一方面实施例的霍尔电流传感器，包括传感组件、接口组件和上述的钉架，所述传感组件包括第一霍尔电流传感单元和第二霍尔电流传感单元，所述第一霍尔电流传感单元在所述钉架的厚度方向上的投影位于所述第一开口槽内，所述第二霍尔电流传感单元在所述钉架的厚度方向上的投影位于所述第二开口槽内，所述接口组件与所述传感组件连接。

9、根据本发明实施例的霍尔电流传感器，其钉架形成有第一开口槽和第二开口槽，以在电流通过钉架时，提升第一开口槽和第二开口槽处的磁场强度，从而有利于提高霍尔电流传感器的灵敏度，同时，第一开口槽的开口方向和第二开口槽的开口方向相反，以便于霍尔电流传感器通过差分的方式精确地测量通过钉架的电流大小，从而有利于提升霍尔电流传感器的抗干扰能力。

10、根据本发明的一些实施例，所述第一霍尔电流传感单元的至少部分位于所述第一开口槽内，所述第二霍尔电流传感单元的至少部分位于所述第二开口槽内。

11、根据本发明的一些实施例，所述传感组件还包括集成基底，所述集成基底与所述钉架抵接，所述第一霍尔电流传感单元和所述第二霍尔电流传感单元均安装于所述集成基底。

12、进一步地，所述集成基底的厚度小于200um。

13、根据本发明的一些实施例，所述传感组件还包括第一基底和第二基底，所述第一基底设于所述第一开口槽内，所述第一霍尔电流传感单元安装于所述第一基底，所述第二基底设于所述第二开口槽内，所述第二霍尔电流传感单元安装于所述第二基底。

14、进一步地，所述第一基底的厚度为h1，所述第二基底的厚度为h2，所述钉架的厚度为h3，满足关系式：1/3h3≤h1≤2/3h3，1/3h3≤h2≤2/3h3。

15、本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

技术特征：

1.一种钉架，用于霍尔电流传感器，其特征在于，所述钉架(1)包括：第一导电段(11)、第二导电段(12)和中间导电段(13)，所述中间导电段(13)连接于所述第一导电段(11)和所述第二导电段(12)之间，所述中间导电段(13)与所述第一导电段(11)共同限定出第一开口槽(14)，所述中间导电段(13)与所述第二导电段(12)共同限定出第二开口槽(15)，且所述第一开口槽(14)的开口方向与所述第二开口槽(15)的开口方向相反。

2.根据权利要求1所述的钉架，其特征在于，所述第一导电段(11)的横截面积大于所述中间导电段(13)的横截面积，所述第二导电段(12)的横截面积大于所述中间导电段(13)的横截面积。

3.根据权利要求1所述的钉架，其特征在于，所述第一导电段(11)在远离所述中间导电段(13)的一端具有多个第一引脚(111)，所述第二导电段(12)在远离所述中间导电段(13)的一端具有多个第二引脚(121)。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的钉架，其特征在于，所述第一开口槽(14)与所述第二开口槽(15)的形状和大小相同。

5.一种霍尔电流传感器，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述霍尔电流传感器，其特征在于，所述第一霍尔电流传感单元(21)的至少部分位于所述第一开口槽(14)内，所述第二霍尔电流传感单元(22)的至少部分位于所述第二开口槽(15)内。

7.根据权利要求5所述霍尔电流传感器，其特征在于，所述传感组件(2)还包括集成基底(23)，所述集成基底(23)与所述钉架(1)抵接，所述第一霍尔电流传感单元(21)和所述第二霍尔电流传感单元(22)均安装于所述集成基底(23)。

8.根据权利要求7所述霍尔电流传感器，其特征在于，所述集成基底(23)的厚度小于200um。

9.根据权利要求5所述霍尔电流传感器，其特征在于，所述传感组件(2)还包括第一基底(24)和第二基底(25)，所述第一基底(24)设于所述第一开口槽(14)内，所述第一霍尔电流传感单元(21)安装于所述第一基底(24)，所述第二基底(25)设于所述第二开口槽(15)内，所述第二霍尔电流传感单元(22)安装于所述第二基底(25)。

10.根据权利要求9所述霍尔电流传感器，其特征在于，所述第一基底(24)的厚度为h1，所述第二基底(25)的厚度为h2，所述钉架(1)的厚度为h3，满足关系式：1/3h3≤h1≤2/3h3，1/3h3≤h2≤2/3h3。

技术总结
本发明公开了一种钉架和具有它的霍尔电流传感器。该钉架包括：第一导电段、第二导电段和中间导电段，中间导电段连接于第一导电段和第二导电段之间，中间导电段与第一导电段共同限定出第一开口槽，中间导电段与第二导电段共同限定出第二开口槽，且第一开口槽的开口方向与第二开口槽的开口方向相反。根据本发明实施例的钉架，钉架形成有第一开口槽和第二开口槽，以在电流通过钉架时，提升第一开口槽和第二开口槽处的磁场强度，从而有利于提高霍尔电流传感器的灵敏度，同时，第一开口槽的开口方向和第二开口槽的开口方向相反，以便于霍尔电流传感器通过差分的方式精确地测量通过钉架的电流大小，提升霍尔电流传感器的抗干扰能力。

技术研发人员：刘云鹏,孙剑文,姚巍
受保护的技术使用者：合肥美镓传感科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24