磁阻传感器调理芯片安全控制方法、装置、设备以及介质与流程

本发明涉及磁阻传感器调理芯片的，尤其是涉及一种磁阻传感器调理芯片安全控制方法、装置、设备以及介质。

背景技术：

1、目前，磁阻传感器调理芯片是一种用于处理磁阻传感器输出信号的集成电路芯片。磁阻传感器通常用于通过磁场的强度或方向测量物理变量，磁阻传感器调理芯片的主要功能是将磁阻传感器输出的原始信号进行放大、滤波和数字化等处理，以使其适应特定的应用场景，因此，磁阻传感器调理芯片广泛应用于许多领域，包括汽车、工业自动化、消费电子和医疗设备等。

2、相关技术中，不同应用场景的磁阻传感器调理芯片一般设置有安全阈值，例如，应用在车速测量的磁阻传感器调理芯片，当磁阻传感器调理芯片的环境磁场强度高于安全阈值时，磁阻传感器调理芯片会发出警告，以通知用户当前车速测量出现故障。但在汽车的应用场景中，磁阻传感器调理芯片的性能受到多方面的影响，安全阈值在某些环境下可能不适用，进而导致出现警告不及时不准确的情况。

技术实现思路

1、为了提高磁阻传感器调理芯片的环境适应性，保障磁阻传感器调理芯片的安全警告功能，本技术提供一种磁阻传感器调理芯片安全控制方法、装置、设备以及介质。

2、第一方面，本技术的上述发明目的是通过以下技术方案得以实现的：

3、一种磁阻传感器调理芯片安全控制方法，所述磁阻传感器调理芯片安全控制方法包括：

4、基于零点偏移试验，获取零点偏移信息；

5、获取在预设的监测时间段内的磁阻传感器输入信号值，基于所述磁阻传感器输入信号值，获取磁体变化信息；

6、获取在预设的监测时间段内的环境监测信息，基于所述环境监测信息和磁体变化信息，生成磁场空间模型；

7、基于所述磁场空间模型和所述零点偏移信息，调整预设的安全阈值范围。

8、通过采用上述技术方案，磁阻传感器调理芯片设置有零点漂移自动试验功能，因此，在使用磁阻传感器调理芯片之前，会触发磁阻传感器调理芯片的自动试验功能，以此判断磁阻传感器调理芯片的零点漂移值，为后续的安全阈值范围提供零点漂移的信息基础，保障安全阈值范围设置的准确性；磁阻传感器输入信号值是指磁阻传感器检测获得的传输给磁阻传感器调理芯片的信号的值，通过对该磁阻传感器输入信号值的分析，判断磁体的变化，例如，在磁场强度不变时，磁阻发生变化，判断产生磁场的磁体的三维空间位置发生变化，而磁体的三维空间位置发生变化，首先会导致磁阻传感器调理芯片的环境磁场改变，磁阻传感器调理芯片的输出信号错误，同时也会导致安全阈值的作用大幅降低，即实际导致磁阻传感器调理芯片出现故障的磁阻传感器输入信号值降低或提高，进而使得安全警告功能失效，另外，环境监测信息表示的环境参数也会导致磁场的变化，因此，结合磁体的变化以及环境监测信息，生成用于表示磁阻传感器的磁场环境的磁场空间模型，再根据磁场空间模型表示的磁场环境以及零点漂移信息，对应调整预设的安全阈值范围，以此实现对安全阈值范围的适应性调整，进而提高磁阻传感器调理芯片的环境适应性，保障磁阻传感器调理芯片的安全警告功能。

9、本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述获取在预设的监测时间段内的磁阻传感器输入信号值，基于所述磁阻传感器输入信号值，获取磁体变化信息，具体包括：

10、获取在预设的监测时间段内的磁阻传感器输入信号值，以及信号处理数据；

11、基于所述磁阻传感器输入信号值和所述信号处理数据，获取磁体位置变化信息和磁体形状变化信息；

12、所述磁体变化信息包括磁体位置变化信息和磁体形状变化信息。

13、通过采用上述技术方案，信号处理数据是指在磁阻传感器调理芯片处理磁阻传感器输入信号值的过程中，不同步骤检测的磁阻传感器输入信号的值，通过该信号处理数据，能够判断磁阻传感器调理芯片处理磁阻传感器输入信号的效果，进而判断磁阻传感器输入信号的噪音水平，从而能够判断外界对磁阻传感器造成干扰的环境磁场的强度，因此，结合信号处理数据和磁阻传感器输入信号值，判断当前磁阻传感器输入信号表示的磁场变化的原因，例如，当信号处理数据表示外界磁场强度变化，同时磁阻传感器输入信号值表示磁阻传感器内部磁场强度发生变化，且变化幅度与外界磁场强度变化不对应，则判断此时磁体位置或磁体形状发生变化，以此，通过磁阻传感器内部和外部磁场的变化，判断出磁体的三维位置变化，实现对磁阻传感器调理芯片和磁阻传感器的准确判断。

14、本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述获取在预设的监测时间段内的环境监测信息，基于所述环境监测信息和磁体变化信息，生成磁场空间模型，具体包括：

15、获取在预设的监测时间段内的环境监测信息，所述环境监测信息包括温度变化信息和湿度变化信息；

16、根据所述温度变化信息和所述湿度变化信息，获取第一磁场变化信息；

17、根据所述磁体变化信息，获取第二磁场变化信息；

18、根据所述第一磁场变化信息和所述第二磁场变化信息，生成磁场空间模型。

19、通过采用上述技术方案，环境监测信息包括磁阻传感器内部的温度变化信息和湿度变化信息，不管是温度变化还是湿度变化，均会导致磁阻传感器内部磁场的变化，湿度变化会导致磁性材料的性质变化，因此，湿度变化对磁阻传感器内部磁场的影响程度更大，根据该温度变化信息和湿度变化信息，判断出基于温度变化信息和湿度变化信息的磁场变化信息，再根据磁体变化信息表示的基于磁体变化信息的磁场变化信息，综合判断在环境监测信息和磁体变化信息的作用下，磁阻传感器内外部的磁场环境，以此，便于判断磁阻传感器和磁阻传感器调理芯片当前环境的整体磁场环境，便于对磁阻传感器输入信号和磁阻传感器调理芯片的输出信号进行调整，以及根据磁阻传感器和磁阻传感器调理芯片当前环境的整体磁场环境，调整磁阻传感器调理芯片的安全阈值，保障安全阈值的准确性，提高磁阻传感器调理芯片的环境适应性。

20、本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述基于所述磁场空间模型和所述零点偏移信息，调整预设的安全阈值范围，具体包括：

21、将预设的调理芯片性能信息输入至所述磁场空间模型，生成当前安全阈值；

22、根据所述当前安全阈值和所述零点偏移信息，调整预设的安全阈值范围。

23、通过采用上述技术方案，预设的安全阈值范围中包括当前使用场景要求的技术参数阈值和磁阻传感器调理芯片的参数信息等，例如，当前的应用场景为车速测量，当前使用场景要求的技术参数阈值规定磁阻传感器内部和外部的磁场强度阈值和测量的车速，以及传感器输出饱和度阈值等，而若在当前磁体变化信息和环境监测信息的情况下，应对该磁阻传感器内部和外部的磁场强度阈值进行调整，因为此时磁体所处的环境不在工程师设定最初的安全阈值时考虑的范围，因此，根据磁阻传感器调理芯片的参数信息，调整预设的安全阈值范围，以此实现提高磁阻传感器调理芯片的环境适应性，保障磁阻传感器调理芯片的安全警告功能的效果。

24、本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：在所述根据所述当前安全阈值和所述零点偏移信息，调整预设的安全阈值范围之前，所述磁阻传感器调理芯片安全控制方法还包括：

25、获取材料老化信息，根据所述材料老化信息，生成磁饱和变化信息；

26、将所述磁饱和变化信息输入至所述磁场空间模型，调整所述当前安全阈值。

27、通过采用上述技术方案，材料老化信息是指在当前时间点磁阻传感器调理芯片和磁阻传感器发生的老化程度，磁阻传感器调理芯片和磁阻传感器发生老化，自然会引起参数测量不准确，以及信息处理不准确等情况，因此，根据材料老化信息，生成表示当前磁阻传感器的磁饱和程度的磁饱和变化信息，并将该磁饱和变化信息输入至磁场空间模型，以此保障设置的安全阈值范围不与磁饱和变化信息表示的磁饱和程度发生冲突，进一步保障安全阈值范围设置的准确性，进而保障磁阻传感器调理芯片的安全警告功能。

28、第二方面，本技术的上述发明目的是通过以下技术方案得以实现的：

29、一种磁阻传感器调理芯片安全控制装置，所述磁阻传感器调理芯片安全控制装置包括：

30、零点偏移信息获取模块，用于基于零点偏移试验，获取零点偏移信息；

31、磁体变化信息获取模块，用于获取在预设的监测时间段内的磁阻传感器输入信号值，基于所述磁阻传感器输入信号值，获取磁体变化信息；

32、磁场空间模型生成模块，用于获取在预设的监测时间段内的环境监测信息，基于所述环境监测信息和磁体变化信息，生成磁场空间模型；

33、安全阈值范围调整模块，用于基于所述磁场空间模型和所述零点偏移信息，调整预设的安全阈值范围。

34、可选的，所述磁体变化信息包括磁体位置变化信息和磁体形状变化信息，所述磁体变化信息获取模块包括：

35、信号处理数据获取子模块，用于获取在预设的监测时间段内的磁阻传感器输入信号值，以及信号处理数据；

36、磁体变化信息获取子模块，用于基于所述磁阻传感器输入信号值和所述信号处理数据，获取磁体位置变化信息和磁体形状变化信息。

37、可选的，所述磁场空间模型生成模块包括：

38、环境监测信息获取子模块，用于获取在预设的监测时间段内的环境监测信息，所述环境监测信息包括温度变化信息和湿度变化信息；

39、第一磁场变化信息获取子模块，用于根据所述温度变化信息和所述湿度变化信息，获取第一磁场变化信息；

40、第二磁场变化信息获取子模块，用于根据所述磁体变化信息，获取第二磁场变化信息；

41、磁场空间模型生成子模块，用于根据所述第一磁场变化信息和所述第二磁场变化信息，生成磁场空间模型。

42、第三方面，本技术的上述发明目的是通过以下技术方案得以实现的：

43、一种计算机设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述磁阻传感器调理芯片安全控制方法的步骤。

44、第四方面，本技术的上述发明目的是通过以下技术方案得以实现的：

45、一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述磁阻传感器调理芯片安全控制方法的步骤。

46、综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：

47、1、磁阻传感器调理芯片设置有零点漂移自动试验功能，因此，在使用磁阻传感器调理芯片之前，会触发磁阻传感器调理芯片的自动试验功能，以此判断磁阻传感器调理芯片的零点漂移值，为后续的安全阈值范围提供零点漂移的信息基础，保障安全阈值范围设置的准确性；磁阻传感器输入信号值是指磁阻传感器检测获得的传输给磁阻传感器调理芯片的信号的值，通过对该磁阻传感器输入信号值的分析，判断磁体的变化，例如，在磁场强度不变时，磁阻发生变化，判断产生磁场的磁体的三维空间位置发生变化，而磁体的三维空间位置发生变化，首先会导致磁阻传感器调理芯片的环境磁场改变，磁阻传感器调理芯片的输出信号错误，同时也会导致安全阈值的作用大幅降低，即实际导致磁阻传感器调理芯片出现故障的磁阻传感器输入信号值降低或提高，进而使得安全警告功能失效，另外，环境监测信息表示的环境参数也会导致磁场的变化，因此，结合磁体的变化以及环境监测信息，生成用于表示磁阻传感器的磁场环境的磁场空间模型，再根据磁场空间模型表示的磁场环境以及零点漂移信息，对应调整预设的安全阈值范围，以此实现对安全阈值范围的适应性调整，进而提高磁阻传感器调理芯片的环境适应性，保障磁阻传感器调理芯片的安全警告功能；

48、2、信号处理数据是指在磁阻传感器调理芯片处理磁阻传感器输入信号值的过程中，不同步骤检测的磁阻传感器输入信号的值，通过该信号处理数据，能够判断磁阻传感器调理芯片处理磁阻传感器输入信号的效果，进而判断磁阻传感器输入信号的噪音水平，从而能够判断外界对磁阻传感器造成干扰的环境磁场的强度，因此，结合信号处理数据和磁阻传感器输入信号值，判断当前磁阻传感器输入信号表示的磁场变化的原因，例如，当信号处理数据表示外界磁场强度变化，同时磁阻传感器输入信号值表示磁阻传感器内部磁场强度发生变化，且变化幅度与外界磁场强度变化不对应，则判断此时磁体位置或磁体形状发生变化，以此，通过磁阻传感器内部和外部磁场的变化，判断出磁体的三维位置变化，实现对磁阻传感器调理芯片和磁阻传感器的准确判断；

49、3、环境监测信息包括磁阻传感器内部的温度变化信息和湿度变化信息，不管是温度变化还是湿度变化，均会导致磁阻传感器内部磁场的变化，湿度变化会导致磁性材料的性质变化，因此，湿度变化对磁阻传感器内部磁场的影响程度更大，根据该温度变化信息和湿度变化信息，判断出基于温度变化信息和湿度变化信息的磁场变化信息，再根据磁体变化信息表示的基于磁体变化信息的磁场变化信息，综合判断在环境监测信息和磁体变化信息的作用下，磁阻传感器内外部的磁场环境，以此，便于判断磁阻传感器和磁阻传感器调理芯片当前环境的整体磁场环境，便于对磁阻传感器输入信号和磁阻传感器调理芯片的输出信号进行调整，以及根据磁阻传感器和磁阻传感器调理芯片当前环境的整体磁场环境，调整磁阻传感器调理芯片的安全阈值，保障安全阈值的准确性，提高磁阻传感器调理芯片的环境适应性。