一种超导量子干涉器件三轴磁强计的标定装置及方法

文档序号:8255947阅读:414来源:国知局
一种超导量子干涉器件三轴磁强计的标定装置及方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于磁场测量技术领域,涉及一种标定装置,特别是涉及一种超导量子干 涉器件H轴磁强计的标定装置及方法。
【背景技术】
[0002] 超导量子干涉器件(superconducting Quantum Inte;rference Device, S卵ID)是 目前已知的最灵敏的磁传感器,广泛应用于微弱磁信号的探测。S卵ID是一个超导环,通过 读出超导环内感受到的磁通来读出磁场。由于S卵ID超导环的面积很小,环内磁场均匀, S卵ID测的磁通就与S卵ID超导环禪合的磁场强度成正比。因此使用S卵ID超导环平面禪 合磁通W及S卵ID测量磁场就构成了 S卵ID磁强计。
[0003] S卵ID磁强计是矢量传感器,只测量S卵ID超导环平面法线方向的磁场。在实际应 用中,要测量磁场总场,需要测量磁场矢量的H个分量,即X轴,Y轴,Z轴H个轴向的分量。 通过H个轴向的分量获得磁场总场。要使用现有的S卵ID磁强计测量磁场的总场,需使用 H个S卵ID磁强计,H个磁强计相互垂直,分别定义为X轴,Y轴,Z轴H个垂直分量。H轴 磁强计测得矢量磁场在XYZH个垂直方向的矢量分量,从而获得总场的测量。因此H轴磁 强计的正交性,即轴与轴之间的垂直特性W及磁强计之间的一致性对总场的测量准确性至 关重要。若正交性不高,则H轴磁强计获得的不是完全正交的磁场分量,还包括正交角度偏 差引入的其他磁场分量,因此按上述公式计算获得的总场和与实际总场是有误差的。另一 方面,磁强计将磁场强度转换成电压进行测量,因此H个轴的磁强计的磁场电压转换系数 要准确标定,否则也会在总场计算中引入误差。综上所述,H轴磁强计在总场测量应用之 前,要进行正交性标定W及磁场电压转换系数的标定,W满足变化矢量磁场的测量要求,获 取准确的总场数值。
[0004] H轴磁强计的标定和校正方法可分两类,一类是矢量校准,即磁强计与给定的标 准矢量磁场进行比较校准。另一类则是标量校准,给H轴磁强计一个恒定的磁场,磁场的标 量值与H轴磁传感器输出合成的总场标量进行对比校准。由于矢量标定需要精度很高的空 间定位装置,成本高,实施难度大。目前主流的方法是采用标量校准方法。标量校准的思想 是,给H轴磁强计加载一个恒定的磁场,改变H轴磁强计在磁场中的角度,获得H轴磁场分 量,根据在任意角度下H轴磁场分量合成的总场恒定不变的原则,通过参数求解的方法,将 实际H轴磁强计的正交角度偏差和磁场电压转换系数求出。采用参数求解方法标定H轴磁 强计的过程中,需要提供恒定的磁场或均匀恒定的磁场空间,使H轴磁强计在该磁场内旋 转,变换角度,测得H轴分量。由一组任意角度下测得的H轴分量数据组建方程。在均匀恒 定磁场下,任意变换角度,H轴合成的总场是不变的。因此获取一组任意变换角度下H轴传 感器的测量数据,通过最小二乘等参数求解算法,即可求出H轴传感器的磁场电压转换系 数和H轴正交模块的角度误差。
[0005] S卵ID磁强计与传统磁阻或磁通磁强计不同,S卵ID磁强计只能测量从传感器启 动测量的时刻起的磁场变化量,而无法实现绝对磁场的测量。S卵ID传感器构成的S卵ID H 轴磁强计,只能实现交流变化磁场的测量。因此要实现正交性标定,就要在H轴磁强计所在 空间产生一个交流的恒定变化磁场,同时要使H轴磁强计围绕磁场变化,使得H轴磁强计 的输出发生变化。
[0006] 另一方面,S卵ID磁强计使用低温或高温S卵ID器件,器件工作在低温或高温环境 下时,如低温超导S卵ID浸泡在灌有液氮的低温恒温器中维持4. 2K的温度;高温超导则浸 泡在灌有液氮的低温恒温器中维持7. 7K的工作温度。由于低温恒温器体积较大,使得整个 探测器体积大,不方便移动。同时低温恒温器中灌注低温液体,旋转探头会引起低温液体大 幅度波动,使得S卵ID因为温度不稳定或低温液体产生汽包而影响工作。因此S卵ID传感 器探头是不能随意旋转的。
[0007] 上述S卵ID H轴磁强计在应用上有两个特殊因素;1)采用S卵ID的H轴磁强计测 量的是相对变化磁场,无法计算绝对磁场;2)采用灌注低温液体的恒温器来维持S卵ID传 感器的运行,整个传感器探头不能随意旋转。

【发明内容】

[0008] 鉴于W上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种超导量子干涉器件H 轴磁强计的标定装置及方法,用于解决现有标定过程中S卵ID H轴磁强计只识别变化磁场 及传感器探头不能随意旋转的问题。
[0009] 为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种超导量子干涉器件H轴磁强计 的标定装置及方法。
[0010] 一种超导量子干涉器件H轴磁强计的标定装置,包括:信号发生器,线圈,低温恒 温器,旋转机构,锁相放大器;所述信号发生器产生选定频率和设定幅度的正弦信号;所述 线圈与所述信号发生器相连,在所述正弦信号的驱动下产生幅度恒定的交流磁场;所述低 温恒温器内置超导量子干涉器件H轴磁强计,用于维持超导量子干涉器件H轴磁强计的工 作温度;所述旋转机构用于安装所述线圈和所述低温恒温器,使线圈相对于所述超导量子 干涉器件H轴磁强计在水平面和垂直平面内W任意角度调节,在所述超导量子干涉器件H 轴磁强计周围产生均匀的幅度恒定的交流磁场;所述锁相放大器与所述信号发生器相连, 在所述正弦信号的参考下将标定过程中所述超导量子干涉器件H轴磁强计响应所述交流 磁场的结果检测出来。
[0011] 优选地,所述旋转机构包括:支架,用于垂直固定所述低温恒温器,使位于所述低 温恒温器内的超导量子干涉器件H轴磁强计静止;底座,支撑所述支架;旋转盘,套接于所 述支架上,在水平面上围绕所述支架旋转,同时带动所述线圈围绕所述支架在水平面上W 任意角度旋转;旋转轴,设置于所述旋转盘的边缘,在垂直平面上W任意角度自转,在水平 面上随旋转盘W任意角度公转;所述线圈安装于所述旋转轴上,在所述超导量子干涉器件 H轴磁强计周围产生在水平面和垂直平面上W任意角度调节的幅度恒定的交流磁场。
[0012] 优选地,所述线圈包括第一侧面线圈、第二侧面线圈和连接杆;所述连接杆内置有 连接线,所述连接线的一端与所述第一侧面线圈电连通,另一端与所述第二侧面线圈电连 通;所述连接杆的中也固定于所述旋转轴上;所述第一侧面线圈和第二侧面线圈为亥姆霍 兹线圈。
[0013] 优选地,所述支架包括上支架和下支架,所述上支架和下支架的连接部分易组合 且易拆开;所述底座为一字型结构,一字型结构的底座从所述下支架的底部支撑所述支架; 所述线圈中的连接杆的长度大于所述上支架的高度;当所述下支架穿过所述第一侧面线圈 或第二侧面线圈与所述上支架相连时,所述线圈实现旋转角度为180度的设置。
[0014] 优选地,所述底座与支架分离组装,底座与支架的连接部分易组合且易拆开;所述 底座为倒T型结构,倒T型结构的底座设置于所述支架的底部,从支架底部支撑所述支架; 所述线圈中的连接杆的长度大于所述支架的高度;当所述倒T型结构的底座穿过所述第一 侧面线圈或第二侧面线圈的中间部分与所述支架连接时,所述线圈实现旋转角度为180度 的设置;当所述倒T型结构的底座替换为倒n型结构的底座时,所述倒n型底座设置于所 述支架的底部或两侧,从支架的底部支撑所述支架或从支架的侧面支撑所述支架。
[0015] 优选地,所述旋转机构包括固定机架,旋转轴承;所述固定机架包括设置在水平面 上的圆形导轨、沿所述圆形导轨滑动的固定模块和支撑固定所述圆形导轨的臂杆;所述固 定模块固定所述低温恒温器,且带动所述低温恒温器在水平面上W任意角度旋转;所述旋 转轴承设置于所述臂杆上,在垂直平面上W任意角度自转;所述线圈安装于所述旋转轴承 上,且在旋转轴承的自转带动下在垂直平面上W所述超导量子干涉器件H轴磁强计为中也 W任意角度旋转;所述线圈为亥姆霍兹线圈。
[0016] 一种超导量子干涉器件H轴磁强计的标定方法,包括:利用一信号发生器产生选 定频率和设定幅度的正弦信号;利用所述正弦信号驱动一线圈产生幅度恒定的交流磁场; 利用一低温恒温器内置超导量子干涉器件H轴磁强计来维持超导量子干涉器件H轴磁强 计的工作温度;利用一旋转机构安装所述线圈和所述低温恒温器,使线圈相对于所述超导 量子干涉器件H轴磁强计在水平面和垂直平面内W任意角度调节,在所述超导量子干涉器 件H轴磁强计周围产生均匀的幅度恒定的交流磁场;W所述正弦信号为考,利用一与所述 信号发生器相连的锁相放大器将标定过程中所述超导量子干涉器件H轴磁强计响应所述 交流磁场的结果检测出来。
[0017] 优选地,利用旋转机构安装所述线圈和所述低温恒温器,使线圈围绕所述超导量 子干涉器件H轴磁强计在水平面和垂直平面内W任意角度调节的具体过程包括:利用一支 架垂直固定所述低温恒温器,使位于所述低温恒温器内的超导量子干涉器件H轴磁强计静 止;利用一底座支撑所述支架;利用一套接于所述支架上、且在水平面上围绕所述支架旋 转的旋转盘带动所述线圈围绕所述支架在水平面上W任意角度旋转;利用一设置于所述旋 转盘的边缘,且在垂直平面上W任意角度自转,W及在水平面上随旋转盘W任意角度公转 的旋转轴安装所述线圈,使线圈在所述超导量子干涉器件H轴磁强计周围产生在水平面和 垂直平面上W任意角度调节的幅度恒定的交流磁场。
[0018] 优选地,所述线圈的安装过程包括:所述第一线圈包括第一侧面线圈、第二侧面线 圈和连接杆;所述连接杆内置有连接线,所述连接线的一端与所述第一侧面线圈电连通,另 一端与所述第二侧面线圈电连通;所述第一侧面线圈和第二侧面线圈为亥姆霍兹线圈;所 述连接杆的中也固定于所述旋转轴上,随旋转轴的自转和公转带动线圈在水平面和垂直平 面上W任意角度旋转。
[0019] 优选地,所述底座支撑所述支架的方式包括;所述支架拆分为上支架和下支架,所 述上支架和下支架的连接部分易组合且易拆开;所述底座为一字型结构,一字型结构的底 座从所述下支架的底部支撑所述支架;所述线圈中的连接杆的长度大于所述上支架的高 度;将所述上支架和下支架拆开,使第一侧面线圈旋转到所述上支架的正上
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