一种用于薄膜材料及微纳结构的电学参数检测平台的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种用于薄膜材料及微纳结构的电学参数检测平台，包括衬底、设置于衬底上的多个支撑立柱，和制备在所述支撑立柱的上表面、侧面，以及衬底的上表面，实现支撑立柱的上表面与衬底的上表面电学连接的金属连接层。本发明通过设置于衬底上的支撑立柱支撑待测的薄膜材料及微纳结构使其悬空，实现较好的机械耐压强度；同时制备在所述支撑立柱的上表面、侧面，以及衬底的上表面，实现支撑立柱的上表面与衬底的上表面电学连接的金属连接层在接触面形成良好的欧姆接触，满足薄膜材料及微纳结构的介电、压电、阻容等电学参数的精确测量。
【专利说明】
一种用于薄膜材料及微纳结构的电学参数检测平台
技术领域
[0001]本发明涉及一种用于检测薄膜材料及微纳结构的电学参数检测平台，通过该检测平台能够实现薄膜材料以及微纳结构的介电、压电、阻容等电学参数的测量。
【背景技术】
[0002]当固体或液态的一维线性尺度远远小于其他二维时，这样的固体或液体称为膜；通常，膜分为两类，一类是厚度大于I微米的膜，称为厚膜;另一类则是厚度小于I微米的膜，称为薄膜。对薄膜材料及维纳结构的电学性能的评价，是将薄膜材料及微纳结构推向实际应用的基础。由于薄膜材料及微纳结构的尺寸较小，不容易夹持和操作，通常采用的方法是将薄膜材料及微纳结构制备在衬底之上，带着衬底进行测量，该方法一定程度的减小了检测操作的困难，但是带来测量结果不准确的不良后果，检测数据误差较大。
[0003]因此，为正确评价薄膜材料及微纳结构的电学性能，急需一种操作方便，且能实现精确测量的检测平台。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种能结构简单、便于操作、且能够实现薄膜材料及微纳结构的电学参数精确测量的检测平台。
[0005]本发明的目的是这样实现的，包括衬底、设置于衬底上的多个支撑立柱，和制备在所述支撑立柱的上表面、侧面，以及衬底的上表面，实现支撑立柱的上表面与衬底的上表面电学连接的金属连接层。
[0006]本发明通过设置于衬底上的支撑立柱支撑待测的薄膜材料及微纳结构使其悬空，实现较好的机械耐压强度；同时制备在所述支撑立柱的上表面、侧面，以及衬底的上表面，实现支撑立柱的上表面与衬底的上表面电学连接的金属连接层在接触面形成良好的欧姆接触，满足薄膜材料及微纳结构的介电、压电、阻容等电学参数的精确测量。
【附图说明】
[0007]图1为本发明的结构示意图；
图2为图1的俯视图；
图3为本发明用于薄膜材料及微纳结构的电学参数检测平台用于检测的示意图；
图中:1-衬底、2-支撑立柱、3-金属连接层、4、待检测样品。
【具体实施方式】
[0008]下面结合附图对本发明作进一步的说明，但不得以任何方式对本发明加以限制，基于本发明教导所作的任何变更或改进，均属于本发明的保护范围。
[0009]如图1所示，本发明提供的用于薄膜材料及微纳结构的电学参数检测平台，包括衬底1、设置于衬底I上的多个支撑立柱2，和制备在所述支撑立柱2的上表面、侧面，以及衬底I的上表面，实现支撑立柱2的上表面与衬底I的上表面电学连接的金属连接层3。
[0010]所述衬底I为玻璃衬底、硅衬底或者锗衬底。
[0011]如图2所示，所述衬底I上设置有5个支撑立柱2。
[0012]所述支撑立柱2采用有机物制作为圆柱体、长方体或者正方体。
[0013]所述金属连接层3为金层、铂层、镍铬层或者钛钨层，其厚度为10nm?200nm。
实施例
[0014](I)清洗硅衬底:具体包括如下步骤:
a.用甲苯溶液浸泡硅衬底1-2小时，充分溶解残留在硅衬底上表面的有机沾污物；
b.更换甲苯溶液，将甲苯溶液浸泡硅衬底用超声清洗3-5分钟，重复清洗三次；
c.更换丙酮溶液，将丙酮溶液浸泡硅衬底用超声清洗3-5分钟，重复清洗三次；
d.更换乙醇溶液，将乙醇溶液浸泡硅衬底用超声清洗3-5分钟，重复清洗三次；
f.用氮气吹干硅衬底表面的残余液体，然后将硅衬底放入烘箱，烘烤温度为80-90 0C，烘烤2小时。
[0015](2)制备支撑立柱:将设计好的支撑立柱图案制作成光刻掩膜版，然后采用传统光刻工艺的涂胶、曝光、显影等步骤在硅衬底上形成5个高度为20-30微米的有机物支撑立柱。
[0016](3)在完成步骤(2)的硅衬底上，通过磁控溅射的方法溅射1000 A镍铬层在支撑立柱的上表面、侧面，以及硅衬底I的上表面，形成金属连接层。
[0017]如图3所示，将待检测的薄膜材料或者微纳结构放置于检测平台上，设置于衬底上的支撑立柱支撑待测的薄膜材料及微纳结构使其悬空，实现较好的机械耐压强度；同时制备在所述支撑立柱的上表面、侧面，以及衬底的上表面，实现支撑立柱的上表面与衬底的上表面电学连接的金属连接层在接触面形成良好的欧姆接触，满足薄膜材料及微纳结构的介电、压电、阻容等电学参数的精确测量。
【主权项】
1.一种用于薄膜材料及微纳结构的电学参数检测平台，其特征在于:包括衬底(I)、设置于衬底(I)上的多个支撑立柱(2)，和制备在所述支撑立柱(2)的上表面、侧面，以及衬底(I)的上表面，实现支撑立柱(2)的上表面与衬底(I)的上表面电学连接的金属连接层(3)。2.根据权利要求1所述的用于薄膜材料及微纳结构的电学参数检测平台，其特征在于:所述衬底(I)为玻璃衬底、硅衬底或者锗衬底。3.根据权利要求1或2所述的用于薄膜材料及微纳结构的电学参数检测平台，其特征在于:所述衬底(I)上设置有5个支撑立柱(2)。4.根据权利要求3所述的用于薄膜材料及微纳结构的电学参数检测平台，其特征在于:所述支撑立柱(2)采用有机物制作为圆柱体、长方体或者正方体。5.根据权利要求1所述的用于薄膜材料及微纳结构的电学参数检测平台，其特征在于:所述金属连接层(3)为金层、铂层、镍铬层或者钛钨层，其厚度为10nm?200nm。
【文档编号】G01R27/26GK106018964SQ201610321924
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月16日
【发明人】黄鸿, 饶敬梅, 李英欣, 张铁恒, 董保志, 王向忠
【申请人】云南瑞博检测技术股份有限公司