专利名称：P沟道大功率恒电流二端模块的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种实现恒电流特性的P沟道大功率恒电流二端模块，厲于电路模块技 术领域。
恒电流二极管是实现恒流源的一种半导体器件。目前国际国内的恒流二极管通常都是小
电流、小功率的产品(输出电流0.5mA-10mA;)，主要用于电子电路中的基准电流设定。 由于电流、功率过小，不能直接驱动负载。需要采用带功率放大功能的电子模块或集成电路 驱动负载，这些电子模块或集成电路的电子元件较多，设计复杂，使用麻烦，还提高了生产成本。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种设计简单，可以直接驱动负载的P沟道大功率恒电流 二端模块，以克服现有技术的不足。
本实用新型是这样构成的它包括NPN三极管(1)和P沟道场效应管(2) , NPN三极管 (1)的集电极连接P沟道场效应管(2)的漏极和栅极，NPN三极管(1)的基极连接P沟道场 效应管(2)的源极。
在NPN三极管(1)的集电极和发射极之间还可连接有一个NPN三极管(3)，即NPN三极 管(1)的集电极连接NPN三极管(3)的集电极，NPN三极管(1)的发射极连接NPN三极管( 3)的基极。
NPN三极管(1)和NPN三极管(3)均为双极型晶体管。
本实用新型利用P沟道场效应管作为小电流恒流源，向担任电流扩展的NPN三极管(双极 型晶体管)提供恒定基极电流，经过NPN三极管(双极型晶体管)成比例(线性)放大(扩 展)成为大恒定电流。同现有的集成电路和电子模块(组件)技术相比，本实用新型具有结 构简单，采用电流扩展方法可以直接恒流驱动负载的优点，可以作为现有二极管来使用，也
可以作为恒电流电源直接驱动负载。
附图l为本实用新型实施例l的结构示意图； 附图2为本实用新型实施例2的结构示意附图3为本实用新型工作电压Vo与输出电流lD之间关系的电路特性图。
具体实施方式
本实用新型的实施例l:如图1所示，将NPN三极管(1)的集电极连接P沟道场效应管( 2)的漏极和栅极，将NPN三极管(1)的基极连接P沟道场效应管(2)的源极，NPN三极管(1) 采用双极型晶体管。NPN三极管(1)的集电极和发射极作为二端模块的输入和输出端， 输出电流lD可达至!J20mA--300^系列的输出恒定电流，其工作电压VD与输出电流lD之间关系的 电路特性如图3所示。本实用新型的实施例2:如图2所示，将NPN三极管(1)的集电极连接P沟道场效应管(2) 的漏极和栅极，将NPN三极管(1)的基极连接P沟道场效应管(2)的源极，NPN三极管( 1)的集电极连接NPN三极管(3)的集电极，NPN三极管(1)的发射极连接NPN三极管(3) 的基极；NPN三极管(1)的NPN三极管(3)构成复合三极管，以进一步扩展电流。NPN三极 管(1)和NPN三极管(3)采用双极型晶体管。NPN三极管(1)的集电极与NPN三极管(3) 发射极作为二端模块的输入和输出端，输出电流lD可达到300mA-1A系列的输出恒定电流，其 工作电压VD与输出电流ID之间关系的电路特性如图3所示。
权利要求1.一种P沟道大功率恒电流二端模块，它包括NPN三极管(1)和P沟道场效应管(2)，其特征在于NPN三极管(1)的集电极连接P沟道场效应管(2)的漏极和栅极，NPN三极管(1)的基极连接P沟道场效应管(2)的源极。
专利摘要本实用新型公开了一种P沟道大功率恒电流二端模块，它包括NPN三极管(1)的集电极和发射极，其特征在于NPN三极管(1)的集电极连接P沟道场效应管(2)的漏极和栅极，NPN三极管(1)的基极连接P沟道场效应管(2)的源极。本实用新型利用P沟道场效应管作为小电流恒流源，经过NPN三极管(双极型晶体管)成比例放大成为大恒定电流。同现有的集成电路和电子模块(组件)技术相比，本实用新型具有结构简单，采用电流扩展方法可以直接恒流驱动负载的优点，可以作为现有二极管来使用，也可以作为恒电流电源直接驱动负载。
文档编号G05F3/00GK201004193SQ20072020003
公开日2008年1月9日 申请日期2007年1月25日 优先权日2007年1月25日
发明者桥 刘 申请人:贵州大学