调压电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种调压电路。该电路包括NMOS晶体管、NPN双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、可调电阻和肖特基势垒二极管；所述NMOS晶体管的栅极通过第一电阻连接至电压源并通过可调电阻连接至地，源极接地，漏极连接至肖特基势垒二极管的负极端、NPN双极型晶体管的基极以及通过第二电阻连接至电压源；肖特基势垒二极管的正极端接地；NPN双极型晶体管的源极接地，集电极作为输出端的负极。体积较小、功耗小、速度高、适用于集成，电路结构简单。
【专利说明】调压电路
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种调压电路。
【背景技术】
[0002]调压是电路中经常用到的电路模块，用于调整电路功能电压。现有电路中一般采用晶闸管作为调压的件，但是晶闸管的面积较大，发热较大，消耗的功率也较大，根本不适用于集成电路，一般是在芯片外接调压电路。
【发明内容】
[0003]本发明的发明目的在于:针对上述存在的问题，提供一种M0S结构的调压电路。
[0004]本发明采用的技术方案是这样的:本发明的一种调压电路，该电路包括NM0S晶体管、NPN双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、可调电阻和肖特基势垒二极管；所述NM0S晶体管的栅极通过第一电阻连接至电压源并通过可调电阻连接至地，源极接地，漏极连接至肖特基势垒二极管的负极端、NPN双极型晶体管的基极以及通过第二电阻连接至电压源；肖特基势垒二极管的正极端接地；NPN双极型晶体管的源极接地，集电极作为输出端的负极。
[0005]在上述的电路中，所述第一电阻和第二电阻为参数相同的电阻。
[0006]综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是:该电路体较小、功耗小、速度高、适用于集成，且电路结构简单。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是本发明调压电路的电路原理图。
【具体实施方式】
[0008]下面结合附图，对本发明作详细的说明。
[0009]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0010]如图1所示，是本发明调压电路的电路原理图。
[0011]下面结合图1对本发明上述各电子元器件间的连接关系做详细说明:一种调压电路，该电路包括NM0S晶体管Q1、NPN双极型晶体管T1、第一电阻R1、第二电阻R2、可调电阻RW1和肖特基势垒二极管Z1 ;所述NM0S晶体管Q1的栅极通过第一电阻R1连接至电压源VDD并通过可调电阻RW1连接至地GND，源极接地GND，漏极连接至肖特基势垒二极管Z1的负极端、NPN双极型晶体管T1的基极以及通过第二电阻R2连接至电压源VDD ;肖特基势垒二极管Z1的正极端接地；NPN双极型晶体管T1的源极接地GND，集电极作为输出端Vout的负极。
[0012]在本发明上述的电路中，所述第一电阻R1和第二电阻R2为参数相同的电阻。[0013]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种调压电路，其特征在于，包括NMOS晶体管(Q1)、NPN双极型晶体管(T1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2 )、可调电阻(RW1)和肖特基势垒二极管(Z1);所述NM0S晶体管(Q1)的栅极通过第一电阻(R1)连接至电压源(VDD)并通过可调电阻(RW1)连接至地(GND)，源极接地(GND )，漏极连接至肖特基势垒二极管(Z1)的负极端、NPN双极型晶体管(T1)的基极以及通过第二电阻(R2)连接至电压源(VDD);肖特基势垒二极管(Z1)的正极端接地；NPN双极型晶体管(T1)的源极接地(GND)，集电极作为输出端(Vout)的负极。
2.根据权利要求1所述的调压电路，其特征在于，所述第一电阻(R1)和第二电阻(R2)为参数相同的电阻。
【文档编号】G05F1/56GK103677039SQ201210354244
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月21日 优先权日:2012年9月21日
【发明者】周晓东, 王晓娟, 王纪云 申请人:郑州单点科技软件有限公司