技术特征：
技术总结
本申请公开了一种稳压电路和方法，涉及半导体技术领域。该稳压电路包括：镜像电流源，具有两个电流输出端；耗尽型MOS管，具有与镜像电流源的一个电流输出端连接的漏极，接地的栅极和源极；增强型MOS管，具有与镜像电流源的另一个电流输出端连接的漏极和接地的源极；第一电阻性器件，具有与耗尽型MOS管的漏极连接的第一端和与增强型MOS管的栅极连接的第二端；第二电阻性器件，具有与第一电阻性器件连接的第一端和接地的第二端。该稳压电路和方法能够降低系统功耗。
技术研发人员：王俊
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.07.26
技术公布日：2019.02.05