一种微波感应检测与控制电路的制作方法

本实用新型涉及电路技术领域，具体领域为一种微波感应检测与控制电路。

背景技术：

微波感应检测与控制电路是基于人体微波的自动控制，当有人进入微波感应范围时，微波传感器探测到人体微波光谱的变化，控制开关导通使负载接通电源开始工作。人不离开且在活动，控制开关持续导通；人离开后，控制开关延时自动关闭，负载停止工作，使用方便，安全节能。被广泛应用于地下通道、楼道、商场等地方的照明灯和监控设备的控制上。但现有的微波感应检测与控制电路一般使用16脚的红外感应的芯片来完成，这种电路结构复杂，不利于电路小型化，成本高，稳定性不好，且感应距离的一致性差，生产应用都不方便。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种微波感应检测与控制电路，线路简单，稳定性高。

为实现上述目的，本实用新型提供一种微波感应检测与控制电路,包括单片机、信号放大电路和输出控制电路，信号放大电路将感测的微波信息放大后输入至单片机的输入端，单片机输出端与输出控制电路连接，输出控制电路控制负载的开启及关闭。

优选的，所述单片机选用SOP8脚封装芯片，所述单片机的接地端(第8脚)接地，所述单片机的电源端直接连接电源，同时串联电容C1接地，所述单片机的接收端与所述信息放大电路的输出端连接，所述单片机的输出端连接所述输出控制电路。

优选的，所述信号放大电路包括闭环输入级运算放大器U3A和闭环输出级运算放大器U3B，所述闭环输入级运算放大器U3A的输出端和闭环输出级运算放大器U3B的正相输入端之间依次串联电阻R6、R7、R8，所述闭环输入级运算放大器U3A的输出端和负相输入端之间连接有电容C12，所述闭环输入级运算放大器U3B的输出端和负相输入端之间连接有电容C14，所述闭环输入级运算放大器U3A的负相输入端通过彼此串联的电阻R11和电容C15接地，所述闭环输出级运算放大器U3B的负相输入端通过彼此串联的电阻R12和电容C16接地，所述闭环输出级运算放大器U3B的正供电端与电源VCC连接，负供电端接地，所述闭环输出级运算放大器U3B的输出端与所述单片机的接收端连接。

优选的，所述输出控制电路包括场效应管Q1，所述场效应管Q1的栅极通过电阻R2与单片机的输出端连接，所述场效应管Q1的源极接地，所述场效应管Q1的漏极与负载连接。

优选的，所述负载为LED灯，所述场效应管Q1的漏极与LED灯的负极连接。

优选的，所述场效应管Q1选用N沟道增强型MOS场效应晶体管。

本实用新型的有益技术效果：采用8引脚的单片机，线路简单，体积小，成本低，利于器件小型化，稳定性和一致性好。

附图说明

图1为本实用新型微波感应检测与控制电路的原理框图；

图2为本实用新型的单片机的外围电路图；

图3为本实用新型的信号放大电路的电路图；

图4为本实用新型的输出控制电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型提供一种微波感应检测与控制电路,包括单片机、信号放大电路和输出控制电路，信号放大电路将感测的微波信息放大后输入至单片机的输入端，单片机输出端与输出控制电路连接，输出控制电路控制负载的开启及关闭。

本实施例的单片机选用SOP8脚封装芯片，外围电路连线图如图2所示，单片机U2的接地端(第8脚)接地，单片机U2的电源端(第1脚)直接连接电源VCC，同时串联电容C1接地，对电源进行滤波，提高工作稳定性，单片机U2的接收端(第6脚)与信息放大电路的输出端连接，单片机U2的输出端(第5脚)接输出控制电路。

如图3所示，信号放大电路包括闭环输入级运算放大器U3A和闭环输出级运算放大器U3B，闭环输入级运算放大器U3A的输出端和闭环输出级运算放大器U3B的正相输入端之间依次串联电阻R6、R7、R8，闭环输入级运算放大器U3A的输出端和负相输入端之间连接有电容C12，闭环输入级运算放大器U3B的输出端和负相输入端之间连接有电容C14，闭环输入级运算放大器U3A的负相输入端通过彼此串联的电阻R11和电容C15接地，闭环输出级运算放大器U3B的负相输入端通过彼此串联的电阻R12和电容C16接地，闭环输出级运算放大器U3B的正供电端与电源VCC连接，负供电端接地，闭环输出级运算放大器U3B的输出端与单片机U2的接收端(第6脚)连接。

如图4所示，输出控制电路包括场效应管Q1，场效应管Q1的栅极通过电阻R2与单片机U2的输出端(第5脚)连接，场效应管Q1的源极接地，场效应管Q1的漏极与负载连接，本实施例的负载为LED灯，场效应管Q1的漏极与LED灯的负极连接。本实施例的场效应管Q1选用N沟道增强型MOS场效应晶体管。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。