温室温控电路的制作方法

本实用新型涉及温室温控电路。

背景技术：

目前，农业用温室越来越普遍，它们存在的价值就是可以让天气冷的时候也可以种植喜温作物，但是就算喜温植物也有一个最佳成长温度，所以温室温度高于一定界限，就应该为温室排气、降温，目前市面上此类产品大多用单片机或者嵌入式系统来设计，其经济性并不好，市场急需一种物美价廉的解决方案。

技术实现要素：

本实用新型为了解决上述问题，提供了温室温控电路。该电路设计非常简单、简洁，以最少的器件、极小的体积、极低的成本实现了温室温控功能，价格不足市场上相同产品的12%，可以在温室内部多个剖面上部署此控制电路，就可以很好的保持温室温度，利于植物的生长。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：温室温控电路，其包括三端稳压管u1、负温度系数电阻rt1、负温度系数电阻rt2、电解电容c1、电解电容c2、电机m1、n沟道mosfetq1、电阻r1；所述负温度系数电阻rt1、负温度系数电阻rt2分别安装于温室某垂直剖面的顶部，及中部，如果温度高于36℃，从三端稳压管u1引脚1输出的+5vdc就会加于n沟道mosfetq1栅极，n沟道mosfetq1导通，电机m1转动，风扇转动，向外排热；如果温度低于36℃，从三端稳压管u1引脚1输出的+5vdc加于n沟道mosfetq1栅极处电平低于1.6vdc，n沟道mosfetq1截止，电机m1不转，风扇不动。

进一步地，所述+24vdc接电解电容c1正极、三端稳压管u1引脚3、电机m1输入端；所述三端稳压管u1引脚1接电解电容c2正极、负温度系数电阻rt1上端、负温度系数电阻rt2上端；所述n沟道mosfetq1栅极接负温度系数电阻rt1下端、负温度系数电阻rt2下端、电阻r1上端；所述n沟道mosfetq1漏极接电机m1输出端；所述地接电解电容c1负极、电解电容c2负极、三端稳压管u1引脚2、n沟道mosfetq1源极、电阻r1下端。

所述三端稳压管u1的型号为78l05。

所述负温度系数电阻rt1、负温度系数电阻rt2的型号为4.7k5%ntc。

所述n沟道mosfetq1的型号为buz10。

本实用新型具有以下有益效果：本实用新型以极低的成本，实现了温室温控功能，性价比极高，有大面积推广使用的可能性，如果推广使用，能够以不足其它解决方案12%的成本实现温室温控功能。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出，创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，温室温控电路，其包括三端稳压管u1（1）、负温度系数电阻rt1（2）、负温度系数电阻rt2（3）、电解电容c1（4）、电解电容c2（5）、电机m1（6）、n沟道mosfetq1（7）、电阻r1（8）。负温度系数电阻rt1（2）、负温度系数电阻rt2（3）分别安装于温室某垂直剖面的顶部，及中部，如果温度高于36℃，从三端稳压管u1（1）引脚1输出的+5vdc就会加于n沟道mosfetq1（7）栅极，n沟道mosfetq1（7）导通，电机m1（6）转动，风扇转动，向外排热；如果温度低于36℃，从三端稳压管u1（1）引脚1输出的+5vdc加于n沟道mosfetq1（7）栅极处电平低于1.6vdc，n沟道mosfetq1（7）截止，电机m1（6）不转，风扇不动。所述+24vdc接电解电容c1（4）正极、三端稳压管u1（1）引脚3、电机m1（6）输入端；所述三端稳压管u1（1）引脚1接电解电容c2（5）正极、负温度系数电阻rt1（2）上端、负温度系数电阻rt2（3）上端；所述n沟道mosfetq1（7）栅极接负温度系数电阻rt1（2）下端、负温度系数电阻rt2（3）下端、电阻r1（8）上端；所述n沟道mosfetq1（7）漏极接电机m1（6）输出端；所述地接电解电容c1（4）负极、电解电容c2（5）负极、三端稳压管u1（1）引脚2、n沟道mosfetq1（7）源极、电阻r1（8）下端。所述三端稳压管u1（1）的型号为78l05。所述负温度系数电阻rt1（2）、负温度系数电阻rt2（3）的型号为4.7k5%ntc。所述n沟道mosfetq1（7）的型号为buz10。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。