技术特征：
1.一种亚阈值电压基准电路，其特征在于，包括：3t亚阈值基准电压电路和自偏置衬底调制nmos电路，所述3t亚阈值基准电压电路包括本征nmos管和与所述本征nmos管连接的自偏置共源共栅电路；所述本征nmos管和电源连接；所述自偏置共源共栅电路和所述本征nmos管均与所述自偏置衬底调制nmos电路连接；所述自偏置衬底调制nmos电路接地。2.根据权利要求1所述的亚阈值电压基准电路，其特征在于，所述自偏置共源共栅电路包括第一栅氧nmos管和第二栅氧nmos管；所述第一栅氧nmos管和所述第二栅氧nmos管采用共源共栅自偏置的方式连接。3.根据权利要求2所述的亚阈值电压基准电路，其特征在于，所述第一栅氧nmos管的漏极与所述本征nmos管、所述第一栅氧nmos管的栅极、所述第二栅氧nmos管的栅极以及输出参考电压端连接，所述第一栅氧nmos管的源极和所述第二栅氧nmos管的漏极连接；所述第二栅氧nmos管的源极与所述自偏置衬底调制nmos电路连接。4.根据权利要求3所述的亚阈值电压基准电路，其特征在于，所述本征nmos管的漏极与电源连接，所述本征nmos管的源极均与所述第一栅氧nmos管的漏极和所述第一栅氧nmos管的栅极连接，所述本征nmos管的栅极与所述自偏置衬底调制nmos电路连接。5.根据权利要求4所述的亚阈值电压基准电路，其特征在于，所述自偏置衬底调制nmos电路为自偏置连接的双n阱栅氧nmos管。6.根据权利要求5所述的亚阈值电压基准电路，其特征在于，所述双n阱栅氧nmos管的漏极和所述第二栅氧nmos管的源极连接，所述双n阱栅氧nmos管的衬底电位端分别与所述第一栅氧nmos管的源极、所述第二栅氧nmos管的漏极连接，所述双n阱栅氧nmos管的栅极和所述本征nmos管的栅极连接，所述双n阱栅氧nmos管的源极接地。7.根据权利要求6所述的亚阈值电压基准电路，其特征在于，所述本征nmos管、所述第一栅氧nmos管、所述第二栅氧nmos管和所述双n阱栅氧nmos管的栅源电压均小于开启阈值电压。