单端共点输出电路及SOC控制器的制作方法

文档序号:25006840发布日期:2021-05-11 14:59阅读:130来源:国知局
单端共点输出电路及SOC控制器的制作方法

本实用新型涉及可编程控制技术领域,尤其涉及一种单端共点输出电路及soc控制器。



背景技术:

可编程控制在工业生产和自动化控制中是使用率非常高的集中控制设备,可编程控制代替了繁重的继电器柜,交流接触器柜等,逐渐的在生产和控制中普及使用,可编程控制的正确接线是可编程控制发挥功能的前提条件,熟练的掌握可编程控制输入端口和输出端口的接线是每一个电力作业人员所必需的。

一般情况下,可编程控制电源输入端接ac220v,是为了给可编程控制提供运行电源。可编程控制输入输出电源端口一般为dc24v,是可编程控制外供或自带的电源。然而,现有技术中,可编程控制的输出电路的性能往往易遭工业环境的影响。



技术实现要素:

本实用新型针对现有技术的不足,提出一种单端共点输出电路及soc控制器,解决了现有技术中存在的可编程控制的输出电路的性能易遭工业环境的影响的问题。

为实现上述目的,本实用新型采用如下的技术方案:

第一方面,本实用新型提出一种单端共点输出电路,所述输出电路包括:依次电连接的恒流电路、感应电路及转换电路。

优选地,所述恒流电路包括第一晶体管(g1)、运算放大器与电容,所述运算放大器的正输入端接有一参考电压,所述运算放大器的的负输入端、输出端分别电连接至所述第一晶体管(g1)的源极、栅极,所述电容挂接在第一晶体管(g1)的栅极、漏极之间,所述第一晶体管(g1)的漏极接电源。

优选地,所述感应电路包括第二晶体管(g2),所述第二晶体管(g2)基极与所述恒流电路中的第一晶体管(g1)源极连接,所述第二晶体管(g2)的发射极与集电极同时接地。

优选地,所述转换电路包括光电隔离器,所述光电隔离器的输入端口与二极管连接方式的所述第二晶体管(g2)并联连接,其中,所述光电隔离器的输入端电连接至所述第二晶体管(g2)的基极。

优选地,还包括一放大电路,所述放大电路包括第三晶体管(g3)与电阻,所述第三晶体管(g3)基极电连接至所述转换电路光电隔离器的发射极,所述第三晶体管(g3)集电极电连接至所述转换电路光电隔离器的集电极,所述第三晶体管(g3)发射极接地,所述电阻挂接在所述第三晶体管(g3)基极、发射极之间。

优选地,还包括一稳压电路,所述稳压电路包括一二极管,所述二极管的阴极电连接至所述转换电路光电隔离器的集电极,所述二极管的阳极接地。

优选地,所述晶体管采用场效应管、双极晶体管中的一种或多种。

优选地,第一晶体管(g1)为nmos管,第二晶体管(g2)为光敏三极管,第三晶体管(g3)为双极晶体管。

第二方面,本实用新型提出一种soc控制器,包括若干个第一方面所述的单端共点输出电路,若干个所述单端共点输出电路通过单端共点接地方式进行阵列分布在所述soc控制器中。

本实用新型的有益效果:本实用新型的单端共点输出电路及soc控制器,通过在可编程控制器中引入恒流电路给感应电路提供恒定电流的工作电压,保证了可编程控制器单端共点输出电路的工作稳定性,采用可植入可编程控制器的光敏三极管传感器件,避免了传统技术中采用外置传感器而易遭外界环境影响,使用与传感器件并联结构的具有隔离作用的光耦合器,令输入信号去掉杂波而获得纯净信号,这些措施解决了现有技术中存在的可编程控制的输出电路的性能易遭工业环境的影响的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型单端共点输出电路一实施例结构示意图。

图2是本实用新型单端共点输出电路一实施例具体电路图。

具体实施方式

下面结合附图与实施例对本实用新型技术方案作进一步详细的说明,这是本实用新型的较佳实施例。应当理解,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例;需要说明的是,在不冲突的情况下,本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

实施例一

第一方面,本实用新型提出一种单端共点输出电路,如图1所示,所述输出电路包括:依次电连接的恒流电路、感应电路及转换电路。具体电路描述如下,如图2所示:

本实施例中,所述恒流电路包括第一晶体管(g1)、运算放大器与电容,上述运算放大器的正输入端接有一参考电压,上述运算放大器的的负输入端、输出端分别电连接至上述第一晶体管(g1)的源极、栅极,上述电容挂接在第一晶体管(g1)的栅极、漏极之间,上述第一晶体管(g1)的漏极接电源。

本实施例中,上述感应电路包括第二晶体管(g2),上述第二晶体管(g2)基极与上述恒流电路中的第一晶体管(g1)源极连接,上述第二晶体管(g2)的发射极与集电极同时接地。

本实施例中,上述转换电路包括光电隔离器,上述光电隔离器的输入端口与二极管连接方式的上述第二晶体管(g2)并联连接,其中,上述光电隔离器的输入端电连接至上述第二晶体管(g2)的基极。

在一个可选实施例中,该单端共点输出电路还包括一放大电路,上述放大电路包括第三晶体管(g3)与电阻,上述第三晶体管(g3)基极电连接至上述转换电路光电隔离器的发射极,上述第三晶体管(g3)集电极电连接至上述转换电路光电隔离器的集电极,上述第三晶体管(g3)发射极接地,上述电阻挂接在上述第三晶体管(g3)基极、发射极之间。

在另一可选实施例中,该单端共点输出电路还包括一稳压电路,上述稳压电路包括一二极管,上述二极管的阴极电连接至上述转换电路光电隔离器的集电极,上述二极管的阳极接地。

需要说明的是,本实施例中的晶体管可为采用场效应管、双极晶体管中的一种或多种。较佳地,本实施例中的第一晶体管(g1)为nmos管,第二晶体管(g2)为光敏三极管,第三晶体管(g3)为双极晶体管。但需要说明的是,本实施例中的晶体管也可以是耗尽型n沟道mos晶体管的栅极与源极连接的结构,虽未作图示,不过当然也可以是将耗尽型p沟道mos晶体管的栅极与源极连接的结构。

本实用新型的单端共点输出电路工作原理与效果:通过在可编程控制器中引入恒流电路给感应电路提供恒定电流的工作电压,保证了可编程控制器单端共点输出电路的工作稳定性,采用可植入可编程控制器的光敏三极管传感器件,避免了传统技术中采用外置传感器而易遭外界环境影响,使用与传感器件并联结构的具有隔离作用的光耦合器,令输入信号去掉杂波而获得纯净信号,这些措施解决了现有技术中存在的可编程控制的输出电路的性能易遭工业环境的影响的问题。

实施例二

本实用新型提出一种soc控制器,包括若干个上述的单端共点输出电路,若干个上述单端共点输出电路通过单端共点接地方式进行阵列分布在上述soc控制器中。

需要说明,本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。另外,在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。并且,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本实用新型要求的保护范围之内。

还需要说明的是,在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

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