钕铁硼真空冶炼功率调节方法、装置、系统和存储介质与流程

文档序号:26002733发布日期:2021-07-23 21:20阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种钕铁硼真空冶炼功率调节方法,其特征在于,所述方法包括:

采集中频电源输出的实时功率值;

对所述实时功率值和预设功率曲线对应的设定功率值之间的偏差值进行不完全微分pid控制调节,得到目标功率值;

输出所述目标功率值。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设功率曲线包括熔炼生产功率曲线和熔炼浇铸功率曲线,其中,所述熔炼生产功率曲线为功率与时间的函数,所述熔炼浇铸功率曲线为功率与坩埚倾翻角度的函数。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对所述实时功率值和预设功率曲线对应的设定功率值之间的偏差值进行不完全微分pid控制调节,得到目标功率值,包括:

在合金烘料环节、停烘充氩环节、合金熔化环节和钢液精炼环节,对所述实时功率值和所述熔炼生产功率曲线对应的设定功率值之间的偏差值进行不完全微分pid控制调节,得到所述目标功率值;

在钢液浇铸环节,对所述实时功率值和所述熔炼浇铸功率曲线对应的设定功率值之间的偏差值进行不完全微分pid控制调节,得到所述目标功率值。

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对所述实时功率值和预设功率曲线对应的设定功率值之间的偏差值进行不完全微分pid控制调节,得到目标功率值,包括:

在合金烘料环节、合金熔化环节和钢液精炼环节,对所述实时功率值和所述熔炼生产功率曲线对应的设定功率值之间的偏差值进行不完全微分pid控制调节,得到所述目标功率值;

在当前时刻到达所述熔炼生产功率曲线对应的停烘充氩的开始时刻,将所述目标功率值降至底功率后发送停烘充氩开始指令,在所述熔炼室内的真空压力值达到预设压力值时,发送停烘充氩结束指令;

在钢液浇铸环节,对所述实时功率值和所述熔炼浇铸功率曲线对应的设定功率值之间的偏差值进行不完全微分pid控制调节,得到所述目标功率值。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述采集中频电源输出的实时功率值之前,所述方法还包括:

设置不完全微分pid参数,其中,所述不完全微分pid参数包括比例常数p、积分常数i和微分常数d;

所述不完全微分pid参数还包括不完全微分pid的上下限值、使用的环路数量、一次扫描中执行的环路数量、运算公式的动作方向、采样周期、过滤器系数、微分增益中的一个或多个参数。

6.一种钕铁硼真空冶炼功率调节装置,其特征在于,所述装置包括:

实时功率采集模块,用于采集中频电源输出的实时功率值;

不完全微分控制模块,用于对所述实时功率值和预设功率曲线对应的设定功率值之间的偏差值进行不完全微分pid控制调节,得到目标功率值;

目标功率输出模块,用于输出所述目标功率值。

7.一种钕铁硼真空冶炼功率调节系统,其特征在于,所述系统包括模拟量输入装置、中央处理器、模拟量输出装置、中频电源和感应线圈,所述中央处理器分别与所述模拟量输入装置和所述模拟量输出装置相连,所述中频电源分别与所述模拟量输入装置、所述模拟量输出装置和所述感应线圈相连,其中,

所述模拟量输入装置,用于采集中频电源输出的第一模拟量信号,并将所述第一模拟量信号转换为实时功率值;

所述中央处理器,用于接收所述实时功率值,并对所述实时功率值和预设功率曲线对应的设定功率值之间的偏差值进行不完全微分pid控制调节,得到目标功率值并输出;

所述模拟量输出装置,用于将所述目标功率值转换为第二模拟量信号;

所述中频电源,用于接收所述第二模拟量信号,并根据所述第二模拟量信号确定功率输出值,并将所述功率输出值对应的电流信号输出至感应线圈。

8.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,所述系统还包括真空压力传感器,所述真空压力传感器与所述中央处理器相连,用于检测熔炼室内的真空压力值。

9.一种存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至5中任一项所述的方法的步骤。

10.一种计算机设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至5中任一项所述的方法的步骤。


技术总结
本发明公开了一种钕铁硼真空冶炼功率调节方法、装置、系统和存储介质,涉及钕铁硼稀土真空冶炼技术领域。其中方法包括:采集中频电源输出的实时功率值;对实时功率值和预设功率曲线对应的设定功率值之间的偏差值进行不完全微分PID控制调节,得到目标功率值;输出目标功率值。上述方法可以使目标功率值与实时功率值保持一致,从而提高了功率调节的一致性,同时,该方法省去了反复模拟输出百分比的繁琐操作,提高了工作效率,此外,该方法还可以使功率调节的步进条段采用渐变的方式平稳的升高或者下降,因而不会对中频电源IGBT造成冲击,延长了中频电源的使用寿命。

技术研发人员:徐福兴;王吉刚;富海军;王玉鹏;王鹏
受保护的技术使用者:沈阳广泰真空科技有限公司
技术研发日:2021.03.23
技术公布日:2021.07.23
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