基于XC8222AIC的负电压生成电路的制作方法

文档序号:29189871发布日期:2022-03-09 12:30阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种基于xc8222aic的负电压生成电路,包括电压变换电路,其特征在于电压变换电路包括第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、第四电阻r4、第五电阻r5、第四电容c4、第五电容c5、xc8222aic芯片d1和第一电感l1;第一电阻r1的一端与电源输入端连接,第一电阻r1的另一端与xc8222aic芯片d1的8脚、第二电阻r2的一端连接,第二电阻r2的另一端与输出电源端vout连接,xc8222aic芯片d1的1脚与第四电阻r4的一端、第五电容c5的一端、第五电阻r5的一端连接,第四电阻r4的另一端接地,第五电容c5的另一端接地,第五电阻r5的另一端接电源输出端vout,xc8222aic芯片d1的2脚与第三电阻r3的一端连接,第三电阻r3的另一端接输出电源端vout,xc8222aic芯片d1的3、4脚接地,xc8222aic芯片d1的5脚与电源输入端vin连接,xc8222aic芯片d1的6脚一端与第四电容c4的一端、第一电感l1的一端连接,第四电容c4的另一端与xc8222aic芯片的7脚连接,第一电感l1的另一端与地连接。2.根据权利要求1所述的一种基于xc8222aic的负电压生成电路,其特征在于第四电容c4为低esr的多层瓷介电容器,容量为100nf。3.根据权利要求1所述的一种基于xc8222aic的负电压生成电路,其特征在于第一电感l1为铁氧体心绕线式片式电感器,容量为100uh。4.根据权利要求1所述的一种基于xc8222aic的负电压生成电路,其特征在于第四电阻r4和第五电阻r5的阻值在10kω到1mω,vout=-0.6v*(r4+r5)/r5。5.根据权利要求1所述的一种基于xc8222aic的负电压生成电路,其特征在于还包含输入滤波电路,输入滤波电路包括第一电容c1、第二电容c2、第三电容c3,第一电容c1的一端连接外部输入电源端vin,第一电容c1的另一端连接地,第二电容c2的一端与电源输入端连接,第二电容c2的另一端与输出电源端vout连接,第三电容c3的一端与电源输入端连接,第三电容c3的另一端与输出电源端vout连接。6.根据权利要求5所述的一种基于xc8222aic的负电压生成电路,其特征在于第一电容c1为多层瓷介电容器,等级为x7r,容量大于4.7uf。7.根据权利要求5所述的一种基于xc8222aic的负电压生成电路,其特征在于第二电容c2为多层瓷介电容器。8.根据权利要求1所述的一种基于xc8222aic的负电压生成电路,其特征在于还包含输出滤波电路,输出滤波电路包括第六电容c6、第七电容c7,第六电容c6的一端接地,第六电容c6的另一端接电源输出端vout,第七电容c7的一端接地,第七电容c7的另一端接电源输出端vout。9.根据权利要求8所述的一种基于xc8222aic的负电压生成电路,其特征在于第六电容c6为多层瓷介电容器,等级为x7r,容量不低于22uf。

技术总结
本实用新型公开了一种基于XC8222AIC的负电压生成电路,包括电压变换电路,电压变换电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第四电容C4、第五电容C5、XC8222AIC芯片D1和第一电感L1;输入电压经过第一电阻R1与第二电阻R2分压后供给XC8222AIC芯片使能端,输出电压经第四电阻R4、第五电容C5、第五电阻R5反馈至芯片反馈端,用于调节输出电压。第三电阻R3用于设置芯片的开关频率。本实用新型具有输入范围宽、输出电流大、动态响应快等特点。动态响应快等特点。动态响应快等特点。


技术研发人员:陶大勇 苍胜 王艳龙
受保护的技术使用者:中国航空无线电电子研究所
技术研发日:2021.08.27
技术公布日:2022/3/8
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