一种用于血栓泵的控制电路的制作方法

文档序号:29818374发布日期:2022-04-27 10:46阅读:151来源:国知局
一种用于血栓泵的控制电路的制作方法

1.本实用新型涉及vte预防设备的设计制造领域,更具体的说,它涉及一种用于血栓泵的控制电路。


背景技术:

2.血栓是血流在心血管系统血管内面剥落处或修补处的表面所形成的小块;其会使人体的血液循环受到影响,是一种容易引发心血管功能的疾病;
3.vte预防的控制设备的出现和广泛应用对于长期卧床的患者预防下肢深静脉血栓形成具有非常好的效果;vte预防的控制设备基于周期性通气的原理,可以大面积挤压和按摩四肢,增加静脉回流,从而显着提高血流速度,减少血瘀,从而达到最佳的深静脉血栓形成预防效果;
4.当前市面上的vte预防的控制设备都难以长期使用,在降压设计上更是难以将电压降到元器件的正常运作要求,设置合理的控制电路,使设备能长时间有效运作,成为厂商要解决的问题之一。


技术实现要素:

5.本实用新型克服了现有技术的不足,提供设计合理、运作稳定的一种用于血栓泵的控制电路。
6.为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案如下:
7.一种用于血栓泵的控制电路,包括主控模块、数显模块、降压模块、气压检测模块和电源模块;电源模块与降压模块电性连接,主控模块与降压模块、数显模块、气压检测模块电性连接;主控模块进行相应控制;数显模块进行对应数据的显示;降压模块实现电源模块的电压降压转变;气压检测模块用于血栓泵的气压调节提供数据。
8.进一步的,降压模块包括降压芯片、肖特基二极管、电阻、电感、电容、极性电容、三极管、散热片、二极管和双mos管、mos管;
9.降压芯片u2的1号引脚与电阻r22的一端、电容c8的一端、电阻r20的一端连接,降压芯片u2的7、8号引脚、电阻r20的另一端一起接地,电阻r22的另一端、电容c8的另一端一起与电容c10的一端、极性电容c11的正极、电感l2的一端、二极管d5的正极、二极管d6的正极,降压芯片u2的5、6号引脚与电感l2的另一端、肖特基二极管d4的负极、电阻r21的一端连接,电阻r21的另一端与电容c9的一端连接,电容c9的另一端与肖特基二极管d4的正极、电容c10的另一端、极性电容c11的负极一起接地;二极管d5的负极与电阻r28的一端连接,电阻r28的另一端与极性电容c28的正极一起接+12v电压,极性电容的c28的负极接地;
10.二极管d6的负极与电阻r23的一端、二极管d20的负极连接,降压芯片u2的4号引脚与二极管d20的正极连接;电阻r23的另一端与电阻r38的一端、电阻r40的一端、双mos管q14b的1号端、双mos管q15b的1号端连接,电阻r38的另一端与电阻r36的一端、双mos管q14b的2号端连接,电阻r36的另一端与三极管q13的集电极连接,三极管q13的发射极接地,三极
管q13的基极与电阻r39的一端连接;双mos管q14b的3号端与对外接口cn5的1号引脚、极性电容c19的正极、双mos管q14a的1号端连接,双mos管q14a的3号端与极性电容c19的负极连接,双mos管q14a的2号端与电阻r37的一端连接;电阻r40的另一端与双mos管q15b的2号端、电阻r41的一端连接,双mos管q15b的3号端与极性电容c20的正极、对外接口cn5的2号引脚、双mos管q15a的1号端连接,双mos管q15a的3号端与极性电容c20的负极、极性电容c19的负极连接,双mos管q15a的2号端与电阻r39的另一端连接,电阻r41的另一端与三极管q18的集电极连接,三极管q18的发射极接地,三极管q18的基极与电阻r37的另一端连接;
11.极性电容c19的负极与电阻r44的一端、电阻r45的一端、电容c14的一端、电阻r26的一端连接,电阻r26的另一端与电容c15的一端、三极管q6的基极连接,三极管q6的集电极与电容c18的一端、电阻r27的一端连接,电阻r27的另一端接5v电压,电阻r44的另一端、电阻r45的另一端、电容c14的另一端、电容c15的另一端、三极管q6的发射极、电容c18的另一端一起接地;
12.降压芯片u2的2号引脚与电容c6的一端、电阻r18的一端连接,电容c6的另一端接地,电阻r18的另一端与电容c5的一端、极性电容c4的正极一起接降压芯片u2的4号引脚,电容c5的另一端、极性电容c4的负极一起接地;
13.降压芯片u2的4号引脚与电阻r8的一端连接,电阻r8的另一端与极性电容c1的正极、散热芯片u1的1号引脚连接,散热芯片u1的3号引脚与极性电容c2的正极、电容c3的一端一起接5v电压,极性电容c1的负极与散热芯片u1的2号引脚、极性电容c2的负极、电容c3的另一端一起接地;
14.降压芯片u2的4号引脚与mos管q2的漏极连接,mos管q2的源极与二极管d2的负极、二极管d3的负极、电阻r6的一端、开关s1的一端连接,二极管d2的正极与对外接口cn4的1号引脚一起接电池电压,对外接口cn4的2号引脚接地;二极管d3的正极与对外接口cn1的1、2号引脚、电阻r9的一端一起接18v电压,电阻r9的另一端接地;对外接口cn1的3、4号引脚一起与电阻r17一端、电阻r68的一端、电阻r15的一端连接,电阻r17的另一端、电阻r68的另一端一起接地;电阻r15的另一端与电阻r3的一端、电阻r13的一端、电容c33的一端连接,电阻r13的另一端接电压,电容c33的另一端接地,电阻r3的另一端与主控模块连接;mos管q2的栅极与电阻r6的另一端、电阻r7的一端连接,电阻r7的另一端与三极管q3的1号端、三极管q4的1号端连接,三极管q3的3号端与电阻r11的一端连接,电阻r11的另一端接18v电压,三极管q3的2号端接地;三极管q4的2号端接地,三极管q4的3号端与电阻r12的一端一起接主控模块,电阻r12的另一端与开关s1的另一端、电阻r14的一端连接,电阻r14的另一端与三极管q5的3号端连接,三极管q5的2号端接地,三极管q5的1号端与电阻r16的一端、电阻r49的一端连接,电阻r16的另一端接5v电压,电阻r49的另一端与电容c38的一端一起连接主控模块,电容c38的另一端接地。
15.进一步的,主控模块包括主控芯片、晶振、电阻、电容、极性电容、二极管和程序烧入接口;
16.主控芯片u5的1、30、31、32号引脚分别与程序烧入接口的2、5、4、3号引脚连接,程序烧入接口的1号引脚接5v电压,程序烧入接口的6号引脚接地;
17.主控芯片u5的3号引脚与电阻r56的一端、二极管d12的正极、电容c39的一端连接,电阻r56的另一端、二极管d12的负极一起接5v电压,电容c39的另一端接地;主控芯片u5的
4、5号引脚之间连接晶振y1的两端,且该两端分别连接电容c40的一端、电容c25的一端连接,晶振y1的第三端、电容c40的另一端、电容c25的另一端一起接地;
18.主控芯片u5的6号引脚与电容c27的一端、极性电容c26的正极一起接5v电压,主控芯片u5的7号引脚与电容c27的另一端、极性电容c26的负极一起接地;
19.主控芯片u5的21号引脚与电阻r55的一端、电容c41的一端连接,电容c41的另一端接地,电阻r55的另一端与开关s3的一端、电阻r54的一端连接,开关s3的另一端接地,电阻r54的另一端接5v电压;
20.主控芯片u5的30号引脚与电阻r52的一端、电容c37的一端连接,电容c37的另一端接地,电阻r52的另一端与开关s2的一端、电阻r51的一端连接,开关s2的另一端接地,电阻r51的另一端接5v电压;
21.主控芯片u5的25号引脚与电阻r32的一端、电容c16的一端连接,电阻r32的另一端与电阻r30的一端、电阻r31的一端连接,电阻r30的另一端接bt+电压,电阻r31的另一端与电容c16的另一端一起接地。
22.进一步的,主控模块还包括电力控制电路,其包括三极管、二极管、mos管、极性电容、电感和电阻;
23.主控芯片u5的16号引脚与电阻r29的一端连接,电阻r29的另一端与电阻r35的一端、三极管q12的基极连接,电阻r35的另一端、三极管q12的发射极一起接地,三极管q12的集电极与二极管zd1的正极连接,二极管zd1的负极与电阻r5的一端连接,电阻r5的另一端与二极管d9的负极、电阻r4的一端、三极管q11的基极连接,二极管d9的正极与三极管q11的发射极、mos管q10的2号端连接,电阻r4的另一端与三极管q11的集电极、二极管d1的负极、mos管q10的1号端连接,二极管d1的正极接18v电压,mos管q10的3号端与二极管d19的正极、电感l3的一端连接,二极管d19的负极与极性电容c31的负极一起接地,电感l3的另一端、二极管d19的正极一起接电压bt+。
24.进一步的,气压检测模块包括气压传感芯片、电容、电阻和极性电容;气压传感芯片sen1的2、4号引脚与电容c35的一端、极性电容c36的正极一起接5v电压,气压传感芯片sen1的3、6号引脚与电容c35的另一端、极性电容c36的负极一起接地,气压传感芯片sen1的5号引脚与电阻r65的一端连接,电阻r65的另一端与电容c34的一端、电阻r64的一端一起与主控模块连接,电容c34的另一端与电阻r64的另一端一起接地。
25.本实用新型的有益效果是:
26.本实用新型设置了更加完善的控制电路,将整个设备的元器件处于良好的使用环境中,大大延长使用寿命。本实用新型通过设置气压检测模块以更好的控制控制设备对气压设备的控制,有效提高对气压设备的控制。
27.本实用新型设置了完善的降压电路,使得市电转换成了电子元器件正常运作的合理电压下。通过整流模块将电流进行进一步限制,更好的使元器件处于最佳状态。本实用新型设置散热芯片,作为vte预防的控制设备,在一段时间内会长期使用,合理的散热设置才能更好的进行设备的使用。
附图说明
28.图1为本实用新型的降压模块的电路原理图;
29.图2为本实用新型的主控模块的电路原理图;
30.图3为本实用新型的主控模块的电力控制电路的电路原理图;
31.图4为本实用新型的气压检测模块的电路原理图。
具体实施方式
32.下面结合附图和具体实施例对本实用新型进一步说明。应当说明的是,实施例只是对本实用新型的具体阐述,其目的是为了让本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,不应视为对本实用新型的限定。
33.实施例:
34.如图1至图4所示,一种用于血栓泵的控制电路,包括主控模块、数显模块、降压模块、气压检测模块和电源模块。电源模块与降压模块电性连接,主控模块与降压模块、数显模块、气压检测模块电性连接。主控模块进行相应控制。数显模块进行对应数据的显示。降压模块实现电源模块的电压降压转变。气压检测模块用于血栓泵的气压调节提供数据。
35.降压模块包括降压芯片、肖特基二极管、电阻、电感、电容、极性电容、三极管、散热片、二极管和双mos管、mos管。
36.降压芯片u2的1号引脚与电阻r22的一端、电容c8的一端、电阻r20的一端连接,降压芯片u2的7、8号引脚、电阻r20的另一端一起接地,电阻r22的另一端、电容c8的另一端一起与电容c10的一端、极性电容c11的正极、电感l2的一端、二极管d5的正极、二极管d6的正极,降压芯片u2的5、6号引脚与电感l2的另一端、肖特基二极管d4的负极、电阻r21的一端连接,电阻r21的另一端与电容c9的一端连接,电容c9的另一端与肖特基二极管d4的正极、电容c10的另一端、极性电容c11的负极一起接地。二极管d5的负极与电阻r28的一端连接,电阻r28的另一端与极性电容c28的正极一起接+12v电压,极性电容的c28的负极接地。
37.二极管d6的负极与电阻r23的一端、二极管d20的负极连接,降压芯片u2的4号引脚与二极管d20的正极连接。电阻r23的另一端与电阻r38的一端、电阻r40的一端、双mos管q14b的1号端、双mos管q15b的1号端连接,电阻r38的另一端与电阻r36的一端、双mos管q14b的2号端连接,电阻r36的另一端与三极管q13的集电极连接,三极管q13的发射极接地,三极管q13的基极与电阻r39的一端连接。双mos管q14b的3号端与对外接口cn5的1号引脚、极性电容c19的正极、双mos管q14a的1号端连接,双mos管q14a的3号端与极性电容c19的负极连接,双mos管q14a的2号端与电阻r37的一端连接。电阻r40的另一端与双mos管q15b的2号端、电阻r41的一端连接,双mos管q15b的3号端与极性电容c20的正极、对外接口cn5的2号引脚、双mos管q15a的1号端连接,双mos管q15a的3号端与极性电容c20的负极、极性电容c19的负极连接,双mos管q15a的2号端与电阻r39的另一端连接,电阻r41的另一端与三极管q18的集电极连接,三极管q18的发射极接地,三极管q18的基极与电阻r37的另一端连接。
38.极性电容c19的负极与电阻r44的一端、电阻r45的一端、电容c14的一端、电阻r26的一端连接,电阻r26的另一端与电容c15的一端、三极管q6的基极连接,三极管q6的集电极与电容c18的一端、电阻r27的一端连接,电阻r27的另一端接5v电压,电阻r44的另一端、电阻r45的另一端、电容c14的另一端、电容c15的另一端、三极管q6的发射极、电容c18的另一端一起接地。
39.降压芯片u2的2号引脚与电容c6的一端、电阻r18的一端连接,电容c6的另一端接
地,电阻r18的另一端与电容c5的一端、极性电容c4的正极一起接降压芯片u2的4号引脚,电容c5的另一端、极性电容c4的负极一起接地。
40.降压芯片u2的4号引脚与电阻r8的一端连接,电阻r8的另一端与极性电容c1的正极、散热芯片u1的1号引脚连接,散热芯片u1的3号引脚与极性电容c2的正极、电容c3的一端一起接5v电压,极性电容c1的负极与散热芯片u1的2号引脚、极性电容c2的负极、电容c3的另一端一起接地。
41.降压芯片u2的4号引脚与mos管q2的漏极连接,mos管q2的源极与二极管d2的负极、二极管d3的负极、电阻r6的一端、开关s1的一端连接,二极管d2的正极与对外接口cn4的1号引脚一起接电池电压,对外接口cn4的2号引脚接地。二极管d3的正极与对外接口cn1的1、2号引脚、电阻r9的一端一起接18v电压,电阻r9的另一端接地。对外接口cn1的3、4号引脚一起与电阻r17一端、电阻r68的一端、电阻r15的一端连接,电阻r17的另一端、电阻r68的另一端一起接地。电阻r15的另一端与电阻r3的一端、电阻r13的一端、电容c33的一端连接,电阻r13的另一端接电压,电容c33的另一端接地,电阻r3的另一端与主控模块连接。mos管q2的栅极与电阻r6的另一端、电阻r7的一端连接,电阻r7的另一端与三极管q3的1号端、三极管q4的1号端连接,三极管q3的3号端与电阻r11的一端连接,电阻r11的另一端接18v电压,三极管q3的2号端接地。三极管q4的2号端接地,三极管q4的3号端与电阻r12的一端一起接主控模块,电阻r12的另一端与开关s1的另一端、电阻r14的一端连接,电阻r14的另一端与三极管q5的3号端连接,三极管q5的2号端接地,三极管q5的1号端与电阻r16的一端、电阻r49的一端连接,电阻r16的另一端接5v电压,电阻r49的另一端与电容c38的一端一起连接主控模块,电容c38的另一端接地。
42.主控模块包括主控芯片、晶振、电阻、电容、极性电容、二极管和程序烧入接口。主控芯片u5的1、30、31、32号引脚分别与程序烧入接口的2、5、4、3号引脚连接,程序烧入接口的1号引脚接5v电压,程序烧入接口的6号引脚接地。
43.主控芯片u5的3号引脚与电阻r56的一端、二极管d12的正极、电容c39的一端连接,电阻r56的另一端、二极管d12的负极一起接5v电压,电容c39的另一端接地。主控芯片u5的4、5号引脚之间连接晶振y1的两端,且该两端分别连接电容c40的一端、电容c25的一端连接,晶振y1的第三端、电容c40的另一端、电容c25的另一端一起接地。
44.主控芯片u5的6号引脚与电容c27的一端、极性电容c26的正极一起接5v电压,主控芯片u5的7号引脚与电容c27的另一端、极性电容c26的负极一起接地。
45.主控芯片u5的21号引脚与电阻r55的一端、电容c41的一端连接,电容c41的另一端接地,电阻r55的另一端与开关s3的一端、电阻r54的一端连接,开关s3的另一端接地,电阻r54的另一端接5v电压。
46.主控芯片u5的30号引脚与电阻r52的一端、电容c37的一端连接,电容c37的另一端接地,电阻r52的另一端与开关s2的一端、电阻r51的一端连接,开关s2的另一端接地,电阻r51的另一端接5v电压。
47.主控芯片u5的25号引脚与电阻r32的一端、电容c16的一端连接,电阻r32的另一端与电阻r30的一端、电阻r31的一端连接,电阻r30的另一端接bt+电压,电阻r31的另一端与电容c16的另一端一起接地。
48.主控模块还包括电力控制电路,其包括三极管、二极管、mos管、极性电容、电感和
电阻。主控芯片u5的16号引脚与电阻r29的一端连接,电阻r29的另一端与电阻r35的一端、三极管q12的基极连接,电阻r35的另一端、三极管q12的发射极一起接地,三极管q12的集电极与二极管zd1的正极连接,二极管zd1的负极与电阻r5的一端连接,电阻r5的另一端与二极管d9的负极、电阻r4的一端、三极管q11的基极连接,二极管d9的正极与三极管q11的发射极、mos管q10的2号端连接,电阻r4的另一端与三极管q11的集电极、二极管d1的负极、mos管q10的1号端连接,二极管d1的正极接18v电压,mos管q10的3号端与二极管d19的正极、电感l3的一端连接,二极管d19的负极与极性电容c31的负极一起接地,电感l3的另一端、二极管d19的正极一起接电压bt+。
49.作为优选,气压检测模块包括气压传感芯片、电容、电阻和极性电容。气压传感芯片sen1的2、4号引脚与电容c35的一端、极性电容c36的正极一起接5v电压,气压传感芯片sen1的3、6号引脚与电容c35的另一端、极性电容c36的负极一起接地,气压传感芯片sen1的5号引脚与电阻r65的一端连接,电阻r65的另一端与电容c34的一端、电阻r64的一端一起与主控模块连接,电容c34的另一端与电阻r64的另一端一起接地。
50.综上,本实用新型设置了更加完善的控制电路,将整个设备的元器件处于良好的使用环境中,大大延长使用寿命。本实用新型通过设置气压检测模块以更好的控制控制设备对气压设备的控制,有效提高对气压设备的控制。
51.本实用新型设置了完善的降压电路,使得市电转换成了电子元器件正常运作的合理电压下。通过整流模块将电流进行进一步限制,更好的使元器件处于最佳状态。本实用新型设置散热芯片,作为vte预防的控制设备,在一段时间内会长期使用,合理的散热设置才能更好的进行设备的使用。
52.本方案设置了更加完善的降压电路,使得市电转换成了电子元器件正常运作的合理电压下。通过整流模块将电流进行进一步限制,更好的使元器件处于最佳状态。本实用新型设置散热芯片,作为vte预防的控制设备,在一段时间内会长期使用,合理的散热设置才能更好的进行设备的使用。
53.值得说明的是,本实用新型的其他技术特征均属于现有的技术,故不作赘述。
54.以上所述仅是本实用新型优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型保护范围。
当前第1页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1