稳压电路及电源系统的制作方法

本申请涉及稳压电路，具体涉及一种稳压电路及电源系统。

背景技术：

1、ldo是一种线性稳压器，具有较低的噪声、稳定性、负载响应和较高的电源抑制比被广泛应用于各种电子设备中。

2、相关技术中，ldo包括pmos场效应管以及运算放大器，pmos场效应管的栅极与运算放大器的输出端连接，用于根据反馈电压以及参考电压的差值控制pmos场效应管的开启程度，使得ldo可以输出稳定的电压。

3、经实践发现，上述结构的ldo在使用时发热量较大且效率较低。

技术实现思路

1、本申请实施例公开了一种稳压电路及电源系统，该稳压电路工作时的发热量较小且效率较高。

2、本申请实施例公开一种稳压电路，包括：

3、运算放大器，包括正相输入端、负相输入端、正侧电源端、负侧电源端以及第一输出端，所述正相输入端用于接入参考电压，所述正侧电源端用于接入第一电压，所述负侧电源端用于接入第二电压，所述第一电压大于参考地的电压，所述第二电压小于所述参考地的电压；

4、nmos场效应管，所述nmos场效应管的漏极用于接入第三电压，所述nmos场效应管的源极用于与负载连接，所述nmos场效应管的栅极与所述运算放大器的第一输出端连接；

5、分压模组，包括第一端、第二端以及第二输出端，所述第一端与所述nmos场效应管的源极连接，所述第二端与所述参考地连接，所述第二输出端与所述负相输入端连接。

6、作为一种可选的实施方式，还包括前馈电容，所述前馈电容的一端与所述nmos场效应管的源极连接，所述前馈电容的另一端与所述分压模组的第二输出端连接。

7、作为一种可选的实施方式，还包括第一滤波模组和/或第二滤波模组，所述第一滤波模组的一端与所述nmos场效应管的漏极连接，所述第二滤波模组的一端与所述nmos场效应管的源极连接，所述第一滤波模组的另一端以及所述第二滤波模组的另一端与所述参考地连接。

8、作为一种可选的实施方式，所述分压模组包括第一阻值单元以及第二阻值单元，所述第一阻值单元的一端与所述第二阻值单元的一端连接，所述第一阻值单元的另一端作为所述第一端，所述第一阻值单元的一端作为所述第二输出端，所述第二阻值单元的另一端作为所述第二端。

9、作为一种可选的实施方式，还包括电源模组，所述电源模组与所述nmos场效应管的漏极连接，用于提供第三电压。

10、作为一种可选的实施方式，还包括：

11、降压模组，所述降压模组的输入端与所述电源模组连接，所述降压模组用于对所述第三电压进行降压得到第四电压；

12、升压模组，所述升压模组的输入端与所述降压模组的输出端连接，所述升压模组的输出端与所述正侧电源端连接，用于对所述第四电压进行升压，为所述正侧电源端提供所述第一电压。

13、作为一种可选的实施方式，还包括负压模组，所述负压模组的输入端与所述升压模组的输出端连接，所述负压模组的输出端与所述负侧电源端连接，所述负压模组用于将所述第一电压调整为所述第二电压。

14、作为一种可选的实施方式，还包括第一限流模组、第二限流模组和第三限流模组中的至少一个；其中，

15、所述第一限流模组的一端与所述正相输入端连接，所述第一限流模组的另一端与所述第二输出端连接；

16、所述第二限流模组的一端与所述负相输入端连接，所述第二限流模组的另一端用于接入所述参考电压；

17、所述第三限流模组的一端与所述第一输出端连接，所述第三限流模组的另一端与所述nmos场效应管的栅极连接。

18、作为一种可选的实施方式，还包括单片机和数模转换模组，所述单片机与所述数模转换模组的输入端连接，所述数模转换模组的输出端与所述正相输入端连接，所述数模转换模组用于将所述单片机输出的数字信号转换为模拟信号，所述模拟信号作为所述参考电压。

19、本申请实施例公开一种电源系统，包括行本申请实施例公开的任意一种稳压电路。

20、与相关技术相比，本申请实施例具有以下有益效果：

21、本申请实施例提供的稳压电路，由于nmos管的导通内阻小于pmos场效应管，因此采用nmos场效应管调整输出至负载的电压，相较于采用pmos场效应管，可以减小稳压电路的发热以及提高稳压电路的效率。同时运算放大器的正侧电源端用于接入电压大于参考地电压的第一电压，运算放大器的负侧电源端用于接入电压小于参考地电压的第二电压，相对于将运算放大器的电源负端接入参考地电压而言，运算放大器可以输出与参考地的电压相等的电压，甚至小于参考地的电压，使得nmos场效应管可以完全关断，提高了稳压电路的可靠性。

技术特征：

1.一种稳压电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括前馈电容，所述前馈电容的一端与所述nmos场效应管的源极连接，所述前馈电容的另一端与所述分压模组的第二输出端连接。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括第一滤波模组和/或第二滤波模组，所述第一滤波模组的一端与所述nmos场效应管的漏极连接，所述第二滤波模组的一端与所述nmos场效应管的源极连接，所述第一滤波模组的另一端以及所述第二滤波模组的另一端与所述参考地连接。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述分压模组包括第一阻值单元以及第二阻值单元，所述第一阻值单元的一端与所述第二阻值单元的一端连接，所述第一阻值单元的另一端作为所述第一端，所述第一阻值单元的一端作为所述第二输出端，所述第二阻值单元的另一端作为所述第二端。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括电源模组，所述电源模组与所述nmos场效应管的漏极连接，用于提供第三电压。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，还包括负压模组，所述负压模组的输入端与所述升压模组的输出端连接，所述负压模组的输出端与所述负侧电源端连接，所述负压模组用于将所述第一电压调整为所述第二电压。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括第一限流模组、第二限流模组和第三限流模组中的至少一个；其中，

9.根据权利要求1-8任一项所述的电路，其特征在于，还包括单片机和数模转换模组，所述单片机与所述数模转换模组的输入端连接，所述数模转换模组的输出端与所述正相输入端连接，所述数模转换模组用于将所述单片机输出的数字信号转换为模拟信号，所述模拟信号作为所述参考电压。

10.一种电源系统，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的稳压电路。

技术总结
本申请实施例公开一种稳压电路及电源系统，由于NMOS管的导通内阻小于PMOS场效应管，因此本实施例提供的稳压电路采用NMOS场效应管调整输出至负载的电压，相较于采用PMOS场效应管，可以减小稳压电路的发热以及提高稳压电路的效率。同时运算放大器的正侧电源端用于接入电压大于参考地电压的第一电压，运算放大器的负侧电源端用于接入电压小于参考地电压的第二电压，相对于将运算放大器的电源负端接入参考地电压而言，运算放大器可以输出与参考地的电压相等的电压，甚至小于参考地的电压，使得NMOS场效应管可以完全关断，提高了稳压电路的可靠性。

技术研发人员：黎长才
受保护的技术使用者：闻泰通讯股份有限公司
技术研发日：20221226
技术公布日：2024/1/12