本申请涉及仪器控制,具体而言,涉及一种臭氧发生器的控制装置、半导体气相沉积设备及控制方法。
背景技术:
1、臭氧可用于净化空气、漂白饮用水,随着臭氧的广泛使用,臭氧发生器的应用也越来越广泛,为了保证臭氧发生器产生臭氧气体的浓度准确度,对臭氧发生器的零飘校准就显得尤为重要。
2、目前,由于用户在依个人喜好使用臭氧发生器时,臭氧发生器的输出功率不同,会导致臭氧发生器发生零飘的时间不确定,不能及时检测到臭氧发生器发生零飘,则不能及时对臭氧发生器进行零飘校准,也就无法保证臭氧发生器产生臭氧的准确度。
技术实现思路
1、本申请的目的在于,针对上述现有技术中的不足,提供一种臭氧发生器的控制装置、半导体气相沉积设备及控制方法,以便解决现有技术中存在的问题。
2、为实现上述目的,本申请实施例采用的技术方案如下:
3、第一方面,本申请实施例提供了一种臭氧发生器的控制装置,包括:控制单元、检测单元以及比较单元;
4、所述比较单元的第一输入端用于接收输入的预设输入气体的参数,所述比较单元的输出端通过所述控制单元连接待控制的臭氧发生器的控制端;所述检测单元设置在所述臭氧发生器的气体输出口的预设检测位置,所述检测单元还连接所述比较单元的第二输入端。
5、在一实施例中,所述比较单元为比较器,所述比较单元的第一输入端为所述比较器的同相输入端,所述比较单元的第二输入端连接所述比较器的反相输入端。
6、在一实施例中,所述检测单元包括:至少一种类型的气体检测传感器;
7、所述至少一种类型的气体检测传感器分别设置在所述气体输出口的预设检测位置。
8、在一实施例中,所述至少一种类型的气体检测传感器包括:气体浓度传感器、气体流量传感器、气体压力传感器中的至少一种传感器。
9、第二方面,本申请实施例还提供了一种半导体气相沉积设备,包括:处理器、上述实施例所述的控制装置,以及臭氧发生器;
10、所述处理器连接所述控制装置中比较单元的第一输入端,所述控制装置中的控制单元连接待所述臭氧发生器的控制端,所述控制装置中的检测单元设置在所述臭氧发生器的气体输出口的预设检测位置。
11、第三方面,本申请实施例还提供了一种臭氧发生器的控制方法,应用于上述实施例所述的臭氧发生器的控制单元,所述方法包括:
12、控制臭氧发生器的反应腔停止工作;
13、根据预设输入气体的第一预设流量参数,控制所述臭氧发生器的气体输入口的流量开度,以使得具有所述第一预设流量参数的所述预设输入气体流通进入所述反应腔;
14、获取检测单元采集的所述臭氧发生器的气体输出口的第一臭氧气体参数;
15、若所述第一臭氧气体参数大于或等于预设参数阈值,则控制所述臭氧发生器的反应腔的放电参数减小至预设值。
16、在一实施例中,所述方法还包括:
17、若所述第一臭氧气体参数小于所述预设参数阈值,控制所述臭氧发生器的反应腔重新开始工作;
18、根据所述预设输入气体的第二预设流量参数,控制所述臭氧发生器的气体输入口的流量开度,以使得具有所述第二预设流量参数的所述预设输入气体流通进入所述反应腔。
19、在一实施例中,所述根据所述预设输入气体的第二预设流量参数,控制所述臭氧发生器的气体输入口的流量开度之后,所述方法还包括:
20、获取所述检测单元采集的所述臭氧发生器的气体输出口的第二臭氧气体参数;
21、根据所述第二臭氧气体参数以及预设目标输出气体参数,控制所述臭氧发生器。
22、在一实施例中,所述获取检测单元采集的所述臭氧发生器的气体输出口的第一臭氧气体参数之前,所述方法还包括:
23、获取具有所述第一预设流量参数的所述预设输入气体流通进入所述反应腔的时长;
24、所述获取检测单元采集的所述臭氧发生器的气体输出口的第一臭氧气体参数,包括:
25、若所述时长大于预设时长,则获取所述检测单元采集的所述臭氧发生器的气体输出口的所述第一臭氧气体参数。
26、在一实施例中,所述控制臭氧发生器的反应腔停止工作,包括:
27、根据预设周期,控制所述臭氧发生器的反应腔停止工作。
28、本申请的有益效果是:本申请提供了一种臭氧发生器的控制装置、半导体气相沉积设备及控制方法,该臭氧发生器的控制装置包括:控制单元、检测单元以及比较单元,比较单元的第一输入端用于接收输入的预设输入气体的参数,比较单元的输出端通过控制单元连接待控制的臭氧发生器的控制端;检测单元设置在臭氧发生器的气体输出口的预设检测位置,检测单元还连接比较单元的第二输入端。采用本申请的控制装置,检测单元可以对臭氧发生器产生的臭氧气体的浓度进行检测,并将检测到的臭氧气体浓度发送至比较单元,比较单元可以将接收到的臭氧气体浓度与预设参数阈值进行比较,实现了对臭氧发生器的零飘检测,比较单元可将比较结果发送至控制单元,控制单元可以根据比较结果对臭氧发生器进行控制,实现了对臭氧发生器的零飘校准。
1.一种臭氧发生器的控制装置,其特征在于,包括:控制单元、检测单元以及比较单元;
2.根据权利要求1所述的控制装置,其特征在于,所述比较单元为比较器,所述比较单元的第一输入端为所述比较器的同相输入端,所述比较单元的第二输入端连接所述比较器的反相输入端。
3.根据权利要求1所述的控制装置,其特征在于,所述检测单元包括:至少一种类型的气体检测传感器;
4.根据权利要求3所述的控制装置,其特征在于,所述至少一种类型的气体检测传感器包括:气体浓度传感器、气体流量传感器、气体压力传感器中的至少一种传感器。
5.一种半导体气相沉积设备,其特征在于,包括:处理器、权利要求1至4任一项所述的控制装置,以及臭氧发生器;
6.一种臭氧发生器的控制方法,其特征在于,应用于上述权利要求1-4中任一项所述的臭氧发生器的控制单元,所述方法包括:
7.根据权利要求6所述的控制方法,其特征在于,所述方法还包括:
8.根据权利要求7所述的控制方法,其特征在于,所述根据所述预设输入气体的第二预设流量参数,控制所述臭氧发生器的气体输入口的流量开度之后,所述方法还包括:
9.根据权利要求6所述的控制方法,其特征在于,所述获取检测单元采集的所述臭氧发生器的气体输出口的第一臭氧气体参数之前,所述方法还包括:
10.根据权利要求6所述的控制方法,其特征在于,所述控制臭氧发生器的反应腔停止工作,包括: