半导体温控设备控制方法及装置与流程

本申请涉及温度控制，尤其涉及半导体温控设备控制方法及装置。

背景技术：

1、半导体专用温控设备在集成电路制造工艺过程中要求保持恒定的温度输出，同时对于温控精度要求较高。半导体专用温控设备的负载状态通常有空载、恒定负载和变化负载等多种状态，而相关技术中的半导体温控设备在不同的负载状态下，难以在保证温控精度的同时，降低设备的能耗水平。

技术实现思路

1、本申请旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种半导体温控设备控制方法及装置，降低了空载和恒定负载状态时的设备能耗，保证了变化负载状态时的温控精度，实现了在保证温控精度的同时，降低了设备的能耗水平。

2、根据本申请第一方面实施例的半导体温控设备控制方法，包括：

3、获取半导体温控设备的负载信息；

4、若确定所述半导体温控设备的负载为空载或恒定负载，则控制所述半导体温控设备的制冷系统的制冷量为第一预设值，控制所述半导体温控设备的加热系统的加热量为第二预设值；

5、若确定所述半导体温控设备的负载为变化负载，则控制所述制冷系统的制冷量为第三预设值，控制所述加热系统的加热量为第四预设值；

6、其中，所述第三预设值大于所述第一预设值，所述第四预设值大于所述第二预设值。

7、根据本申请的一个实施例，所述获取半导体温控设备的负载信息，包括：

8、获取所述半导体温控设备的回口温度变化率和所述加热系统的出口温度变化率；

9、基于所述回口温度变化率和所述加热系统的出口温度变化率，确定所述半导体温控设备的负载信息。

10、根据本申请的一个实施例，所述基于所述回口温度变化率和所述加热系统的出口温度变化率，确定所述半导体温控设备的负载信息，包括：

11、确定在第一预设时长内，所述回口温度变化率和所述加热系统的出口温度变化率均小于或等于第一阈值；

12、确定所述半导体温控设备的负载为空载或恒定负载。

13、根据本申请的一个实施例，所述基于所述回口温度变化率和所述加热系统的出口温度变化率，确定所述半导体温控设备的负载信息，包括：

14、确定在第二预设时长内，所述回口温度变化率和所述加热系统的出口温度变化率均大于第一阈值；

15、确定所述半导体温控设备的负载为变化负载。

16、根据本申请的一个实施例，所述基于所述回口温度变化率和所述加热系统的出口温度变化率，确定所述半导体温控设备的负载信息，包括：

17、获取所述加热系统的出口温度t1，获取所述半导体温控设备的回口温度t2,；

18、确定在第二预设时长内，t2-t1>第二阈值，所述回口温度变化率和所述加热系统的出口温度变化率均大于第一阈值；

19、确定所述半导体温控设备的负载为变化负载。

20、根据本申请的一个实施例，所述获取半导体温控设备的负载信息之前，包括：

21、获取所述加热系统的出口目标温度；

22、确定所述出口目标温度未发生改变。

23、根据本申请的一个实施例，所述半导体温控设备控制方法，包括：

24、若确定所述半导体温控设备的负载为空载或恒定负载，则控制tx为第五预设值；

25、若确定所述半导体温控设备的负载为变化负载，则控制tx为第六预设值；

26、其中，所述第六预设值大于第五预设值，所述半导体温控设备的制冷系统的出口目标温度为tb，所述半导体温控设备的加热系统的出口目标温度为ta，tb＝ta-tx。

27、根据本申请的一个实施例，所述控制tx为第五预设值，包括：

28、判断tx是否等于所述第五预设值；

29、若tx等于所述第五预设值，则控制tx不变；

30、若tx与所述第五预设值不相等，则在第三预设时长内，将tx逐渐调整为所述第六预设值。

31、根据本申请的一个实施例，所述控制tx为第六预设值，包括：

32、判断tx是否等于所述第六预设值；

33、若tx等于所述第六预设值，则控制tx不变；

34、若tx与所述第六预设值不相等，则在第四预设时长内，将tx逐渐调整为所述第五预设值。

35、根据本申请第二方面实施例的半导体温控设备控制装置，包括：

36、获取模块，用于获取半导体温控设备的负载信息；

37、第一控制模块，用于在确定所述半导体温控设备的负载为空载或恒定负载时，控制所述半导体温控设备的制冷系统的制冷量为第一预设值，控制所述半导体温控设备的加热系统的加热量为第二预设值；

38、第二控制模块，用于在确定所述半导体温控设备的负载为变化负载时，控制所述制冷系统的制冷量为第三预设值，控制所述加热系统的加热量为第四预设值；

39、其中，所述第三预设值大于所述第一预设值，所述第四预设值大于所述第二预设值。

40、根据本申请实施例的半导体温控设备控制方法及装置，先获取半导体温控设备的负载信息，当确定半导体温控设备的负载为空载或恒定负载时，则控制半导体温控设备的制冷量和加热量分别处于较低的第一预设值和第二预设值，当确定半导体温控设备的负载为变化负载时，则控制半导体温控设备的制冷量和加热量分别处于较高的第三预设值和第四预设值。进而本申请实现了根据负载状态控制调节半导体温控设备的制冷量和加热量，使得半导体温控设备在空载和恒定负载时的制冷量和加热量处于刚好满足要求的水平，避免设备内部能量浪费过多，提高半导体温控设备在变化负载时的制冷量和加热量，保证了半导体温控设备在变化负载时的温控精度。即本申请降低了空载和恒定负载状态时的设备能耗，保证了变化负载状态时的温控精度，实现了在保证温控精度的同时，降低了设备的能耗水平。

41、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

技术特征：

1.一种半导体温控设备控制方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体温控设备控制方法，其特征在于，所述获取半导体温控设备的负载信息，包括：

3.根据权利要求2所述的半导体温控设备控制方法，其特征在于，所述基于所述回口温度变化率和所述加热系统的出口温度变化率，确定所述半导体温控设备的负载信息，包括：

4.根据权利要求2所述的半导体温控设备控制方法，其特征在于，所述基于所述回口温度变化率和所述加热系统的出口温度变化率，确定所述半导体温控设备的负载信息，包括：

5.根据权利要求2所述的半导体温控设备控制方法，其特征在于，所述基于所述回口温度变化率和所述加热系统的出口温度变化率，确定所述半导体温控设备的负载信息，包括：

6.根据权利要求1所述的半导体温控设备控制方法，其特征在于，所述获取半导体温控设备的负载信息之前，包括：

7.根据权利要求1至6任意一项所述的半导体温控设备控制方法，其特征在于，所述半导体温控设备控制方法，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体温控设备控制方法，其特征在于，所述控制tx为第五预设值，包括：

9.根据权利要求7所述的半导体温控设备控制方法，其特征在于，所述控制tx为第六预设值，包括：

10.一种半导体温控设备控制装置，其特征在于，包括：

技术总结
本申请涉及温度控制技术领域，提供一种半导体温控设备控制方法及装置。该方法包括：获取半导体温控设备的负载信息；若确定半导体温控设备的负载为空载或恒定负载，则控制半导体温控设备的制冷系统的制冷量为第一预设值，控制半导体温控设备的加热系统的加热量为第二预设值；若确定半导体温控设备的负载为变化负载，则控制制冷系统的制冷量为第三预设值，控制加热系统的加热量为第四预设值；其中，第三预设值大于第一预设值，第四预设值大于第二预设值。根据本申请实施例的半导体温控设备控制方法，降低了空载和恒定负载状态时的设备能耗，保证了变化负载状态时的温控精度，实现了在保证温控精度的同时，降低了设备的能耗水平。

技术研发人员：常鑫,曹小康,芮守祯,何茂栋,董春辉,冯涛,李文博,张伟
受保护的技术使用者：北京京仪自动化装备技术股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15