一种抑制电压下冲的低压差线性稳压器电路的制作方法

本发明涉及低压差线性稳压器电路设计，尤其涉及一种抑制电压下冲的低压差线性稳压器电路。

背景技术：

1、目前，低压差线性稳压器ldo被广泛应用于电源管理电路中，是电子设备或具有电源管理功能的芯片中不可或缺的一部分。ldo设计中比较困难的挑战之一是瞬态响应的问题，在芯片工作过程中，可能会有瞬间的工作大电流产生，这种瞬间大电流会使ldo输出产生下冲问题。

2、现有技术主要是依靠ldo驱动管调节提供所需输出的电流，当瞬间工作大电流产生时，需要调整管的栅极电压迅速下降，以满足所需负载电流，但是由于调整管栅极电压无法迅速响应，会使得ldo输出电压产生下冲现象，而当ldo电压下降到一定程度时，可能会导致整个芯片不能正常工作，因此如何有效缓解电压下冲是一个亟需解决的问题。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种抑制电压下冲的低压差线性稳压器电路，该电路针对现有电路结构所存在的电压下冲问题，通过加速调整管栅压放电，从而有效缓解电压下冲，提高低压差线性稳压器ldo的性能。

2、本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

3、一种抑制电压下冲的低压差线性稳压器电路，所述电路包括15个mosfet晶体管，分别命名为m1～m15；一个放电三极管,命名为n1；两个电阻，命名为r1和r2，其中：

4、晶体管m1的栅极接电流偏置电压，源极接电源，漏极接晶体管m2和m3源极，衬底接电源；

5、晶体管m2的栅极接电阻r1和r2的反馈电压，源极接m1漏极，漏极接晶体管m4和m5的栅极，衬底接电源；

6、晶体管m3的栅极接输入电压vin，源极接晶体管m1漏极，漏极接晶体管m5漏极，衬底接地；

7、晶体管m4的栅极和漏极接晶体管m2漏极，源极和衬底接地；

8、晶体管m5的栅极接晶体管m2漏极和晶体管m4栅极，漏极接晶体管m3漏极，衬底和源极接地；

9、晶体管m6的栅极接电流偏置电压，源极接电源，漏极接晶体管m7和m8漏极，衬底接电源；

10、晶体管m7的栅极接晶体管m3和m5漏极，漏极接晶体管m6漏极，源极和衬底接地；

11、晶体管m8的栅极和漏极接晶体管m6漏极，源极和衬底接地；

12、晶体管m9的栅极和漏极接晶体管m10漏极，源极和衬底接电源；

13、晶体管m10的栅极接晶体管m3和m5漏极，漏极接晶体管m9漏极和栅极，源极和衬底接地；

14、晶体管m11的栅极接晶体管m9栅极，源极和衬底接电源，漏极接晶体管m12漏极；

15、晶体管m12的栅极接晶体管m6和m8漏极，漏极接晶体管m11漏极，源极和衬底接地；

16、晶体管m13的栅极接晶体管m11和m12漏极，源极和衬底接电源，漏极接输出电压vout；

17、晶体管m14的栅极接输出电压vout，源极接晶体管m13漏极，漏极接晶体管m15漏极，衬底接电源；

18、晶体管m15的栅极接电流偏置电压，漏极接晶体管m14漏极，源极和衬底接地；

19、放电三极管n1的n端接晶体管m13栅极，p端接晶体管m14和m15漏极，另一个n端接晶体管m6和m8漏极；

20、电阻r1的一端接输出电压vout，另一端接电阻r2；电阻r2的一端接输出电压vout，另一端接电阻r1；

21、m1～m5这五个晶体管组成运放电路，m1为电流偏置管，用于提供正常工作时所需要的工作电流；m2和m3是输入管，m2为输入负极，m3为输入正极；m4和m5为负载管；

22、晶体管m6～m8组成跨导增强电路gmboost，m6提供跨导增强电路所需工作电流；m7和m8为电流调整管,分别为m10和m12提供偏置电流；

23、晶体管m9～m12组成classab结构，m9和m10为电流偏置管，用于为m11提供偏置电流；m11和m12负责调节vp点电压，该vp点电压为晶体管m13的栅极电压，用于动态调整输出电流；其中，所述classab结构为甲乙类放大器，同时驱动m11和m12来稳定输出电压；

24、晶体管m13和电阻r1、r2组成电流调整电路和反馈电阻网；其中，晶体管m13为输出功率管，负责调整输出电流；电阻r1和r2通过分压得到反馈电压，接入系统负极输入；

25、晶体管m14、m15和放电三极管n1组成放电电路，晶体管m14作为电流监测管，时刻监测电流变化；晶体管m15作为电流偏置管，用于提供固定电流，当输出电压vout过低时，晶体管m14会导通，放电三极管n1会导通，迅速下拉晶体管m13的栅极电压，从而满足所需电流；

26、放电三极管n1用于加速电流泄放。

27、由上述本发明提供的技术方案可以看出，上述电路针对现有电路结构所存在的电压下冲问题，通过加速调整管栅压放电，从而有效缓解电压下冲，提高低压差线性稳压器ldo的性能。

技术特征：

1.一种抑制电压下冲的低压差线性稳压器电路，其特征在于，所述电路包括15个mosfet晶体管，分别命名为m1～m15；一个放电三极管,命名为n1；两个电阻，命名为r1和r2，其中：

2.根据权利要求1所述抑制电压下冲的低压差线性稳压器电路，其特征在于，基于所述电路结构：

技术总结
本发明公开了一种抑制电压下冲的低压差线性稳压器电路，包括15个MOSFET晶体管以及一个放电三极管，M1～M5这五个晶体管组成五管运放电路，M1为电流偏置管；M6～M8组成gmboost电路；M7和M8为电流调整管,分别为M10和M12提供偏置电流；M9～M12组成classAB结构；M13和电阻R1、R2组成电流调整电路和反馈电阻网；M14、M15和放电三极管N1组成放电电路，M14作为电流监测管；M15作为电流偏置管；放电三极管N1用于加速电流泄放。上述电路针对现有电路结构所存在的电压下冲问题，通过加速调整管栅压放电，从而有效缓解电压下冲，提高低压差线性稳压器LDO的性能。

技术研发人员：刘小涵,马建斌
受保护的技术使用者：豪威科技（北京）股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16