一种沉铜线除胶缸补水方法

文档序号:9564179阅读:1143来源:国知局
一种沉铜线除胶缸补水方法
【专利说明】
[0001]技术领域:
本发明属于印制线路板制造技术领域,具体涉及的是一种沉铜线除胶缸液位低的补水方法。
[0002]【背景技术】:
沉铜线是PCB板制造过程中的重要生产线,是对PCB板进行化学镀铜的过程,其主要是利用化学原理,在PCB板上通孔的孔壁内沉积一层均匀的导电层,使原本绝缘的孔壁具有导电性,便于后续板面电镀的顺利进行,从而实现PCB板层间的导通。为了得到高品质的镀铜效果,沉铜药水(即氯化铜溶液)的浓度以及温度必须得到较为严格的控制。另外,由于在钻孔时,制造PCB板的材料玻纤维树脂为热的不良导体,故所累积的热量常常使得孔壁温度瞬间高达200°C以上,由此部分树脂将在高温下熔融软化成为胶糊,并随着钻嘴的旋转而涂满孔壁,对其电气性能造成影响,故需要通过沉铜线除胶缸将残留胶渣去除,在沉铜前进行除胶渣工艺。
[0003]目前通过沉铜线除胶缸除胶渣普遍使用“膨胀+高锰酸钾”的化学除胶渣法,在对PCB进行除胶过程中需要保证除胶缸药水的温度控制在74-82°C范围之内,而除胶过程中由于存在药水损耗,因此会导致除胶缸中液面下降,从而影响除胶效果。而为了保证除胶缸药水的液面稳定,需要在除胶缸液位低时通过人工直接往缸里加水,一次性将液位补够。但是一次性加水过多会使除胶缸药水的浓度、温度降低严重,导致短时间内做板存在节点分离、孔壁分离等品质隐患。
[0004]
【发明内容】
:
为此,本发明的目的在于提供一种沉铜线除胶缸液位低的补水方法,以使除胶缸药水的浓度及温度在补水时稳定,保证PCB板制作的品质。
[0005]为实现上述目的,本发明主要采用如下技术方案:
一种沉铜线除胶缸补水方法,包括:
检测沉铜线除胶缸中除胶前的初始液面高度H。和当前液面高度H i,并计算出需要补水的液面高度Η^Η。-^以及需要的补水量L 0;
将需要补水的量L。分成多份,且每份补水量分别为L p L2、L3...Ln;
将除胶后的回收缸药水按照上述每份补水量依据时间间隔?ηΤρ?^...Τη抽出,并逐次补充至沉铜线除胶缸中,直至沉铜线除胶缸液面高度达到初始液面高度Η。。
[0006]优选地,所述每份补水量Lp L2、L3...同以及所述时间间隔T ^ T2、Τ3...1;相同。
[0007]优选地,所述每份补水量L1、L2、L3...Ln逐次增加以及所述时间间隔T..Tn逐次增加。
[0008]另外,本发明还提供了一种沉铜线除胶缸补水系统,包括:
一液面检测模块,用于检测沉铜线除胶缸的液面初始液面高度Η。和当前液面高度Η 11;一计算模块,用于计算需要补水的液面高度比=凡-氏、需要的补水量L。、每份补水量Q、L2、L3...LnW及每份补水量对应的补水时间间隔T n T2、T3...Tn; 一控制模块,用于根据上述每份补水量及补水时间间隔逐次向沉铜线除胶缸中补水。
[0009]优选地,该沉铜线除胶缸补水系统还包括有一用于控制补水时间间隔?\、T2、τ3...1;的时间继电器。
[0010]优选地,所述沉铜线除胶缸的最高液位处开一溢流口,该溢流口通过一管道与除胶后回收缸的回收口连通,且该溢流口所处水平位置高于所述除胶后回收缸的回收口。
[0011]本发明通过设置定量定时分次补水的方式,将回收缸中的药水对应补充到沉铜线除胶缸中,其有效避免了补充药水过程中沉铜线除胶缸中药水浓度和温度的变化,不但避免了药水的浪费,节约了物料,而且保证了产品的品质。
[0012]【具体实施方式】:
为阐述本发明的思想及目的,下面将结合具体实施例对本发明做进一步的说明。
[0013]本针对现有沉铜线除胶缸液位低,一次性添加药水导致除胶缸药水的浓度、温度降低严重,短时间内做板存在节点分离、孔壁分离等品质隐患问题。本实施例提出了一种改进的方案。
[0014]多层PCB板的制作过程为:开料一内层图形一内层蚀刻一压合一钻孔一沉铜(包含除胶渣工艺)一全板电镀一外层图形一图形电镀一外层蚀刻一阻焊一字符一表面处理一成型一终检一包装,其中,沉铜的作用为在孔内形成导电铜层,让层与层间线路相互导通,而孔壁在沉铜前必须进行除胶渣工艺。
[0015]本实施例提供的是一种定时定量逐次添加药水的方式,实现对沉铜线除胶缸液位低的补水,在补水过程中可使除胶缸药水的浓度及温度在补水时稳定,保证PCB板制作的品质Ο
[0016]其具体采用方式为:
首先检测沉铜线除胶缸中除胶前的初始液面高度Η。和当前液面高度H i,并计算出需要补水的液面高度Η^Η。-^以及需要的补水量L 0;
其次将需要补水的量L。分成多份,且每份补水量分别为L p L2、L3...Ln;
然后将除胶后的回收缸药水按照上述每份补水量依据时间间隔?ηΤρ?^...Τη抽出,并逐次补充至沉铜线除胶缸中,直至沉铜线除胶缸液面高度达到初始液面高度Η。。
[0017]本实施例中所述每份补水量Q、L2、L3...同以及所述时间间隔T n T2、Τ3...Τη相同。
[0018]在一些实施例中,为了保证添加药水的效果,避免温度和浓度波动较大,每份补水量Lp L2、L3...Ln逐次增加以及所述时间间隔T 0 T2、T3...Tn逐次增加。
[0019]与上述方法相对应的,本实施例还提供了一种沉铜线除胶缸补水系统,包括:
一液面检测模块,用于检测沉铜线除胶缸的液面初始液面高度Η。和当前液面高度Η 11; 一计算模块,用于计算需要补水的液面高度比=凡-氏、需要的补水量L。、每份补水量Q、
L2、L3...LnW及每份补水量对应的补水时间间隔T n T2、T3...Tn;
一控制模块,用于根据上述每份补水量及补水时间间隔逐次向沉铜线除胶缸中补水。
[0020]其中本系统还包括有一用于控制补水时间间隔?\、T2、T3...Tn的时间继电器以及一用于控制单次的补水时间的计时器。
[0021]本发明通告栗将除胶后回收缸药水抽至除胶缸来补充除胶缸液位,同时配以时间继电器控制按一定间隔时间(具体时间需现场测量、确定)补水一次,单次的补水时间(具体时间需现场测量、确定)用计时器控制,为了防止控制器失灵导致补水过多药水溢出缸外,在除胶缸最高液位处开一溢流口并通过管道连通至除胶后回收缸的回收口,且除胶缸开小口高度要高于除胶后回收缸的开口高度,这样一旦除胶缸中补水过多,多余的药水会自动溢流回除胶后回收缸中,从而既避免了除胶缸补水过多而流出缸外污染车间的问题,又减少了药水的浪费。
[0022]与现有技术相比,本发明采用除胶后回收缸药水进行少量、多次的对除胶缸补液位,既排除了节点分离、孔壁分离品质问题,同时节省除胶缸高锰酸钾的耗量。
[0023]以上是对本发明所提供的一种沉铜线除胶缸液位低的补水方法进行了详细的介绍,本文中应用了具体个例对本发明的结构原理及实施方式进行了阐述,以上实施例只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
【主权项】
1.一种沉铜线除胶缸补水方法,其特征在于,包括: 检测沉铜线除胶缸中除胶前的初始液面高度H。和当前液面高度H i,并计算出需要补水的液面高度Η^Η。-^以及需要的补水量L 0; 将需要补水的量L。分成多份,且每份补水量分别为L p L2、L3...Ln; 将除胶后的回收缸药水按照上述每份补水量依据时间间隔?ηΤρ?^...Τη抽出,并逐次补充至沉铜线除胶缸中,直至沉铜线除胶缸液面高度达到初始液面高度Η。。2.如权利要求1所述的沉铜线除胶缸补水方法,其特征在于,所述每份补水量LpL2、L3...同以及所述时间间隔T p T2、T3...Tn相同。3.如权利要求1所述的沉铜线除胶缸补水方法,其特征在于,所述每份补水量LpL2、L3...Ln逐次增加以及所述时间间隔T n T2、Τ3...Tn逐次增加。4.一种沉铜线除胶缸补水系统,其特征在于,包括: 一液面检测模块,用于检测沉铜线除胶缸的液面初始液面高度Η。和当前液面高度Η 11; 一计算模块,用于计算需要补水的液面高度比=凡-氏、需要的补水量L。、每份补水量Q、L2、L3...LnW及每份补水量对应的补水时间间隔T n T2、T3...Tn; 一控制模块,用于根据上述每份补水量及补水时间间隔逐次向沉铜线除胶缸中补水。5.如权利要求4所述的沉铜线除胶缸补水系统,其特征在于,还包括有一用于控制补水时间间隔?\、T2、T3...1;的时间继电器。6.如权利要求4所述的沉铜线除胶缸补水系统,其特征在于,所述沉铜线除胶缸的最高液位处开一溢流口,该溢流口通过一管道与除胶后回收缸的回收口连通,且该溢流口所处水平位置高于所述除胶后回收缸的回收口。
【专利摘要】本发明公开了一种沉铜线除胶缸补水方法,包括:检测沉铜线除胶缸中除胶前的初始液面高度H0和当前液面高度H1,并计算出需要补水的液面高度H2=H0-H1以及需要的补水量L0;将需要补水的量L0分成多份,且每份补水量分别为L1、L2、L3...Ln;将除胶后的回收缸药水按照上述每份补水量依据时间间隔T1、T2、T3...Tn抽出,并逐次补充至沉铜线除胶缸中,直至沉铜线除胶缸液面高度达到初始液面高度H0。本发明还提供了一种沉铜线除胶缸补水系统,其通过设置定量定时分次补水的方式,将回收缸中的药水对应补充到沉铜线除胶缸中,其有效避免了补充药水过程中沉铜线除胶缸中药水浓度和温度的变化,不但避免了药水的浪费,节约了物料,而且保证了产品的品质。
【IPC分类】G05D9/12
【公开号】CN105320162
【申请号】CN201510809701
【发明人】马锦涛
【申请人】深圳市深联电路有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年11月23日
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