一种低电压低静态电流ldo电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其是一种低电压低静态电流LDO电路。
【背景技术】
[0002]随着过去几十年里掌上智能终端快速发展，低压差的线性稳压器(LDO)因其具有低功耗、高的电压抑制比、体积小、电路设计简单等优点得到大量应用。
[0003]LDO大部分时间工作在低负载应用，因此，其在低负载情况下的静态电流消耗决定着电池的寿命。传统LDO采用分立结构的带隙基准电压源和误差放大器，不易实现低静态电流消耗，暂态输出特性不稳定性，带来较大的输出电压暂态变化，导致电池的寿命降低。
【实用新型内容】
[0004]针对上述现有技术中存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种结构简单、易实现低静态电流消耗，同时获得较好暂态输出电压性能的低电压低静态电流LDO电路。
[0005]为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案:
[0006]一种低电压低静态电流LDO电路，它包括第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管；
[0007]所述第一 MOS管的源极连接电源电压、栅极连接所述第二MOS管的栅极、漏极通过第二电阻连接所述第二三极管的集电极；
[0008]所述第二 MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第一 MOS管的栅极和第三MOS管的漏极；
[0009]所述第三MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第四MOS管的漏极、栅极连接所述第五MOS管的栅极；
[0010]所述第四MOS管的源极接地、栅极连接所述第六MOS管的漏极和第三三极管的集电极；
[0011]所述第五MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第六MOS管的漏极；
[0012]所述第六MOS管的源极连接电源电压、栅极连接所述第七MOS管的栅极和漏极；
[0013]所述第七MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第四三极管的集电极；
[0014]所述第八MOS管的源极连接电源电压、栅极连接所述第九MOS管的栅极和第七MOS管的漏极、漏极连接所述第九MOS管的漏极和第五MOS管的栅极；
[0015]所述第九MOS管的源极接地、栅极连接所述第四三极管的集电极；
[0016]所述第一三极管的集电极通过第三电阻分两支路，一支路连接所述第一 MOS管的漏极、另一支路依次通过第一电容和第四电阻接地，所述第一三极管的发射极接地；
[0017]所述第二三极管的基极连接所述第一三极管的基极和集电极、集电极连接所述第三三极管的基极、发射极通过第一电阻接地；
[0018]所述第三三极管的源极接地、集电极连接所述第四MOS管的栅极和第六MOS管的漏极；
[0019]所述第四三极管的发射极接地、基极连接所述第一三极管的基极和第二三极管的基极。
[0020]由于采用了上述方案，本实用新型与传统结构LDO相比，通过将带隙基准电压源与误差放大器合二为一获得精简结构的LDO电路，实现了低静态电流消耗，同时获得较好的暂态输出电压性能，大大降低最大暂态电压变化。
【附图说明】
[0021]图1是本实用新型实施例的电路结构图。
【具体实施方式】
[0022]以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
[0023]如图1所不，本实施例的一种低电压低静态电流LDO电路，它包括第一 MOS管Ml、第二 MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第一三极管Ql、第二三极管Q2、第三三极管Q3和第四三极管Q4。
[0024]第一 MOS管Ml的源极连接电源电压VDD、栅极连接第二 MOS管M2的栅极、漏极通过第二电阻R2连接第二三极管Q2的集电极。
[0025]第二 MOS管M2的源极连接电源电压VDD、漏极连接第一 MOS管Ml的栅极和第三MOS管M3的漏极。
[0026]第三MOS管的源极连接电源电压VDD、漏极连接第四MOS管M4的漏极、栅极连接第五MOS管M5的栅极。
[0027]第四MOS管M4的源极接地、栅极连接第六MOS管M6的漏极和第三三极管M3的集电极。
[0028]第五MOS管M5的源极连接电源电压VDD、漏极连接第六MOS管M6的漏极。
[0029]第六MOS管M6的源极连接电源电压VDD、栅极连接第七MOS管M7的栅极和漏极。
[0030]第七MOS管M7的源极接电源电压VDD、漏极连接第四三极管Q4的集电极。
[0031]第八MOS管M8的源极连接电源电压VDD、栅极连接第九MOS管M9的栅极和第七MOS管M7的漏极、漏极连接第九MOS管M9的漏极和第五MOS管M5的栅极。
[0032]第九MOS管M9的源极接地、栅极连接第四三极管Q4的集电极。
[0033]第一三极管Ql的集电极通过第三电阻R3分两支路，一支路连接第一 MOS管Ml的漏极、另一支路依次通过第一电容Cl和第四电阻R4接地，第一三极管Ql的发射极接地。
[0034]第二三极管Q2的基极连接第一三极管Ql的基极和集电极、集电极连接第三三极管Q3的基极、发射极通过第一电阻Rl接地。
[0035]第三三极管Q3的源极接地、集电极连接第四MOS管M4的栅极和第六MOS管M6的漏极。
[0036]第四三极管Q4的发射极接地、基极连接第一三极管Ql的基极和第二三极管Q2的基极。
[0037]其中，第一电容Cl为输出负载补偿电容，第一 MOS管M1、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一电阻Rl至第四电阻R4和第一电容Cl构成LDO的输出级，是一个共源极电路，为了获取好的暂态输出特性以及环路稳定，输出补偿电容取5uF。
[0038]第一三极管Ql，第二三极管Q2，第三三极管Q3和第一电阻Rl，第二电阻R2，第三电阻R3构成带隙基准电路，第三三极管Q3和第六MOS管M6构成一个共集电极的电路，为环路提供尚增益。
[0039]第二 MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4构成缓冲级，不仅获得低的输出阻抗，同时能使整个闭环电路构成一个负反馈；第三MOS管M3的作用是在低负载电流的情况是为第四MOS管M4提供一些偏置电流，提高带隙基准电压的精确度。
[0040]第四三极管Q4和第七MOS管M7构成偏置电路，通过偏置电路使得第一三极管Ql和第三三极管Q3有相等的集电极电流?’第五MOS管M5、第八MOS管M8和第九MOS管M9构成LDO的启动电路，在刚有电压输入情况下，第八MOS管M8和第九MOS管M9构成一个反相器，输出一个低电压信号，使第五MOS管M5导通来启动整个电路。
[0041]本实施例通过将带隙基准电压源与误差放大器合二为一成精简的LD0，实现了低静态电流消耗，同时获得较好的暂态输出电压性能，大大降低了暂态电压变化，延长了电池的使用寿命。
[0042]以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种低电压低静态电流LDO电路，其特征在于:它包括第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管； 所述第一 MOS管的源极连接电源电压、栅极连接所述第二MOS管的栅极、漏极通过第二电阻连接所述第二三极管的集电极； 所述第二 MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第一 MOS管的栅极和第三MOS管的漏极； 所述第三MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第四MOS管的漏极、栅极连接所述第五MOS管的栅极； 所述第四MOS管的源极接地、栅极连接所述第六MOS管的漏极和第三三极管的集电极； 所述第五MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第六MOS管的漏极； 所述第六MOS管的源极连接电源电压、栅极连接所述第七MOS管的栅极和漏极； 所述第七MOS管的源极连接电源电压、漏极连接所述第四三极管的集电极； 所述第八MOS管的源极连接电源电压、栅极连接所述第九MOS管的栅极和第七MOS管的漏极、漏极连接所述第九MOS管的漏极和第五MOS管的栅极； 所述第九MOS管的源极接地、栅极连接所述第四三极管的集电极； 所述第一三极管的集电极通过第三电阻分两支路，一支路连接所述第一 MOS管的漏极、另一支路依次通过第一电容和第四电阻接地，所述第一三极管的发射极接地； 所述第二三极管的基极连接所述第一三极管的基极和集电极、集电极连接所述第三三极管的基极、发射极通过第一电阻接地； 所述第三三极管的源极接地、集电极连接所述第四MOS管的栅极和第六MOS管的漏极； 所述第四三极管的发射极接地、基极连接所述第一三极管的基极和第二三极管的基极。
【专利摘要】本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其是一种低电压低静态电流LDO电路。它包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管；其中，第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻和第三电阻构成带隙基准电路，第四三极管和第七MOS管构成偏置电路，第五MOS管、第八MOS管和第九MOS管构成启动电路，第八MOS管和第九MOS管构成反相器。本实用新型与传统结构LDO相比，通过将带隙基准电压源与误差放大器合二为一获得精简结构的LDO电路，实现了低静态电流消耗，同时获得较好的暂态输出电压性能，大大降低最大暂态电压变化，延长了电池的使用寿命。
【IPC分类】G05F1-56
【公开号】CN204613799
【申请号】CN201520215114
【发明人】樊利平, 陈泽尘
【申请人】安庆富士电梯有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年4月11日