专利名称：高感度电容式触控组件及其制程的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电容式触控组件，具体地说，是一种提高感度的电容式触控组件。
背景技术：
电容式触控技术的运作原理，是通过对象(例如手指或其它导体)接触电容式触 控组件造成触点处的感应层(touch sensor)的电容值变化，经由控制器定位出所述触点的 位置。由于触控组件的感应层系由导体制成，因此通常在感应层上覆盖绝缘材质当作保护 层(cover)保护所述感应层。保护层的材质通常选用塑料、玻璃、树脂、等强韧物。
图1是手指接触电容式触控组件的示意图，电容式触控组件10是由感应层12及 其上方覆盖的保护层14组成。感应层12是导体，因此其与地端GND之间存有基本电容CB_。 保护层14是绝缘体，当手指16碰触保护层14时，由于人体属于导体且具有等同于接地的 电位，因此感应层12与手指16之间将出现另一电容CPMSS。在此情况下，感应层12可视为 电容Cpress的上电极板，手指16可视为电容Cpmss的下电极板且接地，中间的保护层14为电 容Cpmss的介电层。所以在手指16碰触保护层14时，电容Cpmss系与感应层12的基本电容 CBase并联，造成整体的电容值增加。图2是控制器对图1的触控组件10充放电产生的电压波形图。假设以定电流I 在一定的时间周期τ对触控组件10进行充、放电，当手指16未接触触控组件10时，产生的 电压信号是波形18 ；当手指16接触触控组件10时，总电容值增加，产生的电压信号变成波 形20。电压信号经过低通滤波器后取得其直流位准，假设波形18的直流位准22为V，波形 20的直流位准24为V-Δ V。由于定电流I与充放电时间T固定，所以不管手指16有无接 触触控组件10，其总电荷Q是相同的，因此
权利要求
一种高感度电容式触控组件，其特征在于包含一感应层；一高介电材料膜，设置在所述感应层上；以及一保护层，设置在所述高介电材料膜上。
2.如权利要求1所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述高介电材料膜具有 透光性。
3.如权利要求1所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述高介电材料膜包括二氧化钛。
4.如权利要求1所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述高介电材料膜具有 非透光性。
5.如权利要求1所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述保护层具有透光性。
6.如权利要求1所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述保护层具有非透光性。
7.如权利要求1所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述感应层具有透光性。
8.如权利要求1所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述感应层具有非透光性。
9.一种高感度电容式触控组件，其特征在于包含一感应层；一保护层，设置在所述感应层上；以及 一高介电材料膜，设置在所述保护层上。
10.如权利要求9所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述高介电材料膜具有 透光性。
11.如权利要求9所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述高介电材料膜包括二氧化钛。
12.如权利要求9所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述高介电材料膜具有 非透光性。
13.如权利要求9所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述保护层具有透光性。
14.如权利要求9所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述保护层具有非透光性。
15.如权利要求9所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述感应层具有透光性。
16.如权利要求9所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述感应层具有非透光性。
17.—种高感度电容式触控组件，包含一感应层；一第一高介电材料膜，设置在所述感应层上； 一保护层，设置在所述第一高介电材料膜上；以及 一第二高介电材料膜，设置在所述保护层上。
18.如权利要求17所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述高介电材料膜具 有透光性。
19.如权利要求17所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述高介电材料膜包 括二氧化钛。
20.如权利要求17所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述高介电材料膜具 有非透光性。
21.如权利要求17所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述保护层具有透光性。
22.如权利要求17所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述保护层具有非透 光性。
23.如权利要求17所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述感应层具有透光性。
24.如权利要求17所述的高感度电容式触控组件，其特征在于，所述感应层具有非透 光性。
25.—种高感度电容式触控组件的制程，其特征在于包含以下步骤(a)准备一感应层及一保护层；(b)形成一高介电材料膜于所述感应层上；以及(c)将所述保护层贴覆在所述高介电材料膜上。
26.如权利要求25所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含使用物理性沉积、化学 性沉积、涂布、化学置换、浸泡或喷洒而在所述感应层上镀上所述高介电材料膜。
27.如权利要求25所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含使用二氧化钛形成所述 高介电材料膜。
28.如权利要求25所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含在真空环境下形成所述 高介电材料膜。
29.如权利要求25所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含于在非真空环境下形成 所述高介电材料膜。
30.如权利要求25所述的制程，其特征在于，更包含对所述高介电材料膜施行热处理。
31.一种高感度电容式触控组件的制程，包含以下步骤(a)准备一感应层及一保护层；(b)形成一高介电材料膜在所述保护层上；以及(c)将所述高介电材料膜贴覆在所述高介电材料膜上。
32.如权利要求31所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含使用物理性沉积、化学 性沉积、涂布、化学置换、浸泡或喷洒而在所述感应层上镀上所述高介电材料膜。
33.如权利要求31所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含使用二氧化钛形成所述 高介电材料膜。
34.如权利要求31所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含在真空环境下形成所述 高介电材料膜。
35.如权利要求31所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含于在非真空环境下形成 所述高介电材料膜。
36.如权利要求31所述的制程，其特征在于，更包含对所述高介电材料膜施行热处理。
37.一种高感度电容式触控组件的制程，其特征在于包含(a)准备一感应层及一保护层；(b)形成一高介电材料膜在所述保护层上；以及(c)将所述保护层贴覆在所述感应层上。
38.如权利要求37所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含使用物理性沉积、化学 性沉积、涂布、化学置换、浸泡或喷洒而在所述感应层上镀上所述高介电材料膜。
39.如权利要求37所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含使用二氧化钛形成所述 高介电材料膜。
40.如权利要求37所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含在真空环境下形成所述 高介电材料膜。
41.如权利要求37所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含于在非真空环境下形成 所述高介电材料膜。
42.如权利要求37所述的制程，其特征在于，更包含对所述高介电材料膜施行热处理。
43.一种高感度电容式触控组件的制程，其特征在于包含(a)准备一感应层及一保护层；(b)将所述保护层贴覆在所述感应层上；以及(c)形成一高介电材料膜在所述保护层上。
44.如权利要求43所述的制程，其特征在于，所述(c)步骤包含使用物理性沉积、化学 性沉积、涂布、化学置换、浸泡或喷洒而在所述感应层上镀上所述高介电材料膜。
45.如权利要求43所述的制程，其特征在于，所述(c)步骤包含使用二氧化钛形成所述 高介电材料膜。
46.如权利要求43所述的制程，其特征在于，所述(c)步骤包含在真空环境下形成所述 高介电材料膜。
47.如权利要求43所述的制程，其特征在于，所述(c)步骤包含于在非真空环境下形成 所述高介电材料膜。
48.如权利要求43所述的制程，其特征在于，更包含对所述高介电材料膜施行热处理。
49.一种高感度电容式触控组件的制程，其特征在于包含(a)准备一感应层及一保护层；(b)形成两高介电材料膜在所述保护层的上、下两表面上；以及(c)将所述两高介电材料膜其中之一贴覆在所述感应层上。
50.如权利要求49所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含使用物理性沉积、化学 性沉积、涂布、化学置换、浸泡或喷洒而在所述感应层上镀上所述两高介电材料膜。
51.如权利要求49所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含使用二氧化钛形成所述 两高介电材料膜。
52.如权利要求49所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含在真空环境下形成所述 两高介电材料膜。
53.如权利要求49所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含于在非真空环境下形成 所述两高介电材料膜。
54.如权利要求49所述的制程，其特征在于，更包含对所述两高介电材料膜施行热处理。
55.一种高感度电容式触控组件的制程，包含(a)准备一感应层及一保护层；(b)形成一第一高介电材料膜在所述感应层上及一第二高介电材料膜在所述保护层 上；以及(c)将所述保护层贴覆在所述第一高介电材料膜上。
56.如权利要求55所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含使用物理性沉积、化 学性沉积、涂布、化学置换、浸泡或喷洒而在所述感应层上镀上所述第一及第二高介电材料膜。
57.如权利要求55所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含使用二氧化钛形成所述 第一及第二高介电材料膜。
58.如权利要求55所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含在真空环境下形成所述 第一及第二高介电材料膜。
59.如权利要求55所述的制程，其特征在于，所述(b)步骤包含于在非真空环境下形成 所述第一及第二高介电材料膜。
60.如权利要求55所述的制程，其特征在于，更包含对所述第一及第二高介电材料膜 施行热处理。
全文摘要
一种高感度电容式触控组件，其特征在于包含一感应层；一高介电材料膜，设置在所述感应层上；以及一保护层，设置在所述高介电材料膜上。本发明的高感度电容式触控组件及其制程具有大幅提高感度的优点。
文档编号G06F3/044GK101989157SQ200910160599
公开日2011年3月23日 申请日期2009年8月3日 优先权日2009年8月3日
发明者叶仪晧, 叶奇典, 孙正义, 郑晃忠 申请人:义隆电子股份有限公司