专利名称：一种智能卡中的存储器的数据擦写方法及智能卡的制作方法
技术领域：
本发明涉及智能卡技术领域，尤其涉及一种智能卡中的存储器的数据擦写方法及智能卡。
背景技术：
近年来，随着对智能卡的运算速度、容量和接口速度要求的提高，以及利用智能卡为用户提供更丰富的业务服务，开发出了大容量智能卡。大容量智能卡相比普通智能卡，其中的CPU、RAM、EEPR0M、计数器、安全处理设备没有变化，外形、管脚的作用和位置也没有变化，区别为在原有的智能卡芯片外，增加了大容量的FLASH存储器，例如非易失性闪存NAND 闪存或非易失性闪存NOR闪存，用于存储代码和数据。NOR闪存和NAND闪存是目前两种主要的非易失性闪存。NOR闪存的特点是芯片内执行(XIP，execute In Place)，这样应用程序可以直接在闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR闪存的传输效率很高，在容量为1 4MB时具有很高的成本效益，但是较低的写入和擦除速度影响了它的性能。NAND闪存能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，应用NAND闪存的不足在于闪存的管理需要特殊的系统接口。NOR闪存和NAND闪存的共同特点是存储容量大，所以，目前大容量智能卡中主要使用NOR闪存或NAND闪存，多用在数码产品、SD卡、手机终端内的SIM卡等，有效的为以上设备提供了充足的存储容量，供各类程序、数据、文件等使用。目前，在智能卡使用时，对于智能卡与智能卡所在设备之间的机卡接口电压一般支持三个等级，分别为5V、3V和1. 8V,与三个电压等级对应的，对机卡接口的电流有一定的限制。以手机终端中使用SIM卡为例，在正常的操作条件下，限制手机终端与SIM卡的机卡接口所承受的电流不超过15mA，考虑到提供一些冗余度，最高不超过20mA，当机卡接口电流超过限制时，将导致手机终端出现异常情况，例如，会为防止异常攻击而强制关机。然而，对于大容量智能卡而言，由于对其中的大容量存储器进行数据擦写操作的特性，会导致机卡接口电流比普通智能卡大，以通过Update Binary指令向智能卡中的 NAND闪存写入11字节的随机数为例进行测试，结果为在对NAND闪存进行数据擦写的过程中，机卡接口的平均尖峰电流达到23mA，在未对NAND闪存进行数据擦写而运行其他程序时，机卡接口电流为6-10mA，在智能卡空闲时，机卡接口电流为2mA左右。从测试结果中可知，在对NAND闪存进行数据擦写操作时机卡接口电流超出了正常的电流范围，进而导致手机终端出现异常；并且，较大的电流也带来了更多手机终端的电池电量的消耗，减少了手机终端的待机时间。
发明内容
本发明实施例提供一种智能卡中的存储器的数据擦写方法及智能卡，用以减小对智能卡中的指定存储器进行数据擦写时机卡接口的电流，进而避免由于机卡接口的电流过高而出现异常情况。本发明实施例提供一种智能卡中的存储器的数据擦写方法，包括智能卡中的中央处理器CPU确定出将对所述智能卡中的指定存储器进行数据擦写操作时，将待写入数据缓存到所述指定存储器的随机存储缓存中；并在向所述指定存储器发送数据擦写信号后，控制自身进入待机休眠模式；所述数据擦写信号用于指示所述指定存储器通过从所述随机存储缓存中获取所述待写入数据进行数据擦写操作。本发明实施例还提供一种智能卡，包括CPU和存储器，其中所述CPU，用于确定出将对所述存储器进行数据擦写操作时，将待写入数据缓存到所述存储器的随机存储缓存中；并在向所述存储器发送数据擦写信号后，控制自身进入待机休眠模式；所述存储器，具体用于在接收到所述数据擦写信号后，通过从所述随机存储缓存中获取所述待写入数据进行数据擦写操作。本发明实施例提供的方法中，当确定出将要对智能卡中的指定存储器进行数据擦写操作时，先将待写入数据缓存到指定存储器的随机存储缓存中，并在向指定存储器发送数据擦写信号后，控制自身进入待机休眠模式；并且该数据擦写信号用于指示指定存储器通过从随机存储缓存中获取所述待写入数据进行数据擦写操作。由于指定存储器进行数据擦写操作时，CPU已进入待机休眠模式，即停止进行处理操作，所以，此时机卡接口的电流仅为指定存储器进行数据擦写操作所产生的电流，相比现有技术，减小了 CPU进行处理操作所产生的电流，也就减小了机卡接口的电流，进而避免了由于机卡接口的电流过高而出现异常情况；并且由于电流的减小，减少了电量的消耗，提高了智能卡所在设备的待机时间。
图1为本发明实施例提供的智能卡中的存储器的数据擦写方法的流程图；图2为本发明实施例1提供的智能卡中的存储器的数据擦写方法的流程图；图3为本发明实施例2提供的智能卡的结构示意图。
具体实施例方式为了给出减小对智能卡中的指定存储器进行数据擦写时机卡接口的电流，进而避免由于机卡接口的电流过高而出现异常情况的实现方案，本发明实施例提供了一种智能卡中的存储器的数据擦写方法及智能卡，以下结合说明书附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。 并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明实施例提供一种智能卡中的存储器的数据擦写方法，如图1所示，包括步骤S101、智能卡中的CPU确定将对智能卡中的指定存储器进行数据擦写操作时，将待写入数据缓存到指定存储器的随机存储缓存中。步骤S102、在向指定存储器发送数据擦写信号后，控制自身进入待机休眠模式； 该数据擦写信号用于指示指定存储器通过从随机存储缓存中获取待写入数据进行数据擦写操作。
上述方法，还可以包括CPU在指定存储器完成数据擦写操作后，控制自身从待机休眠模式进入正常工作模式。下面结合附图，用具体实施例对本发明提供的方法及装置进行详细描述。实施例1 本发明实施例1中以手机终端中使用的SIM卡为例，对SIM卡中的存储器的数据擦写操作流程进行详细描述，如图2所示，包括步骤S201、通过SIM卡中的I/O接口，SIM卡中的SIM芯片接收SIM卡所在终端发送的指令。步骤S202、SIM芯片中的CPU按照预先设定的处理策略，对接收的指令进行逻辑处理，确定出该指令所指示的操作。步骤S203、当该指令指示对SIM卡中的存储器进行数据擦写操作时，进入步骤 S204，否则，进入步骤S213。步骤S204、判断将要进行数据擦写操作的存储器是否为M级的大容量存储器，如果是，进入步骤S205，否则，为对SIM芯片中自带的K级NVM存储器进行数据擦写操作，进入步骤S210。本发明实施例中，对于大容量存储器，可以为NAND闪存，也可以为NOR闪存，为描述方便，将其统称为N芯片。步骤S205、SIM芯片中的CPU根据接收的该指令，获取到待写入数据，并将待写入数据缓存到N芯片的随机存储缓存RAM Buffer中，目的在于当后续CPU进入待机休眠模式后，N芯片可以通过从自身的RAM Buffer中获取待写入数据，不再需要CPU实时控制待写入数据传输给N芯片。步骤S206、SIM芯片发送数据擦写信号给N芯片，并控制CPU进入待机休眠模式。发送的数据擦写信号可以采用中断信号的方式进行发送。步骤S207、N芯片接收到SIM芯片发送的该数据擦写信号后，通过从自身的RAM Buffer中获取待写入数据进行数据擦写操作，具体可以包括N芯片擦除自身的对应区域所存储的数据，并从其自身的RAM Buffer中获取待写入数据，并将待写入数据写入对应区域中，即完成了数据擦写操作。在N芯片完成数据擦写操作的整个过程中，CPU 一直处于待机休眠模式。步骤S208、N芯片在完成数据擦写操作后，向SIM芯片发送恢复信号，该恢复信号用于指示CPU从待机休眠模式进入正常工作模式；同时N芯片停止工作。发送的恢复信号可以采用中断信号的方式进行发送。步骤S209、SIM芯片在接收到该恢复信号后，控制CPU从待机休眠模式进入正常工作模式。步骤S210、SIM芯片中的CPU设置与进行K级NVM存储器的数据擦写操作相关的 REG为写模式。步骤S211、CPU获取待写入数据，并将待写入数据循环写入SIM芯片中的K级NVM 存储器的对应区域中。步骤S212、在完成对SIM芯片中的K级NVM存储器的数据写入操作后，取消相关的REG的写模式。步骤S213、SIM芯片中的CPU根据执行接收的该指令所指示的操作的结果，组织响应数据存放到SIM芯片的RAM Buffer中。步骤S214、SIM芯片通过I/O接口发送指令响应，完成该指令的响应处理。本发明上述实施例1提供的方法中，对于SIM芯片和N芯片执行的操作，均可以通过SIM芯片的COS (Chip Operating System，片内操作系统)软件进行逻辑控制来实现。采用上述实施例1提供的处理流程，在对N芯片进行数据擦写操作时，CPU为待机休眠模式，停止了相关的处理操作，那么此时产生的电流仅为N芯片进行数据擦写操作所产生的电流，所以，相比现有技术，减小了机卡接口的电流，进而避免了由于机卡接口的电流过高而出现异常情况；同时减少了电量的消耗，提高了 SIM卡所在手机终端的待机时间。上述实施例1中是以智能卡为SIM，大容量存储器为NAND闪存或NOR闪存为例，对于其他包括了大容量存储器的智能卡，在对大容量存储器进行数据擦写操作时，均可以采用与实施例1中相似的处理方式，以减小机卡接口的电流。实施例2 基于同一发明构思，根据本发明上述实施例提供的智能卡中的存储器的数据擦写方法，相应地，本发明另一实施例还提供了一种智能卡，其结构示意图如图3所示，包括中央处理器CPU 301和存储器302，其中CPU 301，用于确定出将对存储器302进行数据擦写操作时，将待写入数据缓存到存储器302的随机存储缓存中；并在向存储器302发送数据擦写信号后，控制自身进入待机休眠模式；存储器302，具体用于在接收到数据擦写信号后，通过从自身的随机存储缓存中获取待写入数据进行数据擦写操作。较佳的，CPU 301，还用于在存储器302完成数据擦写操作后，控制自身从待机休眠模式进入正常工作模式。较佳的，存储器302，还用于在完成数据擦写操作后，向CPU 301发送恢复信号；CPU 301，具体用于按照接收的恢复信号的指示，控制自身从待机休眠模式进入正常工作模式。较佳的，CPU 301，具体用于采用中断信号的方式发送数据擦写信号；和/或存储器302，具体用于采用中断信号的方式发送恢复信号。较佳的，存储器302为NAND闪存或NOR闪存。综上所述，本发明实施例提供的方案，包括智能卡中的CPU确定将对智能卡中的指定存储器进行数据擦写操作时，将待写入数据缓存到指定存储器的随机存储缓存中；并在向指定存储器发送数据擦写信号后，控制自身进入待机休眠模式；该数据擦写信号用于指示指定存储器通过从随机存储缓存中获取待写入数据进行数据擦写操作。采用本发明实施例提供的方案，减小了对智能卡中的指定存储器进行数据擦写时机卡接口的电流，进而避免了由于机卡接口的电流过高而出现异常情况，同时减少了电量的消耗，提高了智能卡所在设备的待机时间。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
1.一种智能卡中的存储器的数据擦写方法，其特征在于，包括智能卡中的中央处理器CPU确定出将对所述智能卡中的指定存储器进行数据擦写操作时，将待写入数据缓存到所述指定存储器的随机存储缓存中；并在向所述指定存储器发送数据擦写信号后，控制自身进入待机休眠模式；所述数据擦写信号用于指示所述指定存储器通过从所述随机存储缓存中获取所述待写入数据进行数据擦写操作。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括所述CPU在所述指定存储器完成数据擦写操作后，控制自身从待机休眠模式进入正常工作模式。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述CPU在所述指定存储器完成数据擦写操作后，控制自身从待机休眠模式进入正常工作模式，具体包括所述CPU接收所述指定存储器在完成数据擦写操作后发送的恢复信号；并按照所述恢复信号的指示，控制自身从待机休眠模式进入正常工作模式。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述数据擦写信号和/或所述恢复信号采用中断信号方式。
5.如权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述指定存储器为非易失性闪存 NAND闪存或非易失性闪存NOR闪存。
6.一种智能卡，其特征在于，包括中央处理器CPU和存储器，其中所述CPU，用于确定出将对所述存储器进行数据擦写操作时，将待写入数据缓存到所述存储器的随机存储缓存中；并在向所述存储器发送数据擦写信号后，控制自身进入待机休眠模式；所述存储器，具体用于在接收到所述数据擦写信号后，通过从所述随机存储缓存中获取所述待写入数据进行数据擦写操作。
7.如权利要求6所述的智能卡，其特征在于，所述CPU，还用于在所述存储器完成数据擦写操作后，控制自身从待机休眠模式进入正常工作模式。
8.如权利要求7所述的智能卡，其特征在于，所述存储器，还用于在完成数据擦写操作后，向所述CPU发送恢复信号；所述CPU，具体用于按照接收的所述恢复信号的指示，控制自身从待机休眠模式进入正常工作模式。
9.如权利要求8所述的智能卡，其特征在于，所述CPU，具体用于采用中断信号的方式发送所述数据擦写信号；和/或所述存储器，具体用于采用中断信号的方式发送所述恢复信号。
10.如权利要求6-9任一所述的智能卡，其特征在于，所述存储器为非易失性闪存NAND 闪存或非易失性闪存NOR闪存。
全文摘要
本发明公开了一种智能卡中的存储器的数据擦写方法及智能卡，包括智能卡中的CPU确定将对智能卡中的指定存储器进行数据擦写操作时，将待写入数据缓存到指定存储器的随机存储缓存中；并在向指定存储器发送数据擦写信号后，控制自身进入待机休眠模式；该数据擦写信号用于指示指定存储器通过从随机存储缓存中获取待写入数据进行数据擦写操作。采用本发明实施例提供的方案，减小了对智能卡中的指定存储器进行数据擦写时机卡接口的电流，进而避免了由于机卡接口的电流过高而出现异常情况，同时减少了电量的消耗，提高了智能卡所在设备的待机时间。
文档编号G06F11/00GK102402464SQ20101028612
公开日2012年4月4日 申请日期2010年9月17日 优先权日2010年9月17日
发明者李琳 申请人:中国移动通信有限公司