专利名称：一种改善电容式触摸屏抗静电性能的方法
技术领域：
本发明涉及一种移动终端设备，特别是涉及一种改善电容式触摸屏抗静电性能的方法。
背景技术：
现有技术中，带有电容式触摸屏的电子设备，对应于提高电容式触摸屏的抗静电能力；电容式触摸屏目前单体的防静电能力可以达到15KV及以上，但是一旦装到电子设备中使用，特别是将电子设备带有电容式触摸屏的一面扣在桌面或者其他物体上，其防静电能力却成倍的下降。现有的电子设备在处理防静电中，均在电子设备中增加相应的防静电器件，如ESD (英文Electro-Static discharge的缩写，中文为静电释放)期间以达到相应的保护电子设备中电容式触摸屏的作用，但此举却为生产商带来了增加成本，特别是社会资源越来越短缺的情况下，如何降低物料成本，且能有效的改善电容式触摸屏抗静电能力，为本发明需要解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，能有效改善电容式触摸屏抗静电性能，且降低了成本。为了达到上述目的，本发明采用的技术方案是，一种改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，所述的电容式触摸屏设置于电子设备上，且电子设备设置有抗静电处理电路，所述的电路包括主芯片、及与主芯片相互连接的传感器和触摸屏控制IC模块，所述的方法步骤如下
步骤I、设置电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的最大偏移量XMAX ；
步骤2、传感器检测电容式触摸屏是否翻转，触摸屏向下；否，则循环检测；是，则执行步骤3 ;
步骤3、计算电容式触摸屏基准电容量中心值相对于正常值R的偏移量BIAS ；
步骤4、将XMAX与BIAS进行比较，若XMAX彡BIAS,则返回步骤3 ;若XMAX < BIAS,贝丨J执行步骤5 ；
步骤5、主芯片对触摸屏控制IC模块进行处理。进一步的，电子设备设置有一种或者多种能够检测电子设备电容式触摸屏方向的传感器。进一步的，所述的传感器为重力传感器。进一步的，电容中心值R为静止电容值，为电容式触摸屏连接触摸屏控制IC模块且同时上电后输出的相对电容量。进一步的，步骤I所述的电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的偏移量为电容屏相对静止电容值的变化量，当手指或者静电接触电容屏的时候，电容值发生相应的变化。进一步的，所述的电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的偏移量由触摸屏控制IC模块检测。进一步的，所述的最大偏移量XMAX为电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的最大偏移电容量，最大偏移量XMAX的设置由出厂时设定，并根据用户使用情况调整。进一步的，步骤2所述的传感器检测电容式触摸屏是否翻转通过重力传感器测量实现，重力传感器测量在电容式触摸屏翻转时由于重力引起的加速度，计算出电容式触摸屏相对于水平面的倾斜角度。进一步的，步骤5所述的主芯片对触摸屏控制IC模块进行处理包括通知电容屏控制IC模块进行处理包括电容式触摸屏IC降低电容式触摸屏灵敏度或者将电容式触摸屏IC断电。 进一步的，所述的电容式触摸屏IC降低电容式触摸屏灵敏度调整包括
读取电容式触摸屏静止电容值R ；
并将触摸电容式触摸屏时的电容值相对静止电容值R的最大偏移量XMAX调整为大于BIAS ；
则当XMAX > BIAS时，触摸屏灵敏度降低。进一步的，所述的电子设备为手机、MP3、MP4、电子书阅读器或掌上电脑等电容式触摸屏的设备。与现有技术相比，本发明的有益效果是在不添加相应的ESD器件的情况下，通过对电容式触摸屏的电容值进行检测判断，根据判断结果对电容式触摸屏IC降低电容式触摸屏灵敏度或者将电容式触摸屏IC断电，防止被静电损伤或者误触发导致的不良现象，降低了整机成本，提高了安全性能。
图I为本发明的抗静电处理电路；
图2为本发明的方法流程 图3为触摸屏翻转到桌面示意图。
具体实施例方式下面结合实施例参照附图进行详细说明，以便对本发明的技术特征及优点进行更深入的诠释。本发明的抗静电处理电路如图I所示，一种改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，所述的电容式触摸屏设置于电子设备上，且电子设备设置有抗静电处理电路，所述的电路包括主芯片、及与主芯片相互连接的传感器和触摸屏控制IC模块。主芯片的作用是整个电子设备的数据处理中心；传感器的作用是检测整机相对于水平方向所具有的偏转速度状态；触摸屏控制IC的作用是检测触摸屏上各个点的电容的变化量并将其转化为数字量；整个过程中，电容式触摸屏控制IC检测到触摸屏上电容的变化量并转化为数字量，传输给主芯片，然后进行相应的数据处理。本发明的方法流程图如图2所示，所述的方法步骤如下
步骤I、设置电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的最大偏移量XMAX ；
步骤2、传感器检测电容式触摸屏是否翻转，触摸屏向下；否，则循环检测；是，则执行步骤3 ;
步骤3、计算电容式触摸屏基准电容量中心值相对于正常值R的偏移量BIAS ；
步骤4、将XMAX与BIAS进行比较，若XMAX彡BIAS，则返回步骤3 ;若XMAX < BIAS，则执行步骤5 ；
步骤5、主芯片对触摸屏控制IC模块进行处理。 进一步的，电子设备设置有一种或者多种能够检测电子设备电容式触摸屏方向的传感器。进一步的，所述的传感器为重力传感器。进一步的，电容中心值R为静止电容值，为电容式触摸屏连接触摸屏控制IC模块且同时上电后输出的相对电容量。进一步的，步骤I所述的电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的偏移量为电容屏相对静止电容值的变化量，当手指或者静电接触电容屏的时候， 电容值发生相应的变化。进一步的，所述的电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的偏移量由触摸屏控制IC模块检测。进一步的，所述的最大偏移量XMAX为电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的最大偏移电容量，最大偏移量XMAX的设置由出厂时设定，并根据用户使用情况调整。则RiXMAX为电容式触摸屏的灵敏度阀值，当超过R+XMAX或R-XMAX的电容值，就认为触摸屏有动作或翻转。进一步的，步骤2所述的传感器检测电容式触摸屏是否翻转通过重力传感器测量实现，重力传感器测量在电容式触摸屏翻转时由于重力引起的加速度，计算出电容式触摸屏相对于水平面的倾斜角度。进一步的，步骤5所述的主芯片对触摸屏控制IC模块进行处理包括通知电容屏控制IC模块进行处理包括电容式触摸屏IC降低电容式触摸屏灵敏度或者将电容式触摸屏IC断电。进一步的，所述的电容式触摸屏IC降低电容式触摸屏灵敏度调整包括
读取电容式触摸屏静止电容值R ；
并将触摸电容式触摸屏时的电容值相对静止电容值R的最大偏移量XMAX调整为大于BIAS,此处的BIAS为多次实验获得的最大值，且XMAX调整为XMAX > BIAS ；
则当XMAX > BIAS时，触摸屏灵敏度降低。进一步的，所述的电子设备为手机、MP3、MP4、电子书阅读器或掌上电脑等电容式触摸屏的设备。假设手机的电容中心值R为8000，且阀值为8200，当触摸屏翻转靠近桌面时，电容式触摸屏的每个点就会因为生产的不一致静止电容就会在8000加减200的范围内变化，200为最大偏移量XMAX，只要手指触摸使电容量变化超过8200或者低于7800，就认为有动作；因为静电的原因，当检测判定为机器扣在桌面上时，现在设置XMAX为8400，即阀值设置为8400，静电打在屏上很容易使屏上的点超过8200，但是不容易超过8400。如图3所示，当带有电容式触摸屏及相应的检测方向的传感器的电子设备放在桌面或其他放置电子设备的物体，此时通过传感器检测电容式触摸屏是否翻转，通过重力传感器测量实现，重力传感器测量在电容式触摸屏翻转时由于重力引起的加速度，计算出电容式触摸屏相对于水平面的倾斜角度。当检测到用户的手持设备的电容式触摸屏面靠近桌面时，此时计算电容式触摸屏基准电容量中心值相对于正常值8000的偏移量BIAS ;只要手指触摸使电容量变化超过8200或者低于7800，就认为有动作；假设用户将阀值设置为8400，静电打在屏上很容易使屏上的点超过8200，但是不容易超过8400，则在接触桌面或物体时，不容易误判，安全可靠。改善了很多用户因为个人喜好，总爱把手机扣在桌子上，衣服产生静电，当衣服接触手机放电导致未触摸而拨出电话等问题。以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属领域技术人员来说，在不脱离本发 明构思的前提下，做出简单的更改或优化，都应当视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，所述的电容式触摸屏设置于电子设备上，且电子设备设置有抗静电处理电路，所述的电路包括主芯片、及与主芯片相互连接的传感器和触摸屏控制IC模块，其特征在于，所述的方法步骤如下 步骤I、设置电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的最大偏移量XMAX ； 步骤2、传感器检测电容式触摸屏是否翻转，触摸屏正面向下；否，则循环检测；是，则执行步骤3 ； 步骤3、计算电容式触摸屏基准电容量中心值相对于正常值R的偏移量BIAS ； 步骤4 JfXMAX与BIAS进行比较，若XMAX彡BIAS，则返回步骤3 ;gXMAX < BIAS，则执行步骤5 ； 步骤5、主芯片对触摸屏控制IC模块进行掉电或者提高XMAX值处理。
2.根据权利要求I所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于电子设备设置有一种或者多种能够检测电子设备电容式触摸屏方向的传感器。
3.根据权利要求2所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于所述的传感器为重力传感器。
4.根据权利要求I所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于电容中心值R为静止电容值，为电容式触摸屏连接触摸屏控制IC模块且同时上电后输出的相对电容量。
5.根据权利要求I所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于步骤I所述的电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的偏移量为电容屏相对静止电容值的变化量，当手指或者静电接触电容屏的时候，电容值发生相应的变化。
6. 根据权利要求5所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于所述的电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的偏移量由触摸屏控制IC模块检测。
7.根据权利要求6所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于所述的最大偏移量XMAX为电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的最大偏移电容量，最大偏移量XMAX的设置由出厂时设定，并根据具体实验情况调整。
8.根据权利要求I所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于步骤2所述的传感器检测电容式触摸屏是否翻转通过重力传感器测量实现，重力传感器测量在电容式触摸屏翻转时由于重力引起的加速度，计算出电容式触摸屏相对于水平面的倾斜角度。
9.根据权利要求I所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于，步骤5所述的主芯片对触摸屏控制IC模块进行处理包括通知电容屏控制IC模块进行处理包括电容式触摸屏IC降低电容式触摸屏灵敏度或者将电容式触摸屏IC断电。
10.根据权利要求9所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于，所述的电容式触摸屏IC降低电容式触摸屏灵敏度调整包括 读取电容式触摸屏静止电容值R ； 并将触摸电容式触摸屏时的电容值相对静止电容值R的最大偏移量XMAX调整为大于BIAS ； 则当XMAX > BIAS时，触摸屏灵敏度降低。
全文摘要
一种改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，所述的电容式触摸屏设置于电子设备上，所述的电路包括主芯片、及与主芯片相互连接的传感器和触摸屏控制IC模块，所述的方法步骤如下1、设置电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的最大偏移量XMAX；2、传感器检测电容式触摸屏是否翻转，触摸屏正面向下；否，则循环检测；是，则执行步骤3；3、计算电容式触摸屏基准电容量中心值相对于正常值R的偏移量BIAS；4、将XMAX与BIAS进行比较，若XMAX≥BIAS，则返回步骤3；若XMAX＜BIAS，则执行步骤5；5、主芯片对触摸屏控制IC模块进行断电或者提高XMAX值处理。本发明能有效改善电容式触摸屏抗静电性能，且降低了成本。
文档编号G06F3/044GK102830874SQ20121028386
公开日2012年12月19日 申请日期2012年8月10日 优先权日2012年8月10日
发明者袁幸伟 申请人:广东欧珀移动通信有限公司