专利名称：一种电容式触摸屏架桥结构制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及ー种电容式触摸屏架桥结构制作方法。
背景技术：
电容式触摸屏是现有技术中广泛使用的ー种触摸屏。电容式触摸屏的电路结构为架桥结构。以投影式电容式触摸屏为例，其架桥结构为在交叉点处互不导通的X、Y方向的电路。现有技术中，电容式触摸屏架桥结构的制作方法大致包括步骤a、在纳米铟锡金属氧化物(Indium Tin Oxides, I TO)上，制作出X方向的电路；b、在X、Y方向的电路的交
叉点处制作绝缘层；c、制作Y方向的电路；d、对电路制作保护层。对于步骤C，现有技术中，采用正性胶(光刻胶的ー种)对电路进行图案制作。现有技术中，用正性胶进行电路(金属)图案的制作的大致流程为在待刻蚀金属层表面涂正性胶；用具有镂空图案的铬板遮盖住正性胶涂层，并曝光；曝光时，由于具有镂空图案的铬板的遮挡，正性胶涂层的部分区域不会受到光的照射；这样，曝光的区域的正性胶见光溶解，未曝光的区域，正性胶保留下来；然后再对覆盖有正性胶的金属层进行刻蚀，只有正性胶溶解了的区域的金属层才会被刻蚀。但是现有技术存在如下缺点因为制作Y方向的电路时，需要刻蚀掉的金属部分比例很大，所以采用正性胶时，曝光时用到的铬板，就会有很大一部分是镂空的。大面积的镂空的区域会不可避免的存在ー些灰尘。而镂空的区域又是需要曝光的区域。这样，在曝光时，灰尘等脏污会在曝光区域形成污点。这些污点处的金属无法被刻蚀掉，进而严重影响触摸屏的性能。
发明内容
本发明的目的是提供一种电容式触摸屏架桥结构制作方法，能够避免灰尘等脏污对曝光过程的影响，同时简化工艺流程。为实现上述目的，本发明提供了如下方案一种电容式触摸屏架桥结构制作方法，包括在纳米铟锡金属氧化物ITO上，制作出在第一方向相互连通的基准图形阵列，在垂直于所述第一方向的第二方向上，制作出相互隔断的基准图形阵列；在第二方向上的基准图形阵列的相互隔断的区域设置绝缘层；在所述绝缘层上镀金属膜；采用负性光刻胶对所述金属膜进行光刻；对光刻后的所述金属膜进行蚀刻，以便在第二方向将所述基准图形阵列连通。优选的，所述采用负性光刻胶对所述金属膜进行光刻，包括在待蚀刻金属层上涂负性光刻胶；在掩模板的遮挡下，对负性光刻胶涂层进行曝光；
将负性光刻胶涂层上的未曝光的可溶解区域用化学显影剂溶解；对曝光后的未溶解的负性光刻胶涂层进行主固化。优选的，在所述在待蚀刻金属层上涂负性胶之前，还包括清洗上ーエ序残留的光刻胶。优选的，所述基准图形阵列为菱形阵列。优选的，所述负性光刻胶具体为OC胶。优选的，在所述基准图形阵列的第二方向上的相互隔断的区域设置绝缘层，包括通过在所述基准图形阵列的第二方向上的相互隔断的区域涂抹负性光刻胶，将曝光后固化的所述负性光刻胶，作为绝缘层。优选的，在所述基准图形阵列的第二方向上的相互隔断的区域涂抹的负性光刻胶为OC胶。优选的，在所述绝缘层上镀金属膜具体为在所述绝缘层上镀包含钥铝钥成分的
金属膜。根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果本实施例所公开的电容式触摸屏架桥结构制作方法，由于采用负性光刻胶对金属膜进行第二方向上的光刻，使得掩模板的镂空区域很小，灰尘等脏污很难进入，能够有效避免灰尘等脏污对曝光过程的影响。此外，由于本发明中，光刻后残留的负性光刻胶，还可以作为对金属条形区域起保护作用的保护层。因此，本发明所公开的方法还省去了现有技术中，对电路制作保护层这一ェ序。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本发明实施例所述电容式触摸屏架桥结构制作方法流程图；图2为本实施例所公开的水平方向相互连通、竖直方向相互隔断的菱形阵列示意图；图3为本发明实施例所公开的竖直方向连通后的菱形阵列示意图。
具体实施例方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进ー步详细的说明。
參见图1，为本发明实施例所述电容式触摸屏架桥结构制作方法流程图。如图I所示，该方法包括步骤SlOl :在纳米铟锡金属氧化物ITO上，制作出在水平方向相互连通的菱形阵列，在竖直方向相互隔断的菱形阵列；因为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子、紫外线及远红外线等的辐射。因此，本发明中，将ITO喷涂在触摸屏上，用作透明导电薄膜。对于ITO层的图案制作，可以采用半导体技术中常用的光刻方法。为便于理解本实施例中，在ITO层上制作的菱形阵列的图案，请參见图2，为本实
施例所公开的水平方向相互连通、竖直方向相互隔断的菱形阵列示意图。图2中，在水平方向上，有三行菱形，每行又有四个菱形。每行的相邻的两个菱形之间都是连通的。也就是在水平方向上，形成电流通路。在竖直方向上，有三列菱形，每列也具有四个菱形。每列的相邻的两个菱形之间都是相互隔断的。需要说明的是，本实施例中所提到的水平方向和竖直方向，其本质是为了说明这两个方向是相互垂直的关系。实际应用中，水平方向可以是任意的一个直线上的方向(不妨称为第一方向)，另ー个方向只要是与第一方向相垂直的方向即可(可以称为第二方向)。此外，本实施例中，在ITO层上制作的是菱形阵列的图案，实际应用中，本发明不排除采用其他图形阵列的图案的可能性。S102 :在所述菱形阵列的竖直方向上的相互隔断的区域设置绝缘层；设置绝缘层的目的是，防止后续步骤中形成的竖直方向上的电流通路与水平方向的电流通路之间形成短路。可以采用负性光刻胶，作为绝缘层。即通过在所述基准图形阵列的第二方向上的相互隔断的区域涂抹负性光刻胶(例如OC胶)，将其曝光后固化，作为绝缘层。S103 :在所述绝缘层上镀金属膜；实际应用中，通常可以镀包含钥铝钥成分的金属膜。S104 :采用负性光刻胶对所述金属膜进行光刻；本步骤是对上ー步骤镀的钥铝钥的金属膜进行光刻。可以在待蚀刻的钥铝钥的金属膜表面涂负性光刻胶，例如OC胶。在掩模板的遮挡下，对负性光刻胶涂层进行曝光。将负性光刻胶涂层上的未曝光的可溶解区域用化学显影剂溶解；对曝光后的未溶解的负性光刻胶涂层进行主固化。实际应用中，为了保证待蚀刻的钥铝钥的金属膜表面的清洁，在涂光刻胶之前，还可以将上ーエ序残留的光刻胶清洗棹。S105 :对光刻后的所述金属膜进行蚀刻，以便在竖直方向将所述菱形阵列连通。可以采用湿刻法或干刻法对金属膜图形进行蚀刻。蚀刻后，在竖直方向上的金属膜得以保留，能够将竖直方向的菱形阵列连通，形成电流通路。參见图3，为本发明实施例所公开的竖直方向连通后的菱形阵列示意图。图3中，菱形在竖直方向的连线横跨水平方向的连线的地方，两者是不相交的，两条通路之间具有绝缘层。下面对本发明实施例所公开的电容式触摸屏架桥结构制作方法的优点进行详细说明。因为步骤S104中，需要蚀刻掉的金属膜区域比较大，需要保留下来的只是竖直方向上将两个菱形之间连接起来的金属条形区域。而负性光刻胶的特点是，曝光的部分会保留下来。保留下来的这部分负性光刻胶与前述金属条形区域是相对应的，即，保留下来的这部分负性光刻胶会防止前述金属条形区域被蚀刻棹。因此，采用负性光刻胶进行曝光时，需要曝光的区域很小。这样，在对负性光刻胶涂层进行曝光时，作为遮挡用的掩模板(例如铬板)的镂空区域也就很小。在曝光过程中，负性光刻胶涂层的其他区域一直在掩模板的遮挡下，不会有灰尘进入。曝光区域又很小(微米甚至纳米级别)，灰尘等脏污也很难进入。因此，本发明所公开的方法，能够有效避免灰尘等脏污对曝光过程的影响。进ー步的，由于避免了灰尘等脏污对曝光过程的影响，因此，也不必对竖直方向的 电路重复进行第二次刻蚀，极大地简化了エ艺流程。此外，由于负性光刻胶自身的化学性质比较稳定，本发明中，竖直方向的菱形阵列之间的起连通作用的金属条形区域，上面的光刻后残留的负性光刻胶，还可以作为对该金属条形区域起保护作用的保护层。因此，本发明所公开的方法还省去了现有技术中，对电路制作保护层这ーエ序。综上所述，本实施例所公开的电容式触摸屏架桥结构制作方法，由于采用负性光刻胶对金属膜进行第二方向上的光刻，使得掩模板的镂空区域很小，灰尘等脏污很难进入，能够有效避免灰尘等脏污对曝光过程的影响。此外，由于本发明中，光刻后残留的负性光刻胶，还可以作为对金属条形区域起保护作用的保护层。因此，本发明所公开的方法还省去了现有技术中，对电路制作保护层这一ェ序。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
权利要求
1.一种电容式触摸屏架桥结构制作方法，其特征在于，包括 在纳米铟锡金属氧化物ITO上，制作出在第一方向相互连通的基准图形阵列，在垂直于所述第一方向的第二方向上，制作出相互隔断的基准图形阵列； 在第二方向上的基准图形阵列的相互隔断的区域设置绝缘层； 在所述绝缘层上镀金属膜； 采用负性光刻胶对所述金属膜进行光刻； 对光刻后的所述金属膜进行蚀刻，以便在第二方向将所述基准图形阵列连通。
2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述采用负性光刻胶对所述金属膜进行光刻，包括 在待蚀刻金属层上涂负性光刻胶； 在掩模板的遮挡下，对负性光刻胶涂层进行曝光； 将负性光刻胶涂层上的未曝光的可溶解区域用化学显影剂溶解； 对曝光后的未溶解的负性光刻胶涂层进行主固化。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述在待蚀刻金属层上涂负性光刻胶之前，还包括 清洗上一工序残留的光刻胶。
4.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述基准图形阵列为菱形阵列。
5.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述采用负性光刻胶对所述金属膜进行光刻，包括采用OC胶对所述金属膜进行光刻。
6.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述在第二方向上的基准图形阵列的相互隔断的区域设置绝缘层，包括 在所述基准图形阵列的第二方向上的相互隔断的区域涂抹负性光刻胶，将曝光后固化的所述负性光刻胶，作为绝缘层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述基准图形阵列的第二方向上的相互隔断的区域涂抹的负性光刻胶为OC胶。
8.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，在所述绝缘层上镀金属膜，包括在所述绝缘层上镀包含钥铝钥成分的金属膜。
全文摘要
本发明公开一种电容式触摸屏架桥结构制作方法，包括在纳米铟锡金属氧化物ITO上，制作出在第一方向相互连通的基准图形阵列，在垂直于所述第一方向的第二方向上，制作出相互隔断的基准图形阵列；在第二方向上的基准图形阵列的相互隔断的区域设置绝缘层；在所述绝缘层上镀金属膜；采用负性光刻胶对所述金属膜进行光刻；对光刻后的所述金属膜进行蚀刻，以便在第二方向将所述基准图形阵列连通。采用本发明所公开的电容式触摸屏架桥结构制作方法，能够有效避免灰尘等脏污对曝光过程的影响，还能够省去对电路制作保护层的工序。
文档编号G06F3/044GK102855039SQ201210299478
公开日2013年1月2日 申请日期2012年8月21日 优先权日2012年8月21日
发明者汪敏洁, 蔡汉业, 朱景河, 何基强 申请人:信利半导体有限公司