专利名称：一种电容式内嵌触摸屏、其驱动方法及显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电容式内嵌触摸屏、其驱动方法及显示
>J-U ρ α装直。
背景技术：
随着显示技术的飞速发展，触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸屏按照组成结构可以分为外挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏(Liquid Crystal Display, LCD)分开生产,然后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏，外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。而内嵌式触摸屏将触摸屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部，可以减薄模组整体的厚度，又可以大大降低触摸屏的制作成本，受到各大面板厂家青睐。为了能够最大限度的提高触摸显示屏的开口率，在设计触摸屏的TFT阵列基板中的像素结构时可以采用双栅(Dual Gate)结构，如图I所示，在双栅结构中，TFT阵列基板上的相邻行的像素单元之间具有两个栅极信号线，例如Gatel和Gate2、Gate3和Gate4、Gate5和Gate6，且每相邻的两列像素单元为一组，共用一个位于该两列像素单元之间的数据信号线Datel、Date2、Date3。双栅结构通过增加一倍数量的栅极信号线，减少了数据信号线及源极驱动IC的数量，从而降低显示器整体成本。而目前还没有基于双栅结构的电容式内嵌触摸屏的设计。
发明内容
本发明实施例提供了一种电容式内嵌触摸屏、其驱动方法及显示装置，用以实现具有双栅结构的电容式内嵌触摸屏。本发明实施例提供的一种电容式内嵌触摸屏，包括彩膜基板，具有公共电极层的薄膜晶体管TFT阵列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板之间的液晶层；所述电容式内嵌触摸屏内形成有呈矩阵排列的多个像素单元；在所述TFT阵列基板相邻行的像素单元之间具有两条栅极信号线，且以相邻的两列像素单元为一组像素单元列，每组像素单元列共用一条位于该两列像素单元之间的数据信号线；还包括所述彩膜基板具有多条触控感应电极；所述TFT阵列基板的公共电极层中具有多条触控驱动电极；每条所述触控驱动电极与至少一条触控驱动信号线电性相连，所述触控驱动信号线位于相邻组像素单元列之间；在一帧画面的显示时间内，与所述触控驱动电极电性相连的每条触控驱动信号线用于向该触控驱动电极分时地传递公共电极信号和触控扫描信号。本发明实施例提供的一种显示装置，包括本发明实施例提供的电容式内嵌触摸屏。本发明实施例提供的一种上述电容式内嵌触摸屏的驱动方法，包括
将触摸屏显示每一帧的时间分成显示时间段和触控时间段； 在显示时间段，对触控驱动电极施加公共电极信号，同时，对所述触摸屏中的每条栅极信号线依次施加栅扫描信号，对数据信号线施加灰阶信号，控制液晶分子翻转；在触控时间段，对触控驱动电极施加触控扫描信号，触控感应电极耦合所述触控扫描信号的电压信号并输出，同时，所述触摸屏中的每条栅极信号线和数据信号线无信号输入。
本发明实施例的有益效果包括本发明实施例提供的一种电容式内嵌触摸屏、其驱动方法及显示装置，在彩膜基板上设置触控感应电极，将TFT阵列基板中整面连接的公共电极层分割成条状作为触控驱动电极；在TFT阵列基板上利用双栅结构，通过增加一倍数量的栅极信号线，节省出一部分数据信号线的位置，在节省出的数据信号线的位置设置触控驱动信号线，相对于现有技术中将触控驱动信号线设置在触摸屏的非显示区域，有利于触摸屏的窄边框设计；并将至少一条触控驱动信号线与一条触控驱动电极电性相连，多条触控驱动信号线同时对一条触控驱动电极提供驱动电信号，能够最大限度的提升驱动电信号的传输效率，减少驱动电信号时延。并且，由于触控和显示阶段采用分时驱动的方式，一方面可以将显示驱动和触控驱动的芯片整合为一体，进一步降低生产成本；另一方面分时驱动也能够降低显示和触控的相互干扰，提高画面品质和触控准确性。
图I为现有技术中显示面板的双栅结构的结构示意图；图2为本发明实施例提供的电容式内嵌触摸屏的纵向剖面示意图；图3为本发明实施例提供的电容式内嵌触摸屏中TFT阵列基板的俯视示意图之图4为本发明实施例提供的触摸屏的驱动时序示意图；图5为本发明实施例提供的电容式内嵌触摸屏中TFT阵列基板的俯视示意图之-* ;图6为本发明实施例提供的触控驱动信号线与触控驱动电极之间的连接关系示意图；图7为本发明实施例提供的公共电极层的示意图；图8为本发明实施例提供的电容式内嵌触摸屏中一个像素单元的结构示意图；图9为本发明实施例提供的电容式内嵌触摸屏中的触控驱动电极和触控感应电极的平面示意图；图10为本发明实施例提供的触控感应电极的内缩部与一个像素单元交叠处的结构示意图；图11为本发明实施例提供的触控感应电极的外凸结构与一个像素单元交叠处的结构示意图。
具体实施例方式目前，能够实现宽视角的液晶显示技术主要有平面内开关(IPS，In-PlaneSwitch)技术和高级超维场开关(ADS, Advanced Super Dimension Switch)技术；其中，ADS技术通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。H-ADS (高开口率-高级超维场开关)是ADS技术的一种重要实现方式。本发明实施例正是基于ADS技术和H-ADS技术提出了一种新的电容式内嵌触摸屏结构。下面结合附图，对本发明实施例提供的电容式内嵌触摸屏、其驱动方法及显示装置的具体实施方式
进行详细地说明。下面结合附图，对本发明实施例提供的电容式内嵌触摸屏、其驱动方法及显示装置的具体实施方式
进行详细地说明。附图中各层薄膜厚度和形状不反映TFT阵列基板或彩膜基板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。图2和图3所示分别为本发明实施例提供的电容式内嵌触摸屏的纵向剖面示意图和触摸屏中TFT阵列基板的俯视图。如图2和图3所示，本发明实施例提供的电容式内嵌触摸屏具体包括彩膜基板1，具有公共电极层的TFT阵列基板2，以及位于彩膜基板I和TFT阵列基板2之间的液晶层3，电容式内嵌触摸屏内形成有呈矩阵排列的多个像素单元4 ;在TFT阵列基板相邻行的像素单元4之间具有两条栅极信号线5，且以相邻的两列像素单元4为一组像素单元列6，每组像素单元列6共用一条位于该两列像素单元4之间的数据信号线7,还包括彩膜基板I具有多条触控感应电极8 ；TFT阵列基板2的公共电极层中具有多条触控驱动电极9，每条触控驱动电极9与至少一条触控驱动信号线10电性相连，触控驱动信号线10位于相邻组像素单元列6之间；在一帧画面的显示时间内，与触控驱动电极9电性相连的每条触控驱动信号线10用于向该触控驱动电极9分时地传递公共电极信号和触控扫描信号。较佳地，在具体实施时，一般将各触控感应电极8设置为沿着像素单元4的列方向延伸，将各触控驱动电极9设置为沿着像素单元4的行方向延伸；当然也可以根据应用器件的尺寸，变更两者的布线方向，在此不做限定。本发明实施例提供的上述触摸屏中，在彩膜基板上设置触控感应电极，将TFT阵列基板中整面连接的公共电极层分割成条状作为触控驱动电极，形成触控电极结构。触控和显示阶段采用分时驱动的方式，一方面可以将显示驱动和触控驱动的芯片整合为一体，进一步降低生产成本；另一方面分时驱动也能够降低显示和触控的相互干扰，提高画面品质和触控准确性。具体地，本发明实施例提供的上述电容式内嵌触摸屏的驱动方法，如图4所示的时序图，具体包括首先，将触摸屏显示每一巾贞(Vsync)的时间分成显示时间段(Display)和触控时间段(Touch)，例如图4所示的驱动时序图中触摸屏的显示一帧的时间为16. 67ms，选取其中4ms作为触控时间段，其他的12. 67ms作为显示时间段，当然也可以根据IC芯片的处理能力适当的调整两者的时长，在此不做具体限定。在显示时间段(Display),对触控驱动电极Tx施加公共电极信号DC-Vcom,同时，对触摸屏中的每条栅极信号线G1，G2……Gn依次施加栅扫描信号，对数据信号线Data施加灰阶信号，控制液晶分子翻转；这段时间和正常的ADS型液晶面板工作原理无异。在触控时间段(Touch)，对触控驱动电极Tx施加触控扫描信号，触控感应电极Rx耦合触控扫描信号的电压信号并输出。通过手指的触摸，改变触摸点位置两电极之间的感应电容，从而改变触控感应电极Rx的末端接收电压信号的大小，实现触控功能。在触控时间段，触摸屏中的每条栅极信号线和数据信号线无信号输入。
本发明实施例提供的上述触摸屏中由于采用分时驱动的方式实现触控和显示功能，当应用到大尺寸的触摸屏时如果采用现有的驱动信号线布线方式，即在触摸屏的非显示区域对每根触控驱动电极分别单独布置信号线，会大量占用触摸屏的非显示区域，不易于触摸窄边框设计，并且，在大尺寸触摸屏中各触控驱动电极加载的驱动信号延迟较大，会影响触控感应电极采集到的触控信号的强度，不利于提高触控的灵敏度。因此，本发明实施例提供的触摸屏中，在TFT阵列基板上利用双栅结构，通过增加一倍数量的栅极信号线，节省出一部分数据信号线的位置，在节省出的数据信号线的位置设置触控驱动信号线，相对于现有技术中将触控驱动信号线设置在触摸屏的非显示区域，有利于触摸屏的窄边框设计；并将至少一条触控驱动信号线与一条触控驱动电极电性相连，例如图3所示的将两条触控驱动信号线Txl和Txl’同时与触控驱动电极a连接，另外两条触控驱动电极Tx2和Τχ2’同时与触控驱动电极b连接，即双边驱动方式，多条触控驱动信号线同时对一条触控驱动电极9提供驱动电信号，能够最大限度的提升驱动电信号的传输效率，减少驱动电信号时延。下面对上述触摸屏中TFT阵列基板中设置的触控驱动信号线进行详细的说明。在具体实施时，可以将触控驱动信号线与TFT阵列基板中的数据信号线同层设置，这样，在制备TFT阵列基板时不需要增加额外的制备工序，只需要通过一次构图工艺即可形成数据信号线和触控驱动信号线的图形，能够节省制备成本，提升产品附加值。具体地，如图3和图5所示，各触控驱动信号线Txl和Tx2可以通过至少一个过孔与对应的触控驱动电极9电性相连，以便为对应的触控驱动电极9提供驱动电信号，并且，由于触控驱动信号线Txl和Τχ2 —般都是由电阻较低的金属形成的，触控驱动信号线Txl和Τχ2通过过孔与电阻较高的触控驱动电极9电性连接，也能降低触控驱动电极9的电阻。进一步地，在设置每条触控驱动电极与多条触控驱动信号线电性相连时，可以将与同一条触控驱动电极电性相连的各条触控驱动信号线通过导线导通，这样，不会增加与触控驱动信号线连接的IC芯片的通道接口数量，降低了对IC芯片的要求。具体地，在设计各条触控驱动信号线时，如图6所示，在满足各触控驱动信号线Txl和Txl’、Τχ2和Τχ2’、Τχ3和Τχ3’、Τχ4和Τχ4’与对应的触控驱动电极A、B、C和D电性连接后，还可以将原来贯穿整个面板的整条的触控驱动信号线断开，形成成触控驱动信号线Txl和Txl’、Tx2和Τχ2’、Τχ3和Τχ3’，以及与各条触控驱动信号线Txl和Txl’、Tx2和Τχ2’、Τχ3和Τχ3’同层设置且相互绝缘的多条金属线11 ;各金属线11与各条触控驱动信号线Txl和Txl’、Tx2和Τχ2’、Τχ3和Τχ3’位于同一直线，且与交叠的一条触控驱动电极B、C和D并联，即通过过孔电性相连；各金属线11的长度不大于并联的触控驱动电极B、C和D的宽度。上述这种设计能充分利用相邻组像素单元列之间的间隙，在保证触摸屏的开口率的同时，利用了触控驱动信号线的冗余部分，设置电阻值较低的金属线，并将电阻值较低的金属线与电阻值较高的各条触控驱动电极并联，能最大程度的降低各条触控驱动电极的电阻。下面对上述触摸屏中TFT阵列基板中设置的触控驱动电极Tx和彩膜基板中设置的触控感应电极Rx的具体结构进行详细的说明。在本发明实施例提供的上述电容式内嵌触摸屏中，在彩膜基板上设置触控感应电极，将TFT阵列基板中整面连接的公共电极层分割成条状作为触控驱动电极；为了实现在保证触控驱动电极Tx和触控感应电极Rx的电阻满足触摸屏要求的情况下，尽量降低在触控驱动电极Tx和触控感应电极Rx交叠处形成的感应电容，在本发明实施例提供的上述触摸屏中还对设置在TFT阵列基板上的条状的触控驱动电极Tx的图形进行了重新设计。对于每条触控驱动电极Tx :如图7所 示,将触控驱动电极Tx与触控感应电极Rx交叠的区域设置内凹结构，如图7中虚线框所示，以减少两者之间的正对面积，从而降低在两者交叠处形成的感应电容。并且，为了保证各条触控驱动电极Tx组成的公共电极层的完整性，如图7所示，在相邻的触控驱动电极Tx之间的内凹结构处还设置了公共电极Vcom，该公共电极Vcom与触控驱动电极Tx相互绝缘，公共电极Vcom和触控驱动电极Tx共同组成完整的公共电极层。进一步地，为了保证在显示时间段中公共电极能够加载公共电极信号，在TFT阵列基板上还会设置与公共电极电性相连的至少一条公共电极线，这些公共电极线位于除设置有触控驱动信号线之外的相邻组像素单元列之间的间隙处。当然，本领域技术人员可知，在具体实施时，公共电极线的布线方式并不局限于设置在相邻像素单元列之间的间隙处，还可以采用沿着像素单元的行方向布置公共电极线等方式布置公共电极线，在此不做过多限定。此外，由于触控驱动电极Tx的内凹结构的设计还可以减小每条触控驱动电极Tx的整体面积，由于如图8所示触控驱动电极Tx会与像素单元中TFT的栅极Gate、源漏极SD之间产生寄生电容，减少触控驱动电极Tx的整体面积可以减少与每条触控驱动电极Tx对应的TFT数量，从而在整体上减少每条触控驱动电极Tx与TFT的栅极Gate、源漏极SD之间产生寄生电容。进一步地，为了能够尽量减小触控驱动电极Tx和触控感应电极Rx之间的正对面积，在设计触控感应电极Rx时，如图9所示，可以将各触控感应电极Rx设计为具有与触控驱动电极Tx位置交叠的内缩部c,这样能进一步减小触控驱动电极Tx和触控感应电极Rx的正对面积，但是，内缩部c的设计会增大触控感应电极的电阻，为了解决这个问题，在触控感应电极Rx与公共电极Vcom交叠区域还可以设置外凸结构d。通过测试可知，在未对触控驱动电极Tx和触控感应电极Rx重新设计时，即触控驱动电极Tx和触控感应电极Rx都为传统的条状电极结构，采用传统的ITO工艺(600A，RS=45 Ω / □)，触控驱动电极Tx和触控感应电极Rx的交叠面积为5*5mm，触控驱动电极Tx的电阻会在5ΚΩ左右，触控感应电极Rx的电阻会在IOK Ω左右，两者交叠处的感应电容为20pF。而通过图6所示的设计，采用传统的ITO工艺(600A，RS=45Q/ □)，触控驱动电极Tx的电阻会在5ΚΩ以内，触控感应电极Rx的电阻会在10ΚΩ以内，两者交叠处的感应电容在IpF以内，可以看出，触控驱动电极Tx的电阻有一定降低，感应电容的电容值大大减小。一般地，由于触控的电极图形像素大小通常在毫米级，而显示的像素单元通常在微米级，因此，组成公共电极层的每条触控驱动电极Tx和公共电极Vcom —般会覆盖多行像素单元，每条触控感应电极一般会覆盖多列像素单元；当然不排除各电极只覆盖单行或单列像素单元的情况。并且，各触控感应电极Rx之间、以及触控驱动电极Tx和公共电极Vcom之间一般沿着像素单元的间隙分隔。一般地，传统ADS型液晶面板的阵列基板上，公共电极作为板状电极位于下层(更靠近衬底基板)，像素电极作为狭缝电极位于上层(更靠近液晶层)，在像素电极和公共电极之间设有绝缘层。而HADS型液晶面板的阵列基板上，像素电极作为板状电极位于下层(更靠近衬底基板)，公共电极作为狭缝电极位于上层(更靠近液晶层)，在像素电极和公共电极之间设有绝缘层。
具体地，根据上述触摸屏具体应用的液晶显示面板的模式，组成公共电极层的各条触控驱动电极Tx和公共电极在与像素单元的开口区域对应的位置可以具有狭缝状透明电极结构或板状透明电极结构，即在HADS模式时各条触控驱动电极Tx和公共电极由狭缝状ITO电极组成；具体地，所述狭缝状ITO电极结构为在像素的开口区域具有狭缝的ITO电极。在ADS模式时各条触控驱动电极Tx和公共电极由板状ITO电极组成以满足液晶显示的需求，此时触控驱动电极Tx可以透过像素电极的狭缝区域与彩膜基板上的触控感应电极Rx形成感应电容。由于ADS模式和HADS模式的液晶面板的具体结构属于现有技术,在此不再赘述。并且，为了降低TFT阵列基板中其他信号，诸如栅极信号线、数据信号线或像素电极上的电信号对触控驱动电极上传递的电信号的干扰，一般将由各条触控驱动电极Tx和公共电极组成的公共电极层设置在TFT阵列基板中的像素电极的上方，即采用HADS模式，以尽量减少其他信号对触控驱动电极Tx引起的信号干扰问题。具体地，在彩膜基板上设置触控感应电极Rx时，一般将触控感应电极Rx设置在彩膜基板面向液晶层的一面上，这样有利于彩膜基板和TFT阵列基板对合后的衬底基板减薄处理，并且，为了尽可能的增大触控感应电极Rx和触控驱动电极Tx之间的距离，减少两个之间的感应电容，各条触控感应电极Rx —般位于彩膜基板的衬底与黑矩阵区域之间，即在制备彩膜基板时，首先制备触控感应电极Rx图形，然后在触控感应电极Rx上制备黑矩阵区域的图形。具体地，为了不影响触摸屏的正常显示，一般将每条触控感应电极Rx设计成网格状电极结构，且触控感应电极的网格状电极结构要能够被黑矩阵区域完全覆盖，如图10和图11所示。进一步地，在设计触控感应电极Rx的内缩部的具体图形时，为了尽可能的减少内缩部与触控驱动电极Tx的正对面积，可以将触控感应电极的内缩部处具有的各网孔设计成比外凸结构处具有的各网孔大，具体可以在内缩部与像素单元的非开口区域对应的位置部分设置有触控感应电极图案，对内缩部采用镂空设计，例如如图10所示，在设计触控感应电极Rx的内缩部的图案时，与组成一个像素单元的RGB亚像素单元4之间的间隙处对应的位置不设计触控感应电极Rx的图形，当然本领域技术人员也可以推知，也可以在与像素单元4之间的间隙处对应的位置设计部分触控感应电极Rx的图形，在具体实施时，可以根据触控屏精度的需要，具体设计触控感应电极Rx的内缩部的图形，在此不做限定。基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述电容式内嵌触摸屏，该显示装置的实施可以参见上述电容式内嵌触摸屏的实施例，重复之处不再赘述。本发明实施例提供的一种电容式内嵌触摸屏、其驱动方法及显示装置，在彩膜基板上设置触控感应电极，将TFT阵列基板中整面连接的公共电极层分割成条状作为触控驱动电极；在TFT阵列基板上利用双栅结构，通过增加一倍数量的栅极信号线，节省出一部分数据信号线的位置，在节省出的数据信号线的位置设置触控驱动信号线，相对于现有技术中将触控驱动信号线设置在触摸屏的非显示区域，有利于触摸屏的窄边框设计；并将至少 一条触控驱动信号线与一条触控驱动电极电性相连，多条触控驱动信号线同时对一条触控驱动电极提供驱动电信号，能够最大限度的提升驱动电信号的传输效率，减少驱动电信号时延。并且，由于触控和显示阶段采用分时驱动方式，一方面可以将显示驱动和触控驱动的芯片整合为一体，进一步降低生产成本；另一方面分时驱动也能够降低显示和触控的相互干扰，提闻画面品质和触控准确性。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
1.一种电容式内嵌触摸屏，包括彩膜基板，具有公共电极层的薄膜晶体管TFT阵列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板之间的液晶层；所述电容式内嵌触摸屏内形成有呈矩阵排列的多个像素单元；在所述TFT阵列基板相邻行的像素单元之间具有两条栅极信号线，且以相邻的两列像素单元为一组像素单元列，每组像素单元列共用一条位于该两列像素单元之间的数据信号线；其特征在于，还包括 所述彩膜基板具有多条触控感应电极； 所述TFT阵列基板的公共电极层具有多条触控驱动电极；每条所述触控驱动电极与至少一条触控驱动信号线电性相连，所述触控驱动信号线位于相邻组像素单元列之间；在一帧画面的显示时间内，与所述触控驱动电极电性相连的每条触控驱动信号线用于向该触控驱动电极分时地传递公共电极信号和触控扫描信号。
2.如权利要求I所述的触摸屏，其特征在于，各所述触控感应电极沿着像素单元的列方向延伸，各所述触控驱动电极沿着像素单元的行方向延伸。
3.如权利要求I所述的触摸屏，其特征在于，所述触控驱动信号线与所述TFT阵列基板中的数据信号线同层设置；各所述触控驱动信号线通过至少一个过孔与对应的触控驱动电极电性相连。
4.如权利要求3所述的触摸屏，其特征在于，每条所述触控驱动电极与多条触控驱动信号线电性相连，且与同一条触控驱动电极电性相连的各条触控驱动信号线通过导线导通。
5.如权利要求4所述的触摸屏，其特征在于，还包括与各条触控驱动信号线同层设置且相互绝缘的多条金属线；各所述金属线与各条触控驱动信号线位于同一直线，且与交叠的一条触控驱动电极并联；各所述金属线的长度不大于并联的触控驱动电极的宽度。
6.如权利要求I所述的触摸屏，其特征在于，各所述触控驱动电极在与所述触控感应电极交叠的区域具有内凹结构； 所述TFT阵列基板的公共电极层还具有公共电极，各所述公共电极位于相邻的所述触控驱动电极之间的内凹结构处，且与所述触控驱动电极相互绝缘。
7.如权利要求6所述的触摸屏，其特征在于，还包括与公共电极电性相连的至少一条公共电极线，各公共电极线位于除设置有所述触控驱动信号线之外的相邻组像素单元列之间的间隙处。
8.如权利要求6所述的触摸屏，其特征在于，各所述触控感应电极具有与所述触控驱动电极位置交叠的内缩部，且具有与所述公共电极位置交叠的外凸结构。
9.如权利要求8所述的触摸屏，其特征在于，每条所述触控驱动电极或公共电极覆盖多行像素单元，每条所述触控感应电极对应多列像素单元。
10.如权利要求9所述的触摸屏，其特征在于，每条所述触控驱动电极或所述公共电极在与所述像素单元的开口区域对应的位置具有狭缝状透明电极结构，且所述触控驱动电极和所述公共电极位于所述TFT阵列基板中的像素电极的上方。
11.如权利要求9所述的触摸屏，其特征在于，各条所述触控感应电极位于所述彩膜基板的衬底与黑矩阵区域之间。
12.如权利要求11所述的触摸屏，其特征在于，各所述触控感应电极具有网格状电极结构，且所述触控感应电极的网格状电极结构被所述黑矩阵区域完全覆盖。
13.如权利要求12所述的触摸屏，其特征在于，所述触控感应电极的内缩部处具有的 各网孔比外凸结构处具有的各网孔大。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-13任一项所述的电容式内嵌触摸屏。
15.—种如权利要求1所述的电容式内嵌触摸屏的驱动方法，其特征在于，包括将触摸屏显示每一帧的时间分成显示时间段和触控时间段；在显示时间段，对触控驱动电极施加公共电极信号，同时，对所述触摸屏中的每条栅极 信号线依次施加栅扫描信号，对数据信号线施加灰阶信号，控制液晶分子翻转；在触控时间段，对触控驱动电极施加触控扫描信号，触控感应电极稱合所述触控扫描 信号的电压信号并输出，同时，所述触摸屏中的每条栅极信号线和数据信号线无信号输入。
全文摘要
本发明公开了一种电容式内嵌触摸屏、其驱动方法及显示装置，在彩膜基板上设置触控感应电极，将TFT阵列基板中整面连接的公共电极层分割成条状作为触控驱动电极；利用双栅结构将触控驱动信号线设置在显示区域内，相对于将触控驱动信号线置于触摸屏的非显示区域，有利于触摸屏的窄边框设计；并将至少一条触控驱动信号线与一条触控驱动电极电性相连，多条触控驱动信号线同时对一条触控驱动电极提供驱动电信号，能够最大限度的提升驱动电信号的传输效率，减少驱动电信号时延。并且，由于触控和显示阶段采用分时驱动方式，可将显示驱动和触控驱动的芯片整合为一体，降低生产成本；分时驱动还能降低显示和触控的相互干扰，提高画面品质和触控准确性。
文档编号G06F3/044GK102955637SQ20121043480
公开日2013年3月6日 申请日期2012年11月2日 优先权日2012年11月2日
发明者杨盛际, 董学, 王海生 申请人:北京京东方光电科技有限公司