磁气回路和键输入装置制造方法
【专利摘要】提供一种磁气回路和键输入装置。该磁气回路包括第一磁体和第二磁体，该第一磁体构造为包括磁铁和轭板。该轭板在第二磁体侧形成开口空间。磁铁设置在开口空间中或者在轭板之间夹着的位置。
【专利说明】磁气回路和键输入装置
【技术领域】
[0001]本公开涉及磁气回路(magnetic circuit)和键输入装置。
【背景技术】
[0002]近年来，已经开发了诸如键盘的减小厚度的键输入装置。例如，提供有橡胶顶部和剪状机构(scissor mechanism)的键输入装置主要用在个人计算机(PC)键盘中。在这样的键输入装置中，当使用者压下由剪状机构水平支撑的键顶时，该键顶压下橡胶顶部，然后在隔膜片电路中建立电连接，并且传输输入信号。
[0003]通常，橡胶顶部可以有效地利用成本而制造，并且因此能制造低成本的键输入装置。然而，存在对橡胶顶部和剪状机构厚度的进一步减小的限制。作为示例，橡胶顶部厚度的进一步减小在压下键顶部时导致给使用者压键感觉(该感觉在下文称为“点击感觉”)因橡胶顶部的屈曲特性的变坏而变差，并且如果压下键顶部则它变得不清楚。另外，例如，剪状机构厚度的进一步减小将导致其长度减小，并且因此其耐久性被削弱。
[0004]因此，提出了一种利用磁吸引力或者作用在成对磁铁之间(或磁铁和诸如金属片的磁体之间)的吸引力而不利用橡胶顶部的屈曲特性的方法(例如，参见美国专利申请公开N0.2012/0169603)。当该方法(利用磁力)应用于键输入装置时，能利用磁引力或者作用在成对磁铁之间(或磁铁和诸如金属片的磁体之间)的吸引力作为保持键顶部就位的力。因此，能实现键输入装置厚度的进一步减小，而抑制给使用者点击感觉的变差。
【发明内容】
[0005]然而，在上面描述的技术中，提供有“开磁路(open magnetic path)”,其中一对或多对磁铁或者磁铁和诸如金属片的磁体的结合设置在磁化方向上。在此情况下，磁场(磁力线)的泄漏，即从非面对磁铁的极面或者诸如金属片的磁铁的极面穿过周围空间的磁通量的泄漏很大。另外，位于产品内或产品外的磁记录介质或传感器等受到磁噪声等的影响。此夕卜，一对或多对磁铁等的使用增加了制造成本。因此，希望实施能利用磁引力或者由磁铁产生引力且能有效地利用成本而制造的技术。
[0006]根据本公开的实施例，提供一种磁气回路，其包括第一磁体和第二磁体。第一磁体包括磁铁和轭板。轭板在面对第二磁铁的位置形成开口空间，并且磁铁设置在开口空间中或者在轭板之间夹着的位置。
[0007]如上所述，根据本公开的一个或多个实施例，能显著防止从磁铁发出的磁场(磁力线)泄漏到其周围空间且有效地利用磁场。因此，能以非常低的成本制造利用磁引力或者磁铁和磁体之间弓I力的磁气回路。另外，变得能减少磁通量的泄漏。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是示出根据本公开实施例的信息处理设备示范性外观的示意图；
[0009]图2是示出根据本公开实施例的键盘的示范性外观的示意图；[0010]图3是根据本公开第一实施例的键输入装置的平面图的示例；
[0011]图4是根据本公开第一实施例的键输入装置的侧视图的示例；
[0012]图5是根据本公开第一实施例的键输入装置的分解透视图的示例；
[0013]图6是示出根据本公开第一实施例的键输入装置在每个按键上运动示例的示意图；
[0014]图1是不出键顶部的压缩量和施加到键顶部的负载之间关系的不意图；
[0015]图8是示出在开始压键顶部时磁场(磁力线)分布的示意图；
[0016]图9是示出在压键顶部的状态下磁场(磁力线)分布的示意图；
[0017]图10是示出在结束压键顶部时磁场(磁力线)分布的示意图；
[0018]图1lA是不出在根据本公开第一实施例的磁气回路不例中在轭和磁体附近的磁场(磁力线)分布的示意图；
[0019]图1lB是示出在磁体之间的距离与图1IA所示状态相比较大的状态下在轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图；
[0020]图1lC是示出在支撑构件中设置的磁体的厚度与图1lA所示的状态相比增加的状态下轭和磁体附近的磁场(磁力线)分布的示意图；
[0021]图1lD是示出在磁体之间的距离与图1IC所示的状态较大的状态下轭和磁体附近的磁场(磁力线)分布的示意图；
[0022]图1lE是示出在支撑构件中设置的磁体的厚度与图1lC所示的状态相比增加的状态下轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图；
[0023]图1IF是示出在磁体之间的距离与图1IE所示的状态相比较大的状态下轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图；
[0024]图12是示出在根据本公开第一实施例的修改示例的磁气回路示例中轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图；
[0025]图13是示出在根据本公开第二实施例的磁气回路示例中轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图；
[0026]图14是示出在根据本公开第三实施例的磁气回路示例中轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图；
[0027]图15是示出在根据本公开第四实施例的磁气回路示例中轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图；
[0028]图16是示出在开始压根据比较示例的键顶部时磁场(磁力线)分布的示意图；
[0029]图17是示出在键顶部根据比较示例压下的状态下磁场(磁力线)分布的示意图；以及
[0030]图18是在结束压根据比较示例的键顶部时磁场(磁力线)分布的示意图。
【具体实施方式】
[0031]在下文，将参考附图详细描述本公开的优选实施例。应注意，在该说明书和附图中，具有基本上相同功能和结构的构成元件用相同的附图标记表示，并且省略这些构成元件的重复说明。
[0032]而且，在该说明书和附图中，具有基本上相同功能和结构的多个部件也可通过对相同的附图标记附加不同的依字母顺序的字母加以区别。然而，当具有基本上相同功能和结构的多个部件之间不必特别区别时，它们由相同的附图标记表示。
[0033]下面，将以下面的顺序描述用于实施本公开的实施例。
[0034]1.实施例
[0035]1-1.信息处理设备的示范性外观
[0036]1-2.键输入装置的示范性外观
[0037]2.第一实施例
[0038]2-1.键输入单元的示范性构造
[0039]2-2.键输入单元的示范性运动
[0040]2-3.磁场(磁力线)分布中的示范性变化
[0041]2-4.磁体厚度和磁场(磁力线)分布之间的关系
[0042]2-5.修改示例
[0043]3.第二实施例
[0044]4.第三实施例
[0045]5.第四实施例
[0046]6.结论`
[0047]?1.实施例 >>
[0048]现在描述本公开的实施例。
[0049][1-1.信息处理设备的示范性外观]
[0050]描述根据本公开实施例的信息处理设备10的示范性外观。图1是示出根据本公开实施例的信息处理设备10的示范性外观的示意图。如图1所示，信息处理设备10包括键输入装置12。图1示出了构造为笔记本个人计算机(PC)的信息处理设备10，但是信息处理设备10可构造为配备有键输入装置12的不同类型的PC (例如，台式PC)。
[0051]键输入装置12仅为结合根据本公开实施例的磁气回路的一个装置示例。因此，根据本公开实施例的磁气回路可结合在键输入装置12之外的任何装置中。作为示例，根据本公开实施例的磁气回路可结合成输入装置用于接收按钮操作的输入。当根据本公开实施例的磁气回路结合成键输入装置12之外的装置时，可不提供信息处理设备10。
[0052]上面已经描述了根据本公开实施例的信息处理设备10的示范性外观。
[0053][1-2.键输入装置的示范性外观]
[0054]现在描述根据本公开实施例的键输入装置12的示范性外观。图2是示出根据本公开实施例的键输入装置12的示范性外观的示意图。键输入装置12包括多个键输入单元。图2示出了键输入单元100，作为多个键输入单元的示例。下面，将描述图2所示键输入单元100的功能，但是键输入单元100描述为说明多个键输入单元的代表性示例。因此，键输入单元100之外的任何其它键输入单元可具有类似的功能。
[0055]上面已经描述了根据本公开实施例的键输入装置12的示范性外观。
[0056]〈〈2.第一实施例》
[0057]下面描述本公开的第一实施例。
[0058][2-1.键输入单元的示范性构造]
[0059]现在将描述根据本公开第一实施例的键输入单元100的示范性构造。图3是示出根据本公开第一实施例的键输入单元100的平面图示例。图4是示出根据本公开第一实施例的键输入单元100的侧视图示例。图5是示出根据本公开第一实施例的键输入装置100的分解透视图示例。
[0060]如图3所示，键输入单元100包括磁气回路300A、键顶部130和支撑构件200。键顶部130仅为可动体(movable body)的一个示例。因此在磁气回路300A结合成键输入装置12之外的装置的情况下，任何其它的可动体(例如，按钮)可用作可动体而代替键顶部130。另外，如图3所不,磁气回路300A包括第一磁体IlOA和第二磁体120。第一磁体IlOA包括磁铁112和轭板111A。磁铁112的类型没有特别限定。作为示例，磁铁112可为永久磁铁或电磁铁。
[0061]如图3所示，磁气回路300A可利用作用在磁铁112和第二磁体120之间的磁引力作为保持键顶部130定位的力。而且，本公开的实施例允许利用磁铁112和第二磁体120之间吸引力的磁气回路300A以非常低的成本制作。
[0062]更具体而言，如图3所示，轭板IllA在面对第二磁体120的位置(即第二磁体120侦D形成开口空间160A。磁铁112设置在开口空间160A中。在图3所示的示例中，开口空间160A为矩形形状，但是开口空间160A的形状没有限制，如稍后所描述。而且，在图3所示的示例中，示出了单一的开口空间160A，但是可形成多个开口空间160A。
[0063]采用这样的构造，第一磁体IlOA和第二磁体120形成闭磁路(closed magneticpath)。特别是，在图3所示的示例中，磁铁112设置在开口空间160A中，并且因此两个闭磁路由第一磁体IlOA和第二磁体120形成。应注意，闭磁路对应于磁场的路径(磁力线)，其从磁铁112的一个磁极端发出且通过轭板IllA和第二磁体120返回到磁铁112的另一个磁极端。
[0064]这样，提供了限定的磁气回路(闭磁路)，其中由导磁率高于空气的磁材料(磁阻小于空气)形成的空间用作磁场(磁力线)的路径。因此，从磁铁112发出的磁场(磁力线)可集中在特定的位置，因此降低磁通量的泄漏。
[0065]而且，磁通量泄漏的减少也可导致其它的影响。例如，能减小磁场对周围环境的影响。作为磁场影响的示例，当磁记录介质设置为靠近磁铁112时，存储在磁记录介质中的数据可因从磁铁112发出的磁场而被破坏。这样的影响可通过最小化磁通量的泄漏而减小。
[0066]此外，变得能通过减小不希望的磁通量的泄漏和通过形成适当的磁路而增加作用在磁铁112和第二磁体120之间的引力。换言之，甚至在磁铁112减小尺寸时，也可保持吸引力。这使得能减少所需磁铁112的数量，并且以很低的成本制造利用磁铁112和第二磁体120之间吸引力的磁气回路300A。另外，在减少必要磁铁112的数量时，变得能减小施加于环境的负载。
[0067]作为磁场影响的另一个不例，在磁铁112附近有传感器时，电磁铁的噪声可传到由传感器获得的产品中。该传感器可为地磁传感器或静电电容型传感器等。这样的影响可通过最小化磁通量的泄漏而减少。
[0068]此外，作为磁场影响的另一个示例，灰尘可能易于粘附到磁铁112的周边。作为示例，当磁气回路300A结合成键输入装置12时，灰尘可能易于粘附到键输入装置12的表面。这样的影响可通过最小化磁通量的泄漏而减小。
[0069]如稍后所描述，磁铁112可不设置在开口空间160A中。作为示例，磁铁120可设置在轭板IllA之间夹着的位置。因此，磁铁112可设置在开口空间160A中，或者可设置在轭板IllA之间夹着的位置。
[0070]当使用者压下键顶部130而执行键入时，释放了磁铁112和第二磁体120彼此磁吸引的状态，然后向下移动键顶部130。由于键顶部130的向下移动，建立了电连接且产生输入信号。作为示例，当信息处理设备10接收所产生的输入信号时，信息处理设备10可检测使用者已经实施了键入。
[0071]优选键顶部130向下倾斜运动。
[0072]为此，如图4所示，支撑构件200包括引导表面141，其相对于垂直于键顶部130的高度方向的水平面倾斜。键顶部130可提供有滑动部分150以沿着引导表面141滑动。引导表面141提供在支撑构件200中包括的引导部分140上。引导表面141的形状可为平面或弯曲面。
[0073]此外，当使用者释放对键顶部130的压力时，键顶部130向上运动且它返回到磁铁112和第二磁体120彼此磁吸引的状态。在图5中，示出了滑动部分150设置在键顶部130的四个拐角且引导部分140设置在支撑构件200的四个拐角的情况。然而，设置引导部分140的位置以及引导部分140的数量没有特别限制。设置滑动部分150的位置和滑动部分150的数量没有特别限制。
[0074]已经描述了根据本公开实施例的键输入单元100的示范性构造。
[0075][2-2.键输入单元的示范性运动]
[0076]现在将描述根据本公开第一实施例的键输入单元100的示范性运动。图6是示出根据本公开的第一实施例在每次键击时键输入单元100的示范性运动的示意图。
[0077]第一磁体IIOA和第二磁体120中的一个可设置在键顶部130中，并且其另一个可设置在支撑构件200中。换言之，第一磁体IIOA和第二磁体120中的一个磁体可设置在键顶部130中，并且第一磁体IlOA和第二磁体120的另一个磁体可设置在支撑构件200中。在此情况下，支撑构件200可通过导致第一磁体IIOA和第二磁体120彼此磁吸引而支撑键顶部130。
[0078]在图6所示的示例中，第一磁体IlOA设置在支撑构件200中，并且第二磁体120设置在键顶部130中。这样，当第一磁体IlOA设置在支撑构件200中时，磁铁112固定到支撑构件200，并且因此磁铁自身不运动。从而，在此情况下，磁场变化对周围环境的影响与第一磁体IlOA设置在键顶部130中的情况相比很小。作为示例，诸如地磁传感器的传感器具有这样的特性，其能纠正外部产生的固定磁噪声但对外部产生的变化磁噪声具有弱的抵抗。
[0079]作为示例，在第一磁体IlOA设置在键顶部130中的情况下，当使用者压下键顶部130时，第一磁体IlOA中包括的磁铁112向下运动。在此情况下，例如，如果电子装置(例如，磁记录介质或传感器等)构建在磁铁112的下侧中，则从磁铁112发出的磁场可能在电子装置上有影响。如图6所示，当第一磁体IlOA设置在支撑构件200中时，这样的影响可变为很少发生。
[0080]当使用者压键顶部130时，引导表面141可倾斜为使滑动部分150相对于使用者的位置从后向前滑动。作为选择，引导表面141可倾斜为使滑动部分150相对于使用者的位置从前向后滑动。[0081]在图6中，示出了这样的示例，其中引导表面141倾斜为当使用者压键顶部130时使滑动部分150相对于使用者的位置从后向前滑动运动量I。
[0082]当第一磁体IlOA设置在支撑构件200中时，必须使第一磁体IlOA设置在第一磁体IlOA与键顶部130的上下运动不干扰且第一磁体IlOA磁吸引到第二磁体120的位置。换言之，如图6所示，第二磁体120形成在键顶部130的边缘。第一磁体IlOA可在磁吸引到第二磁体120的位置形成在键顶部130上下运动范围的外侧。
[0083]图7是示出键顶部130的压下量和施加给键顶部130的负载之间关系的图。如上所述，根据本公开实施例的键输入装置12利用磁铁112和第二磁体120之间的吸引力。因此，键顶部130的压下量和使用者施加给键顶部130的负载之间的关系表示为图7所示的曲线(N-状曲线)。
[0084]表示为曲线的键顶部130的压下量和施加给键顶部130的负载之间的关系允许使用者感觉到点击感觉。
[0085]已经描述了根据本公开第一实施例的键输入单元100的示范性运动。
[0086][2-3.磁场(磁力线)分布的示范性变化]
[0087]现在将描述在根据本公开第一实施例的磁气回路300A中磁场(磁力线)分布的不范性变化。图8是示出在开始压下键顶部时磁场(磁力线)分布的示意图。图9是示出在压下键顶部的状态下磁场(磁力线)分布的示意图。图10是示出在结束压下键顶部时磁场(磁力线)分布的示意图。
[0088]参见图8，可见从磁铁112发出的磁场(磁力线)的泄漏在开始压下键顶部时极小。在图8中，支撑构件200的厚度表示为距离LB，键顶部130的厚度表示为距离LK，并且磁铁112的厚度表示为距离LG。
[0089]此外，参见图9，在键顶部被压下的状态下，来自磁铁112的磁场(磁力线)发生泄漏。在此情况下，磁场(磁力线)集中在磁铁112和第二磁体120之间的间隙附近，并且因此发现磁场(磁力线)的泄漏很小。在图9中，第二磁体120的向下运动量表示为距离LSI。
[0090]参见图10，在压下键顶部结束时，磁铁112和第二磁体120之间的间隙大，并且从磁铁112泄漏的磁场(磁力线)延伸到支撑构件200。然而，可发现磁场(磁力线)的泄漏保持很小。特别是，抑制了到磁铁112下侧的磁场(磁力线)，并且因此当电子装置构建在磁铁112的下侧中时，可能减小来自磁铁112的磁通量的泄漏对电子装置影响的可能性。
[0091]在图10中，第二磁体120的向下运动量表示为距离LS2。
[0092]上面已经描述了在根据本公开第一实施例的磁气回路300A的不例中磁场(磁力线)分布的示范性变化。稍后将参考图16至18描述在根据比较示例的成对磁铁的示例中磁场(磁力线)分布的示范性变化。
[0093][2-4.磁体厚度和磁场(磁力线)分布之间的关系]
[0094]随后，将描述支撑构件200中设置的磁体的厚度和磁场(磁力线)分布之间的关系。图1lA是不出在根据本公开第一实施例的磁气回路300A的不例中轭和磁体附近的磁场(磁力线)分布的示意图。图1lB是示出在磁体之间的距离与图1lA所示的状态相比大的情况下轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图。相对磁极面之间的磁引力通常具有这样的关系，其与受到吸引力的磁极面的通量密度的平方成比例，并且与磁极面的面积成比例。
[0095]在图1lA和IlB所示的状态下，轭板IllA和第二磁体120每一个的厚度表示为LMl0在图1lA所示的状态下，有“七条”磁力线通过磁体的相对磁极面之间。另一方面，在图1lB所示的状态下，磁体之间的距离大，并且有“四条”磁力线在磁体之间。
[0096]图1lC是示出在支撑构件200中设置的磁体的厚度与图1lA所示的状态相比增加的情况下轭和磁体附近的磁场(磁力线)分布的示意图。图1lD是示出在磁体之间的距离与图1lC所示的状态相比大的状态下轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图。
[0097]在图1lC和IlD所示的状态下，第二磁体120的厚度表示为LM1，并且轭板IllA的厚度表示为LM2。在图1lC所示的状态下，有“十条”磁力线在磁体之间。另一方面，在图1lD所示的状态下，磁体之间的距离大，并且有“六条”磁力线在磁体之间。
[0098]图1lE是示出在支撑构件200中设置的磁体的厚度与图1IC所示的状态相比增大的状态下轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图。图1lF是示出在磁体之间的距离与图1lE所示的状态相比大的状态下轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图。
[0099]在图1lE和IlF所示的状态下，第二磁体120的厚度表示为LM1，并且轭板IllA的厚度表示为LM3。在图1lE所示的状态下，有“十一条”磁力线在磁体之间。另一方面，在图1IF所示的状态下，磁体之间的距离大，并且有“八条”磁力线在磁体之间。
[0100]如图1lA至IlF所示，当使用者压下键顶部130时，键顶部130中设置的磁体与键顶部130 —起向下运动。因此，考虑到键顶部130中设置的磁体的向下或向上运动，优选支撑构件200中设置的磁体的厚度大于键顶部130中设置的磁体的厚度。这样，甚至在键顶部130中设置的磁体向下运动时，也能保持较强的吸引力。
[0101]如图1lA至IlF所示，由于支撑构件200中设置的磁体的厚度较大，吸引力可更加稳定地得以保持。特别是，当磁体之间的距离大时，通过增加支撑构件200中设置的磁体的厚度实现了通过相对磁极面之间的磁力线的增加率的显著改善，因此更加稳定地保持吸引力。
[0102]上面已经描述了支撑构件200中设置的磁体的厚度和磁场(磁力线)分布之间的关
系O
[0103][2-5.修改示例]
[0104]现在将描述在根据本公开第一实施例的修改示例的磁气回路300A’的示例中的磁场(磁力线)分布。根据本公开第一实施例的修改示例的磁气回路300A’的构造与根据本公开第一实施例的磁气回路的不同。因此，下面的描述主要集中在根据本公开第一实施例的修改示例的磁气回路300A’上。图12是示出在根据本公开第一实施例的修改示例的磁气回路300A’的示例中轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图。
[0105]如图12所示，磁气回路300A’包括第一磁体110A’和第二磁体120。然而，在与根据本公开第一实施例的第一磁体IlOA比较时，在根据本公开的修改示例的第一磁体110A’中，轭板IllA具有突向第二磁体120的端部以长于磁铁112。图12示出了轭板IllA面对第二磁体120的端部从磁铁112以突出量X突向第二磁体120的示例。
[0106]对于这样的构造，能防止磁铁112因磁铁112和第二磁体120之间的直接碰撞引起的损坏，因此改善磁气回路300A’的耐久性。特别是，如果作为强永磁铁的钕(Nd-Fe-B)磁铁用作磁铁112，则进行防止作为钕磁铁的主要成分包含的铁氧化的电镀工艺。因此，也能防止经受电镀的表面处理层剥离。
[0107]上面已经描述了在根据本公开第一实施例的修改示例的磁气回路300A’的示例中的磁场(磁力线)分布。
[0108]上面已经描述了本公开的第一实施例。
[0109]〈〈3.第二实施例》
[0110]随后，将描述本公开的第二实施例。根据本公开第二实施例的磁气回路的构造与根据本公开第一实施例的磁气回路的构造不同。因此，下面的描述主要集中在根据本公开第二实施例的磁气回路300B。图13是示出在根据本公开第二实施例的磁气回路300B的示例中轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图。
[0111]如图13所不,磁气回路300B包括第一磁体IlOB和第二磁体120。在根据本公开第一实施例的第一磁体IlOA中，轭板IllA具有U状截面，其所有的拐角为直角。另一方面，在根据本公开第二实施例的第一磁体IlOB中，轭板IllB具有U状截面，具有圆形拐角。换言之，轭板IllB的形状没有特别限定。如图13所示，开口空间160B由轭板IllB形成，并且磁铁112设置在开口空间160B中。
[0112]上面已经描述了本公开的第二实施例。
[0113]〈〈4.第三实施例》
[0114]现在将描述本公开的第三实施例。根据本公开第三实施例的磁气回路的构造与根据本公开第一实施例的磁气回路的构造不同。因此，下面的描述集中在根据本公开第三实施例的磁气回路300C上。图14是示出在根据本公开第三实施例的磁气回路300C的示例中轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图。 [0115]如图14所不,磁气回路300C包括第一磁体IIOC和第二磁体120。根据本公开第一实施例的磁铁112设置在开口空间160A中。另一方面，根据本公开第三实施例的磁铁112设置在轭板IllC之间夹着的位置。在图14所示的示例中，轭板IllC形成开口空间160C。
[0116]如示例所示,磁铁112设置在轭板IllC之间夹着的位置。如图14A所示,单一闭磁路可由第一磁体IlOC和第二磁体120形成。换言之，可形成一个或多个闭磁路。
[0117]上面已经描述了本公开的第三实施例。
[0118]〈〈5.第四实施例》
[0119]现在将描述本公开的第四实施例。根据本公开第四实施例的磁气回路的构造与根据本公开第一实施例的磁气回路的构造不同。因此，下面的描述集中在根据本公开第四实施例的磁气回路300D。图15是示出在根据本公开第四实施例的磁气回路300D的示例中轭和磁体附近磁场(磁力线)分布的示意图。
[0120]如图15所不,磁气回路300D包括第一磁体IlOD和第二磁体120。根据本公开第一实施例的轭板IllA形成单一的开口空间160A。另一方面，根据本公开第四实施例的轭板IllD形成多个开口空间160D。在图15所示的示例中，由轭板IllD形成两个开口空间160D。
[0121]换言之,第一磁体IlOD可包括多个磁铁112和多个轭板111D。轭板IllD可形成面对第二磁体120且对应于多个磁铁112的每一个的开口空间160D。多个磁铁112的每一个设置在对应的开口空间160D中，因此多个闭磁路可由第一磁体IlOD和第二磁体120形成。
[0122]上面已经描述了本公开的第四实施例。
[0123]?6.结论》[0124]如上所述，根据本公开的实施例，所提供的磁气回路包括第一磁体IlOA和第二磁体120。第一磁体IlOA包括磁铁112和轭板111A。轭板IllA在面对第二磁铁120的位置形成开口空间160A，并且磁铁112设置在开口空间160A中或者在轭板IllA之间夹着的位置。
[0125]对于这样的构造，能够以非常低的成本制造利用磁铁112和第二磁体120之间吸引力的磁气回路300A。
[0126]为了从根据实施例的磁气回路更加清楚地理解所预期的效果，现在将描述在根据比较示例的一对磁铁的示例中磁场(磁力线)的示范性变化。图16是示出根据比较示例在开始压下键顶部时磁场(磁力线)分布的示意图。图17是示出根据比较示例在键顶部压下的状态下磁场(磁力线)分布的示意图。图18是示出根据比较示例在压下键顶部结束时磁场(磁力线)分布的示意图。
[0127]如图16至18所示，在这些比较示例中，成对磁铁(磁铁912和912B)之间的吸引力可用作保持键顶部130就位的力。参见图16至18，在这些比较示例中，可发现磁力线的分布形成在成对磁铁(磁铁912和912B)或构成成对磁铁的磁铁912A (磁铁912B)周围的8字状，并且扩展到周围空间的水平和垂直方向。
[0128]应注意，本公开的优选实施例已经参考附图进行了详细描述。然而，本公开的实施例不限于上面描述的示例。本领域的技术人员应理解，在所附权利要求及其等同物的范围内，根据设计需要和其它因素可进行各种修改、结合、部分结合和替换。
[0129]另外，本技术也可构造如下。
[0130](I) 一种磁气回路,包括:
[0131 ] 第一磁体，构造为包括磁铁和轭板；以及
[0132]第二磁体，
[0133]其中所述轭板在所述第二磁体侧形成开口空间，并且
[0134]其中所述磁铁设置在所述开口空间中或者在所述轭板之间夹着的位置。
[0135](2)根据(I)所述的磁气回路，
[0136]其中所述第一磁体和所述第二磁体之一设置在可动体中，
[0137]其中所述第一磁体和所述第二磁体的另一个设置在支撑构件中，并且
[0138]其中所述支撑构件通过使所述第一磁体和所述第二磁体彼此磁吸引而支撑所述可动体。
[0139](3)根据(2)所述的磁气回路，
[0140]其中所述第一磁体设置在所述支撑构件中，并且
[0141]其中所述第二磁体设置在所述可动体中。
[0142](4)根据(2)或(3)所述的磁气回路，
[0143]其中所述第二磁体形成在所述可动体的边缘上，并且
[0144]其中所述第一磁体在磁吸引到所述第二磁体的位置形成在所述可动体的上下运动范围的外侧。
[0145](5)根据(2)至(4)任一项所述的磁气回路，
[0146]其中所述支撑构件具有引导表面，该引导表面相对于垂直于所述可动体的高度方向的水平面倾斜，并且[0147]其中所述可动体包括在所述引导表面上滑动的滑动部分。
[0148](6)根据(2)至(5)任一项所述的磁气回路，其中所述支撑构件中设置的所述磁体的厚度大于所述可动体中设置的所述磁体的厚度。
[0149](7)根据(I)至(6)任一项所述的磁气回路，其中所述轭板具有在所述第二磁体侧的端部，所述端部向所述第二磁体突出。
[0150](8)根据(I)至(7)任一项所述的磁气回路，其中所述第一磁体和所述第二磁体形成闭磁路。
[0151](9)根据(8)所述的磁气回路，其中当所述磁铁设置在所述开口空间中时，所述第一磁体和所述第二磁体形成两个闭磁路。
[0152](10)根据(8)所述的磁气回路，其中当所述磁铁设置在所述轭板之间夹着的位置时，所述第一磁体和所述第二磁体形成单一的闭磁路。
[0153](11)根据(8)所述的磁气回路，
[0154]其中所述第一磁体包括多个磁铁和轭板，
[0155]其中所述轭板形成对应于所述多个磁铁的每一个且在所述第二磁体侧的开口空间，并且
[0156]其中当所述多个磁铁的每一个设置在对应的开口空间中时，所述第一磁体和所述第二磁体形成多个闭磁路。
[0157](12) —种键输入装置，包括:
[0158]根据(5)所述的磁气回路，
[0159]其中所述可动体是由使用者按压的键顶部。
[0160](13)根据(12)所述的键输入装置，其中所述引导表面倾斜为当所述键顶部由使用者按压时使所述滑动部分相对于使用者的位置从后向前滑动。
[0161](14) 一种键输入装置，包括:
[0162]磁气回路，
[0163]其中所述磁气回路包括
[0164]第一磁体，构造为包括磁铁和轭板；以及
[0165]第二磁体，
[0166]其中所述轭板在所述第二磁体侧形成开口空间，并且
[0167]其中所述磁铁设置在所述开口空间中或在所述轭板之间夹着的位置。
[0168](15)根据(14)所述的键输入装置，
[0169]其中所述第一磁体和所述第二磁体之一设置在可动体中，
[0170]其中所述第一磁体和所述第二磁体的另一个设置在支撑构件中，并且
[0171]其中所述支撑构件通过使所述第一磁体和所述第二磁体彼此磁吸引而支撑所述可动体。
[0172]( 16)根据(15)所述的键输入装置，
[0173]其中所述第一磁体设置在所述支撑构件中，并且
[0174]其中所述第二磁体设置在所述可动体中。
[0175](17)根据(15)所述的键输入装置，
[0176]其中所述第二磁体形成在所述可动体的边缘上，[0177]其中所述第一磁体在磁吸引到所述第二磁体的位置形成在所述可动体的上下运动范围的外侧。
[0178]( 18)根据(15)所述的键输入装置，
[0179]其中所述支撑构件具有引导表面，该引导表面相对于垂直于所述可动体的高度方向的水平面倾斜，
[0180]其中所述可动体包括在所述引导表面上滑动的滑动部分。
[0181](19)根据(15)所述的键输入装置，其中所述支撑构件中设置的所述磁体的厚度大于所述可动体中设置的所述磁体的厚度。
[0182](20)根据(14)所述的键输入装置，其中所述轭板具有在所述第二磁体侧的端部，所述端部向所述第二磁体突出。
[0183]本申请要求2012年11月7日提交的日本优先权专利申请JP2012-245251的权益，其全部内容通过引用结合于此。
【权利要求】
1.一种磁气回路，包括: 第一磁体，构造为包括磁铁和轭板；以及 第二磁体， 其中所述轭板在所述第二磁体侧形成开口空间，并且 其中所述磁铁设置在所述开口空间中或者在所述轭板之间夹着的位置。
2.根据权利要求1所述的磁气回路， 其中所述第一磁体和所述第二磁体之一设置在可动体中， 其中所述第一磁体和所述第二磁体的另一个设置在支撑构件中，并且 其中所述支撑构件通过使所述第一磁体和所述第二磁体彼此磁吸引而支撑所述可动体。
3.根据权利要求2所述的磁气回路， 其中所述第一磁体设置在所述支撑构件中，并且 其中所述第二磁体设置在所述可动体中。
4.根据权利要求2所述的磁气回路， 其中所述第二磁体形成在所述可动体的边缘上，并且 其中所述第一磁体在磁吸引到所述第二磁体的位置形成在所述可动体的上下运动范围的外侧。
5.根据权利要求2所述的磁气回路， 其中所述支撑构件具有引导表面，该引导表面相对于垂直于所述可动体的高度方向的水平面倾斜，并且 其中所述可动体包括在所述引导表面上滑动的滑动部分。
6.根据权利要求2所述的磁气回路，其中所述支撑构件中设置的所述磁体的厚度大于所述可动体中设置的所述磁体的厚度。
7.根据权利要求1所述的磁气回路，其中所述轭板具有在所述第二磁体侧的端部，所述端部向所述第二磁体突出。
8.根据权利要求1所述的磁气回路，其中所述第一磁体和所述第二磁体形成闭磁路。
9.根据权利要求8所述的磁气回路，其中当所述磁铁设置在所述开口空间中时，所述第一磁体和所述第二磁体形成两个闭磁路。
10.根据权利要求8所述的磁气回路，其中当所述磁铁设置在所述轭板之间夹着的位置时，所述第一磁体和所述第二磁体形成单一的闭磁路。
11.根据权利要求8所述的磁气回路， 其中所述第一磁体包括多个磁铁和轭板， 其中所述轭板形成对应于所述多个磁铁的每一个且在所述第二磁体侧的开口空间，并且 其中当所述多个磁铁的每一个设置在对应的开口空间中时，所述第一磁体和所述第二磁体形成多个闭磁路。
12.—种键输入装置，包括: 根据权利要求5所述的磁气回路， 其中所述可动体是由使用者按压的键顶部。
13.根据权利要求12所述的键输入装置，其中所述引导表面倾斜为当所述键顶部由使用者按压时使所述滑动部分相对于使用者的位置从后向前滑动。
14.一种键输入装置，包括: 磁气回路， 其中所述磁气回路包括 第一磁体，构造为包括磁铁和轭板；以及 第二磁体， 其中所述轭板在所述第二磁体侧形成开口空间，并且 其中所述磁铁设置在所述开口空间中或在所述轭板之间夹着的位置。
15.根据权利要求14所述的键输入装置， 其中所述第一磁体和所述第二磁体之一设置在可动体中， 其中所述第一磁体和所述第二磁体的另一个设置在支撑构件中，并且 其中所述支撑构件通过使所述第一磁体和所述第二磁体彼此磁吸引而支撑所述可动体。
16.根据权利要求15所述的键输入装置， 其中所述第一磁体设置在所述支撑构件中，并且 其中所述第二磁体设置在所述 可动体中。
17.根据权利要求15所述的键输入装置， 其中所述第二磁体形成在所述可动体的边缘上， 其中所述第一磁体在磁吸引到所述第二磁体的位置形成在所述可动体的上下运动范围的外侧。
18.根据权利要求15所述的键输入装置， 其中所述支撑构件具有引导表面，该引导表面相对于垂直于所述可动体的高度方向的水平面倾斜， 其中所述可动体包括在所述引导表面上滑动的滑动部分。
19.根据权利要求15所述的键输入装置，其中所述支撑构件中设置的所述磁体的厚度大于所述可动体中设置的所述磁体的厚度。
20.根据权利要求14所述的键输入装置，其中所述轭板具有在所述第二磁体侧的端部，所述端部向所述第二磁体突出。
【文档编号】G06F3/02GK103809764SQ201310532638
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年10月31日 优先权日:2012年11月7日
【发明者】木下昭仁, 久保田仁, 辻泰志, 千原秀一, 小堀雅宏, 三泽淳一郎 申请人:索尼公司