一种ogs触摸屏的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种OGS触摸屏，属触摸屏领域，解决了边框层不耐高温致使ITO导电膜质量较低的问题。一种OGS触摸屏，包括玻璃基板，还包括TiCN边框层、消影膜、ITO导电膜、OC绝缘层、金属膜层、保护层、第一边框丝印层，玻璃基板、TiCN边框层、消影膜、ITO导电膜、OC绝缘层、金属膜层、保护层、第一边框丝印层依照玻璃基板、TiCN边框层、消影膜、ITO导电膜、OC绝缘层、金属膜层、保护层、第一边框丝印层的顺序依次排列，相邻两层相互贴合。使用TiCN边框可耐受高温，使沉积ITO导电膜时可使用超过230℃的高温，从而提高ITO导电膜的质量，提高良品率。
【专利说明】一种OGS触摸屏
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及触摸屏领域，特别是一种OGS触摸屏。
【背景技术】
[0002]目前OGS电容式触摸屏普遍采用的边框工艺为丝网印刷或BM光阻剂(与ITO层在同一面)，可以基本满足OGS触摸屏的使用要求，但无论是丝网印刷还是BM光阻剂都无法耐受高温，即温度不能高于230°C，即ITO膜层沉积时不能采用超过230°C的温度造成ITO膜层沉积质量较低，从产品的良品率不高。
【发明内容】
[0003]本实用新型所要达到的目的是提供一种OGS触摸屏，耐受高温，ITO导电膜质量闻。
[0004]为了达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案:一种OGS触摸屏，包括玻璃基板，还包括TiCN边框层、消影膜、ITO导电膜、OC绝缘层、金属膜层、保护层、第一边框丝印层，玻璃基板、TiCN边框层、消影膜、ITO导电膜、OC绝缘层、金属膜层、保护层、第一边框丝印层依照玻璃基板、TiCN边框层、消影膜、ITO导电膜、OC绝缘层、金属膜层、保护层、第一边框丝印层的顺序依次排列，相邻两层相互贴合。
[0005]进一步的，所述消影膜由五氧化二铌层和二氧化硅层构成，五氧化二铌层一面与二氧化硅层贴合，五氧化二铌层另一面与TiCN边框层贴合，二氧化硅层一面与五氧化二铌层贴合，二氧化硅层另一面与ITO导电膜贴合。
[0006]进一步的，还包括第二边框丝印层，第二边框丝印层设于第一边框丝印层上相对于保护层的另一面。两遍边框丝印后视觉效果更佳。
[0007]本实用新型同时公开另一种技术方案，与上一技术方案不同的是，所述TiCN边框层由TiN边框层替换。
[0008]进一步的，所述消影膜由五氧化二铌层和二氧化硅层构成，五氧化二铌层一面与二氧化硅层贴合，五氧化二铌层另一面与TiN边框层贴合，二氧化硅层一面与五氧化二铌层贴合，二氧化硅层另一面与ITO导电膜贴合。
[0009]进一步的，还包括第二边框丝印层，第二边框丝印层设于第一边框丝印层上相对于保护层的另一面。两遍边框丝印后视觉效果更佳。
[0010]采用上述技术方案后，本实用新型具有如下优点:
[0011]使用TiCN边框可耐受高温，使沉积ITO导电膜时可使用超过230°C的高温，从而提高ITO导电膜的质量，提高良品率。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
[0013]图1为本实用新型实施例一中各层的爆炸图。【具体实施方式】
[0014]实施例一
[0015]附图1所示为本实用新型的一种实施例。
[0016]一种OGS触摸屏，包括玻璃基板I，还包括TiCN边框层2、消影膜、ITO导电膜5、OC绝缘层6、金属膜层7、保护层8、第一边框丝印层9、第二边框丝印层10，消影膜由五氧化二铌层3和二氧化硅层4构成，五氧化二铌层3 —面与二氧化硅层4贴合，五氧化二铌层3另一面与TiCN边框层2贴合,二氧化娃层4 一面与五氧化二银层3贴合,二氧化娃层4另一面与ITO导电膜5贴合。各层依照玻璃基板1、TiCN边框层2、消影膜、ITO导电膜5、OC绝缘层6、金属膜层7、保护层8、第一边框丝印层9、第二边框丝印层10的顺序依次排列，相邻两层相互贴合。
[0017]上述OGS触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，在玻璃基板I的一面使用300°C的温度(也可以是280°C、320°C或280°C _320°C中的其他取值)沉积TiCN，使用蚀刻工艺制作形成TiCN边框层2 ;在TiCN边框层2上使用220°C的温度(也可以是210°C、230°C或210°C _230°C中的其他取值)沉积一层五氧化二铌层3 ;在五氧化二铌层3上覆盖一层二氧化硅层4与五氧化二铌层3共同构成消影膜；在消影膜上溅射氧化铟锡并使用350°C的温度(也可以是340°C、360°C或340°C _360°C中的其他取值)的温度退火处理形成ITO导电膜5，在ITO导电膜5上蚀刻电路；在ITO导电膜5上覆盖OC绝缘层6绝缘；在OC绝缘膜层上使用220°C的温度(也可以是215°C、225°C或215°C _225°C中的其他取值)沉积一层金属膜层7，在金属膜层7上蚀刻过桥和电路；在金属膜层7上覆盖一层二氧化硅材质的保护层8 ;进行一遍或两遍边框丝印制成OGS触摸传感器；使用OCA光学胶将显示屏贴合在OGS触摸传感器带有保护层8的一面制成OGS触摸屏。
[0018]使用TiCN边框可耐受高温，使沉积ITO导电膜时可使用超过230°C的高温，从而提高ITO导电膜的质量，提高良品率。
[0019]实施例二
[0020]见图1，一种OGS触摸屏，包括玻璃基板I，还包括TiN边框层2、消影膜、ITO导电膜5、OC绝缘层6、金属膜层7、保护层8、第一边框丝印层9、第二边框丝印层10，消影膜由五氧化二铌层3和二氧化硅层4构成，五氧化二铌层3 —面与二氧化硅层4贴合，五氧化二银层3另一面与TiN边框层2贴合,二氧化娃层4 一面与五氧化二银层3贴合,二氧化娃层4另一面与ITO导电膜5贴合。各层依照玻璃基板1、TiN边框层2、消影膜、ITO导电膜5、OC绝缘层6、金属膜层7、保护层8、第一边框丝印层9、第二边框丝印层10的顺序依次排列，相邻两层相互贴合。
[0021]上述OGS触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，在玻璃基板I的一面使用300°C的温度(也可以是280°C、320°C或280°C _320°C中的其他取值)沉积TiN，使用蚀刻工艺制作形成TiN边框层2 ;在TiN边框层2上使用220°C的温度(也可以是210°C、230°C或210°C _230°C中的其他取值)沉积一层五氧化二铌层3 ;在五氧化二铌层3上覆盖一层二氧化硅层4与五氧化二铌层3共同构成消影膜；在消影膜上溅射氧化铟锡并使用350°C的温度(也可以是340°C、360°C或340°C _360°C中的其他取值)的温度退火处理形成ITO导电膜5，在ITO导电膜5上蚀刻电路；在ITO导电膜5上覆盖OC绝缘层6绝缘；在OC绝缘膜层上使用220°C的温度(也可以是215°C、225°C或215°C _225°C中的其他取值)沉积一层金属膜层7，在金属膜层7上蚀刻过桥和电路；在金属膜层7上覆盖一层二氧化硅材质的保护层8 ;进行一遍或两遍边框丝印制成OGS触摸传感器；使用OCA光学胶将显示屏贴合在OGS触摸传感器带有保护层8的一面制成OGS触摸屏。
[0022]使用TiN边框可耐受高温，使沉积ITO导电膜时可使用超过230°C的高温，从而提高ITO导电膜的质量，提高良品率。
[0023]除上述优选实施例外，本实用新型还有其他的实施方式，本领域技术人员可以根据本实用新型作出各种改变和变形，只要不脱离本实用新型的精神，均应属于本实用新型所附权利要求所定义的范围。
【权利要求】
1.一种OGS触摸屏，包括玻璃基板(I)，其特征在于:还包括TiCN边框层(2)、消影膜、ITO导电膜(5)、0C绝缘层(6)、金属膜层(7)、保护层(8)、第一边框丝印层(9)，玻璃基板、TiCN边框层、消影膜、ITO导电膜、OC绝缘层、金属膜层、保护层、第一边框丝印层依照玻璃基板、TiCN边框层、消影膜、ITO导电膜、OC绝缘层、金属膜层、保护层、第一边框丝印层的顺序依次排列，相邻两层相互贴合。
2.根据权利要求1所述的一种OGS触摸屏，其特征在于:所述消影膜由五氧化二铌层(3)和二氧化硅层(4)构成，五氧化二铌层一面与二氧化硅层贴合，五氧化二铌层另一面与TiCN边框层贴合,二氧化娃层一面与五氧化二银层贴合,二氧化娃层另一面与ITO导电膜贴合。
3.根据权利要求1或2所述的一种OGS触摸屏，其特征在于:还包括第二边框丝印层(10)，第二边框丝印层设于第一边框丝印层上相对于保护层的另一面。
4.根据权利要求1所述的一种OGS触摸屏，其特征在于:所述TiCN边框层由TiN边框层替换。
5.根据权利要求4所述的一种OGS触摸屏，其特征在于:所述消影膜由五氧化二铌层和二氧化硅层构成，五氧化二铌层一面与二氧化硅层贴合，五氧化二铌层另一面与TiN边框层贴合，二氧化娃层一面与五氧化二银层贴合，二氧化娃层另一面与ITO导电膜贴合。
6.根据权利要求4或5所述的一种OGS触摸屏，其特征在于:还包括第二边框丝印层，第二边框丝印层设于第一边框丝印层上相对于保护层的另一面。
【文档编号】G06F3/041GK203825592SQ201420238875
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年5月9日 优先权日:2014年5月9日
【发明者】张吉 申请人:浙江金指科技有限公司