一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法及内嵌式触摸屏与流程

文档序号:19589207发布日期:2020-01-03 10:02阅读:265来源:国知局
一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法及内嵌式触摸屏与流程

本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法及内嵌式触摸屏。



背景技术:

随着显示技术的迅速发展,触摸屏(英文:touchpanel,简称tp)已经广泛应用于手机、平板电脑等电子设备中。目前,触摸屏按照组成结构可以分为外挂式触摸屏和内嵌式触摸屏,其中,外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏分开生成,然后贴合在一起成为具有触摸功能的液晶显示屏;内嵌式触摸屏是将触摸屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部。与外挂式触摸屏相比,内嵌式触摸屏的光透过率较高,模组厚度小,因而内嵌式触摸屏得到广泛的应用。

内嵌式触摸屏包括多行像素,每个像素对应一个薄膜晶体管(thinfilmtransistor,tft)。内嵌式触摸屏采用分时复用的方法进行显示扫描与tp扫描,首先对一定行数的像素(一个充电区域)进行充电(显示扫描),然后对上述一定行数的像素进行tp扫描,当上述一定行数的像素的tp扫描结束之后,对另一个一定行数的像素(另一个充电区域)进行显示扫描与tp扫描,直至内嵌式触摸屏的面板内的所有像素都完成显示扫描和tp扫描为止。其中,显示扫描用于图像信号扫描,tp扫描用于触控信号扫描,进行显示扫描和tp扫描之后,在充电区域可以同时实现显示和触摸。对于一个充电区域来说,当这个充电区域工作时,首先将这个充电区域内的每行像素对应的每行tft的栅极接入栅极高电压vgh,将tft打开,对每行tft进行充电,完成图像信号扫描;当充电完成时,将每行tft的栅极接入栅极低电压vgl,将tft关闭,保持每个tft的漏极电压,同时进行tp扫描,完成触控信号扫描。

然而,当充电完成时,这个充电区域内的最后一行tft没有来得及完全关闭(未能及时将tft的栅极电压拉低)造成这一行tft的漏极电压通过tft的源极漏电,从而造成这一行tft对应的像素的显示偏暗,导致显示不均匀。



技术实现要素:

本发明实施例公开了一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法及内嵌式触摸屏,可以提高内嵌式触摸屏的显示均一性。

本发明实施例第一方面公开一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法,所述内嵌式触摸屏包括多行像素,每个像素对应一个薄膜晶体管,所述方法包括:

确定所述内嵌式触摸屏的显示异常行,所述显示异常行是显示亮度偏暗的一行或多行像素;

将所述显示异常行的显示亮度提高,以使所述显示异常行的显示亮度与所述内嵌式触摸屏内的其他行的显示亮度相同。

本发明实施例第二方面公开一种内嵌式触摸显示屏,所述内嵌式触摸显示屏采用本发明实施例第一方面的方法制得。

本发明实施例中,首先确定内嵌式触摸屏的显示异常行,显示异常行是显示亮度偏暗的一行或多行像素;然后将显示异常行的显示亮度提高,以使显示异常行的显示亮度与内嵌式触摸屏内的其他行的显示亮度相同,从而可以提高内嵌式触摸屏的显示均一性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a是本发明实施例公开的一种内嵌式触摸屏的结构示意图;

图1b是本发明实施例公开的另一种内嵌式触摸屏的结构示意图;

图2是本发明实施例公开的一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法的流程示意图;

图3是本发明实施例公开的另一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法的流程示意图;

图4是本发明实施例公开的另一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法的流程示意图;

图5是本发明实施例公开的一种内嵌式触摸屏的显示效果示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

本发明实施例公开了一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法及内嵌式触摸屏,可以提高内嵌式触摸屏的显示均一性。以下分别进行详细说明。

为了更好的理解本发明实施例,下面先对本发明实施例公开的一种内嵌式触摸屏的结构进行描述。

请参阅图1a,图1a是本发明实施例公开的一种内嵌式触摸屏的结构示意图。如图1a所示,内嵌式触摸屏10包括多行像素(如图1a中的像素cl1、像素cl2),每一行像素可以有多个,每个像素对应一个薄膜晶体管tft(如图1a所示的t00、t01、t02)。栅极驱动芯片113用于为每行像素对应的tft提供栅极扫描信号,源极驱动芯片112用于为每行像素对应的tft提供源极数据信号。源极驱动芯片112具体可以为显示集成驱动芯片(英文:touchanddisplaydriverintegrationic,简称tddi芯片)。内嵌式触摸屏采用分时复用的方法进行显示扫描与触摸屏(英文:touchpanel,简称tp)扫描,在不同的时间段内对不同的充电区域进行显示扫描与tp扫描。如图1a中的第一充电区域101、第二充电区域102、...第m充电区域10m,其中m为正整数。每个充电区域的显示扫描和通过栅极驱动芯片113和触控与显示集成驱动芯片(英文:touchanddisplaydriverintegrationic,简称tddi芯片)来实现,栅极驱动芯片113和源极驱动芯片112用于控制充电区域的tft进行显示扫描和tp扫描。每个充电区域可以对应一个源极驱动芯片112,也可以是内嵌式触摸屏10内的所有充电区域对应同一个源极驱动芯片112,图1a以内嵌式触摸屏10内的所有充电区域对应同一个源极驱动芯片112为例进行说明。

每个充电区域包括多行像素,每个像素对应一个薄膜晶体管(thinfilmtransistor,tft),通过对像素进行充放电调控像素的亮度。其中,以第一充电区域101为例,包括n行像素,其中,n为正整数,如图1a中的第一行像素1111、第二行像素1112、...第n行像素111n。第一充电区域101内的每一行像素对应的tft的栅极与栅极驱动芯片113连接,第一充电区域101内的每一行像素对应的tft的源极与源极驱动芯片112连接。图1a中的第一行像素1111、第二行像素1112、...第n行像素111n均可以对应多个tft,例如第一行像素1111对应t00、t01、t02等多个晶体管,第二行像素1112对应t10、t11、t12等多个晶体管,第n行像素111n对应tn0、tn1、tn2等多个晶体管。

本发明实施中,当栅极驱动芯片113和源极驱动芯片112对第一充电区域101进行显示扫描时,扫描线g0、g1、...gn依次输入栅极扫描信号,同时数据线d0、d1、d2的源极信号输入t00、t01、t02等晶体管,对第一充电区域101内的像素对应的tft进行充电,一段时间之后,当第一充电区域101内的像素对应的tft充电完成之后,第一充电区域101内的每行像素对应的每行tft的栅极接入栅极低电压vgl,第一充电区域101内的每行像素对应的每行tft关闭,以保持第一充电区域101内的每行像素对应的tft的漏极电压,完成图像信号扫描。此时,对第一充电区域101进行tp扫描,完成触控信号扫描。然而,当栅极驱动芯片113和源极驱动芯片112对第一充电区域101进行tp扫描时,第一充电区域101内的最后一行像素对应的tft(如图1a中的tn0、tn1、tn2等)没有来得及完全关闭,造成这一行像素对应的tft的漏极电压通过tft的源极漏电,从而造成这一行像素对应的tft对应的像素的显示偏暗,导致显示不均匀。

请参阅图1b,图1b是本发明实施例公开的另一种内嵌式触摸屏的结构示意图。如图1b所示,内嵌式触摸屏10包括多行像素(如图1b中的像素cl1、像素cl2),每一行像素可以有多个,每个像素对应一个薄膜晶体管tft。栅极驱动芯片113用于为每行像素对应的tft提供栅极扫描信号(如图1b中的g(n-2)、g(n-1)、g(n)、g(n+1)、g(n+2)等),源极驱动芯片112用于为每行像素对应的tft提供源极数据信号(如图1b中的data1、data2、data3、data4、data5、data6、data7、data8等)。源极驱动芯片112和栅极驱动芯片113用于对内嵌式触摸屏的多行像素进行显示扫描和tp扫描,具体而言,可以采用时分复用的方法,例如,内嵌式触摸屏内总共有1000行像素,源极驱动芯片112和栅极驱动芯片113首先对第一个200行像素同时进行显示扫描,显示扫描结束之后,在对第一个200行像素同时进行tp扫描,tp扫描结束,接下来对第二个200行像素同时进行显示扫描,以此类推,直至1000行像素全部完成显示扫描和tp扫描。

基于图1a或图1b的内嵌式触摸屏的结构,提供一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法,请参阅图2,图2是本发明实施例公开的一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法的流程示意图。如图2所示,包括如下步骤。

201,确定内嵌式触摸屏的显示异常行,该显示异常行是显示亮度偏暗的一行或多行像素。

本发明实施例中,在内嵌式触摸屏中,内嵌式触摸屏包括多行像素,每个像素对应一个薄膜晶体管(thinfilmtransistor,简称:tft)。确定内嵌式触摸屏的显示异常行,显示异常行是显示亮度偏暗的一行或多行像素。确定内嵌式触摸屏的显示异常行的方法可以为:将内嵌式触摸屏打开之后,通过机器检测或人眼观察内嵌式触摸屏内显示亮度偏暗的一行或多行像素,例如,可以通过内嵌式触摸屏显示器自带的检测系统进行检测,当检测到某一行或多行像素的显示亮度偏暗时,即确定这一行或多行像素为显示异常行。还可以在显示扫描时,检测内嵌式触摸屏内的一行或多行像素对应的tft是否漏电,每个充电区域的漏电的那一行或多行像素对应的tft即为每个充电区域的显示异常行。具体来说,可以通过电压检测装置检测内嵌式触摸屏内的一行或多行像素对应的tft的漏极电压是否降低,若降低,则确定内嵌式触摸屏内的这一行或多行像素为显示异常行。

可选的,步骤201可以包括:

确定内嵌式触摸屏内像素电极漏电的一行或多行是显示异常行。

本发明实施例中,确定内嵌式触摸屏的显示异常行可以通过判断内嵌式触摸屏内每个像素的像素电极是否漏电来确定,若每个充电区域中的最后一行像素的像素电极漏电,则确定每个充电区域中的最后一行是显示异常行。举例来说,如图1a所示,若第一充电区域101中的最后一行像素的像素电极漏电,可以确定第n行像素111n是显示异常行。

202,将该显示异常行的显示亮度提高,以使该显示异常行的显示亮度与内嵌式触摸屏内的其他行的显示亮度相同。

本发明实施例中,当确定内嵌式触摸屏内的显示异常行之后,可以将该显示异常行的显示亮度提高,以使该显示异常行的显示亮度与内嵌式触摸屏内的其他行的显示亮度相同。由于该显示异常行的显示亮度偏暗,将该显示异常行的显示亮度提高一定值之后,可以使得该显示异常行的显示亮度与内嵌式触摸屏内的其他行的显示亮度相同,从而可以提高内嵌式触摸屏的显示均一性。将内嵌式触摸屏内的显示异常行的显示亮度提高具体可以为,可以将内嵌式触摸屏内的显示异常行的像素的存储电容或液晶电容增大,同时将内嵌式触摸屏内的显示异常行的像素的开口率提高。

基于图1a或图1b的内嵌式触摸屏的结构,提供另一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法,请参阅图3,图3是本发明实施例公开的另一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法的流程示意图。如图3所示,包括如下步骤。

301,确定内嵌式触摸屏的显示异常行,该显示异常行是显示亮度偏暗的一行或多行像素。

本发明实施中的步骤301可以参见图2所示的步骤201,本发明实施例不再详述。

302,将该显示异常行的像素的存储电容或液晶电容增大,以使该显示异常行的像素的存储电容的容值大于内嵌式触摸屏内的其他行的像素的存储电容的容值。

本发明实施例中,为了将内嵌式触摸屏内的显示异常行的显示亮度提高,可以在确定显示异常行之后,将该显示异常行的像素的存储电容或液晶电容增大,可以在图像信号扫描阶段,即在给tft充电阶段,该显示异常行的像素充更多的电荷,在tp扫描时,该显示异常行的像素对应的tft由于源极电压被拉低,造成显示异常行的像素对应的tft的漏极电压通过tft的源极漏电,若将该显示异常行的像素的存储电容或液晶电容增大,该显示异常行的像素存储的电荷更多,可以在触控信号扫描阶段,用多存储的电荷补偿因为漏电损失的电荷量,当显示异常行的像素多充入的电荷量正好与漏电损失的电荷量相等时,使得显示异常行的亮度与其他行的亮度相等,从而使得整个内嵌式触摸屏显示效果均一化,提高内嵌式触摸屏的显示均一性。

例如,如图1a所示,对于第一充电区域101来说,可以将显示异常行111n(第n行)中的所有像素的存储电容或液晶电容的容值增大,以使第一充电区域101的显示异常行111n(第n行)的像素的存储电容的容值大于内嵌式触摸屏内的其他行(如图1a中的第一行1111、第二行1112等)的像素的存储电容的容值。具体的,可以将第n行像素对应的tft中的晶体管tn0、tn1、tn2等的像素的存储电容的容值同时提升一定值。如图1a所示,将第n行像素对应的tft中所有像素的存储电容设为cs2,将其他行的tft中的所有像素的存储电容设为cs1,并且cs2>cs1;将第n行像素对应的tft中所有像素的液晶电容设为clc2,将其他行的tft中的所有像素的液晶电容设为clc1,并且clc2>clc1。

基于图1a或图1b的内嵌式触摸屏的结构,提供另一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法,请参阅图4,图4是本发明实施例公开的另一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法的流程示意图。如图4所示,包括如下步骤。

401,确定内嵌式触摸屏的显示异常行,该显示异常行是显示亮度偏暗的一行或多行像素。

本发明实施中的步骤401可以参见图2所示的步骤201,本发明实施例不再详述。

402,将该显示异常行的像素的开口率提高,以使该显示异常行的像素的开口率大于内嵌式触摸屏内的其他行的像素的开口率。

本发明实施例中,为了将内嵌式触摸屏内的显示异常行的显示亮度提高,可以在确定内嵌式触摸屏内的显示异常行之后,将每该显示异常行的像素的开口率提高。将该显示异常行的像素的开口率提高可以提高该显示异常行的亮度,由于内嵌式触摸屏内的显示异常行的显示亮度偏暗,将每该显示异常行的像素的开口率提高,可以使得该显示异常行的显示亮度与内嵌式触摸屏内的其他行的显示亮度相当,从而使得整个内嵌式触摸屏显示效果均一化,提高内嵌式触摸屏的显示均一性。

例如,如图1a所示,对于第一充电区域101来说,可以将显示异常行111n(第n行)中的所有像素的开口率提高,以使第一充电区域101的显示异常行111n(第n行)的像素的开口率大于内嵌式触摸屏内的其他行(如图1a中的第一行1111、第二行1112等)的像素的开口率。

可选的,步骤402可以包括:

将该显示异常行的像素的黑色矩阵bm遮光区的面积调小。

本发明实施例中,为了将内嵌式触摸屏内的显示异常行的显示亮度提高,可以将该显示异常行的像素的黑色矩阵(blackmatrix)bm遮光区的面积调小,当该显示异常行的像素的黑色矩阵bm遮光区的面积调小之后,该显示异常行内的每个像素会有更多的背光透过,该显示异常行内的每个像素的穿透性得到提高,使得该显示异常行内的每个像素的透光率增加,从而提高该显示异常行的像素的开口率,进而提升内嵌式触摸屏内所有显示异常行的显示亮度,可以使得内嵌式触摸屏内的显示异常行的显示亮度与内嵌式触摸屏内的其他行的显示亮度相当,从而使得整个内嵌式触摸屏显示效果均一化,提高内嵌式触摸屏的显示均一性。

可选的,步骤402可以包括:

将该显示异常行的像素对应的薄膜晶体管的尺寸缩小。

本发明实施例中,为了将内嵌式触摸屏内的显示异常行的显示亮度提高,可以将该显示异常行的像素对应的薄膜晶体管tft的尺寸缩小。当该显示异常行的像素对应的tft的尺寸缩小之后,由于tft可以挡住的背光减少,该显示异常行内的每个像素会有更多的背光透过,该显示异常行内的每个像素的穿透性得到提高,使得该显示异常行内的每个像素的透光率增加,从而提高该显示异常行的像素的开口率,进而提升内嵌式触摸屏内所有显示异常行的显示亮度,可以使得内嵌式触摸屏内的显示异常行的显示亮度与内嵌式触摸屏内的其他行的显示亮度相当,从而使得整个内嵌式触摸屏显示效果均一化,提高内嵌式触摸屏的显示均一性。

可选的,步骤402可以包括:

将该显示异常行的像素的存储电容的面积缩小。

本发明实施例中,为了将内嵌式触摸屏内的显示异常行的显示亮度提高,可以将该显示异常行的像素的存储电容的面积缩小。当该显示异常行的像素的存储电容的面积缩小之后,由于存储电容可以挡住的背光减少,该显示异常行内的每个像素会有更多的背光透过,该显示异常行内的每个像素的穿透性得到提高,使得该显示异常行内的每个像素的透光率增加,从而提高该显示异常行的像素的开口率,进而提升内嵌式触摸屏内所有显示异常行的显示亮度,可以使得内嵌式触摸屏内的显示异常行的显示亮度与内嵌式触摸屏内的其他行的显示亮度相当,从而使得整个内嵌式触摸屏显示效果均一化,提高内嵌式触摸屏的显示均一性。

可选的,进一步的,在一个实施例中,为了将内嵌式触摸屏内的显示异常行的显示亮度提高,可以将该显示异常行的像素的黑色矩阵bm遮光区的面积调小,并且将该显示异常行的像素对应的tft的尺寸缩小,从而达到提高该显示异常行的像素的开口率的目的,进而将该显示异常行的显示亮度提高。在一个实施例中,也可以将内嵌式触摸屏内的显示异常行的像素的黑色矩阵bm遮光区的面积调小,并且将该显示异常行的像素的存储电容的面积缩小,从而达到提高该显示异常行的像素的开口率的目的,进而将内嵌式触摸屏内所有的显示异常行的显示亮度提高。在一个实施例中,还可以将内嵌式触摸屏内的显示异常行的像素对应的tft的尺寸缩小,并且将该显示异常行的像素的存储电容的面积缩小,从而达到提高该显示异常行的像素的开口率的目的,进而将内嵌式触摸屏内所有的显示异常行的显示亮度提高。在一个实施例中,还可以同时将内嵌式触摸屏内的显示异常行的像素的黑色矩阵bm遮光区的面积调小,将该显示异常行的像素对应的tft的尺寸缩小,将该显示异常行的像素的存储电容的面积缩小,从而达到提高该显示异常行的像素的开口率的目的,进而将内嵌式触摸屏内所有的显示异常行的显示亮度提高。

请参阅图5,图5是本发明实施例公开的一种内嵌式触摸屏的显示效果示意图。如图5所示,内嵌式触摸屏10包括多个充电区域,如图5中的第一充电区域101、第二充电区域102、...第m充电区域10m。第一充电区域101的异常显示行是1011、第二充电区域102的异常显示行是1021、第三充电区域103的异常显示行是1031、...第m充电区域10m的异常显示行是10m1,其中,m为正整数。图5中的图5(a)为显示异常行显示异常的显示效果示意图,图5中的图5(b)为采用图2至图4所示的方法之后的显示效果示意图。图5(a)中,每个充电区域的显示异常行的显示偏暗(第一充电区域101的异常显示行1011、第二充电区域102的异常显示行1021、第三充电区域103的异常显示行1031、...第m充电区域10m的异常显示行10m1的显示亮度与充电区域内的其他行的显示亮度相比偏暗),当采用图2至图4所示的方法之后,如图5(b)所示,每个充电区域的显示异常行的显示亮度恢复正常(第一充电区域101的异常显示行1011、第二充电区域102的异常显示行1021、第三充电区域103的异常显示行1031、...第m充电区域10m的异常显示行10m1的显示亮度与充电区域内的其他行的显示亮度相同)。实施本发明实施例,可以使得整个内嵌式触摸屏显示效果均一化,提高内嵌式触摸屏的显示均一性。

以上对本发明实施例公开的一种改进内嵌式触摸屏显示效果的方法及内嵌式触摸屏进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

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