1.一种GaN HEMT非线性噪声模型的建立方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、建立GaN HEMT非线性等效电路模型；
S2、将所述GaN HEMT非线性等效电路模型中的本征区域引入噪声源后，获得三个噪声源的表达式；
S3、在不同漏源电流偏置条件下，获取GaN HEMT非线性等效电路模型中的沟道噪声系数随漏源电流的变化关系；
S4、根据所述沟道噪声系数随漏源电流的变化关系，获得完整的漏极噪声电流源随漏源电流变化的表达式，并根据在GaN HEMT非线性等效电路模型中引入三个噪声源，建立GaN HEMT非线性噪声模型。
2.根据权利要求1所述的GaN HEMT非线性噪声模型的建立方法，其特征在于，S1具体包括：
对GaN HEMT器件做去嵌入处理；
建立GaN HEMT器件的小信号等效电路模型，在多偏置条件下，分别提取小信号等效电路模型中的外部寄生参数和本征 参数；
根据所述小信号等效电路模型中的本征参数随偏置变化的数值，并结合I-V、C-V的测试数据，建立GaN HEMT的非线性等效电路模型。
3.根据权利要求2所述的GaN HEMT非线性噪声模型的建立方法，其特征在于，在S1之后，对GaN HEMT器件进行负载牵引测试，获得测试数据，将所述GaN HEMT的非线性等效电路模型嵌入电路仿真软件进行仿真模拟，获得模型仿真数据，对比所述模型仿真数据与测试数据，若对比吻合，确定所述GaN HEMT的非线性等效电路模型准确。
4.根据权利要求2所述的GaN HEMT非线性噪声模型的建立方法，其特征在于，对GaN HEMT器件做去嵌入处理，具体为：
对GaN HEMT器件采用开路结构和短路结构的方法做去嵌入处理。
5.根据权利要求1所述的GaN HEMT非线性噪声模型的建立方法，其特征在于，所述三个噪声源具体为表示栅极泄漏电流引起的散粒噪声电流源，漏极沟道噪声电流源，本征电阻产生的热噪声电压源。
6.根据权利要求1所述的GaN HEMT非线性噪声模型的建立方法，其特征在于，所述S3，具体包括：
将S2中获得的三个噪声源接入GaN HEMT非线性等效电路模型中，并获得在预设偏置条件下的噪声模型；
将所述噪声模型嵌入电路仿真软件中进行仿真，模拟仿真获得GaN HEMT器件的噪声系数仿真值；
测试GaN HEMT器件在所述预设偏置条件下的噪声系数测试值；
将所述噪声系数仿真值与所述噪声系数测试值进行对比，提取沟道噪声系数的值，并获得所述沟道噪声系数随漏源电流变化的关系。
7.根据权利要求6所述的GaN HEMT非线性噪声模型的建立方法，其特征在于，在将S2中获得的三个噪声源接入GaN HEMT非线性等效电路模型中，并获得在预设偏置条件下的噪声模型之后，还包括：
将所述噪声模型仿真的四个噪声参数的仿真值与GaN HEMT器件的测试值进行对比，若对比吻合，确定所述GaN HEMT的噪声模型准确。
8.根据权利要求1所述的GaN HEMT非线性噪声模型的建立方法，其特征在于，S4具体为：
根据S3中的沟道噪声系数随漏源电流的变化关系，按照经验规律，通过参数拟合的方式，获得沟道噪声系数随漏源电流变化的表达式；
根据获得的沟道噪声系数随漏源电流变化的表达式，获得完整的漏极噪声电流源随漏源电流变化的表达式；
将所述三个噪声源的表达式接入GaN HEMT非线性等效电路模型中，获得GaN HEMT非线性噪声模型。
9.根据权利要求1所述的GaN HEMT非线性噪声模型的建立方法，其特征在于，在S4之后，还包括：将GaN HEMT非线性噪声模型的仿真数据与测试数据进行对比，在对比吻合时，确定所述GaN HEMT非线性噪声模型的准确。