触摸感测单元的制作方法

技术领域

示例性实施例涉及一种触摸感测单元、显示装置以及制造该触摸感测单元的方法。更具体地，示例性实施例涉及一种可防止因弯曲而产生的裂纹的扩展并提供细长轮廓(slim profile)的触摸感测单元、一种显示装置和一种制造该触摸感测单元的方法。

背景技术：

显示装置通过显示各种图像为用户提供信息。显示装置可包括显示面板和触摸感测单元。最近，已研制了可弯曲的显示装置。与平板显示装置相比，柔性显示装置可以折叠、卷起(wrap)或弯曲。具有可改变形状的柔性显示装置可以是便携式的并且可改善用户便利性。

触摸感测单元是能够通过使用用户的手或者物体通过从屏幕(诸如显示面板)上示出的菜单选择指令来输入用户的命令的输入装置。例如，触摸感测单元设置在显示面板的正面上，并且将用户的手或者物体直接接触的接触位置转换成电信号。因此，在接触位置处选择的指令菜单被识别为输入信号。这样的触摸感测单元可代替连接到显示面板的单独的输入装置(诸如键盘和鼠标)并进行操作，并且其使用范围逐渐扩展。

在该背景技术部分公开的上述信息仅用于增强对发明构思的背景的理解，因此，它可能包含不构成在本国中已被本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

技术实现要素：

示例性实施例提供一种可提供细长轮廓并可防止因弯曲运动而导致的裂纹的扩展的触摸感测单元。

示例性实施例还提供一种可提供细长轮廓并可防止因弯曲运动而导致的裂纹的扩展的显示装置。

示例性实施例还提供一种制造可提供细长轮廓并可防止因弯曲运动而导致的裂纹的扩展的触摸感测单元的方法。

额外的方面将在下面的详细描述中进行阐述，并且部分地通过公开将是清楚的，或者可通过发明构思的实践而了解。

示例性实施例公开一种触摸感测单元，所述触摸感测单元包括绝缘层和导电图案。绝缘层包括第一无机绝缘层、第一自组装单层(SAM)和第二无机绝缘层。第一自组装单层设置在第一无机绝缘层上。第二无机绝缘层设置在第一自组装单层上。

示例性实施例还公开一种显示装置，所述显示装置包括显示面板和触摸感测单元。触摸感测单元设置在显示面板上。触摸感测单元包括绝缘层和导电图案。绝缘层包括第一无机绝缘层、第一自组装单层和第二无机绝缘层。第一自组装单层设置在第一无机绝缘层上。第二无机绝缘层设置在第一自组装单层上。

示例性实施例还公开一种制造触摸感测单元的方法，所述方法包括形成绝缘层和形成与所述绝缘层接触的导电图案。绝缘层的形成包括形成第一无机绝缘层、在第一无机绝缘层上形成第一自组装单层以及在第一自组装单层上形成第二无机绝缘层。

上述的总体描述和以下的详细描述是示例性的和解释性的，并意图提供所保护主题的进一步解释。

附图说明

附图示出发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思的原理，其中，包括附图以提供对发明构思的进一步理解，并且附图被并入此说明书中并且构成此说明书的一部分。

图1A和图1B是示意性地示出根据发明构思的示例性实施例的触摸感测单元的透视图。

图2A是根据发明构思的示例性实施例的触摸感测单元的示意性平面图。

图2B是与图2A中的线I-I'对应的示意性剖视图。

图2C是与图2A中的线I-I'对应的示意性剖视图。

图3A是根据发明构思的示例性实施例的触摸感测单元的示意性平面图。

图3B是与图3A中的线II-II'对应的示意性剖视图。

图3C是与图3A中的线II-II'对应的示意性剖视图。

图4A和图4B是示意性地示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置的透视图。

图5A是根据发明构思的示例性实施例的包括在显示装置中的显示面板中所包括的一个像素的电路图。

图5B是根据发明构思的示例性实施例的包括在显示装置中的显示面板中所包括的一个像素的平面图。

图5C是与图5B中的线III-III'对应的根据发明构思的示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。

图6是示意性地示出根据发明构思的示例性实施例的制造触摸感测单元的方法的流程图。

图7A、图7B、图7C、图7D和图7E是示出根据发明构思的示例性实施例的制造触摸感测单元的方法的剖视图。

图8A、图8B、图8C和图8D是示出根据发明构思的示例性实施例的制造触摸感测单元的方法的剖视图。

具体实施方式

在以下的描述中，出于解释的目的，阐述许多具体细节以提供对各种示例性实施例的彻底理解。然而，清楚的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节或有一个或更多个等同布置的情况下被实施。在其它情况下，为了避免不必要地使各种示例性实施例模糊，以框图形式示出公知的结构和装置。

在附图中，出于清楚和描述的目的，会夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外，同样的附图标记表示同样的元件。

当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。出于该公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种)(者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种)(者)”可以被解释为只有X、只有Y、只有Z或者诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例的X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合。同样的标记始终表示同样的元件。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。

尽管这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层和/或部分。

出于描述的目的，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如在附图中示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了在图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包括装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括在……上方和在……下方两种方位。另外，装置可以另外定位(例如，旋转90度或在其它方位处)，这样，相应地解释这里使用的空间相对描述语。

这里使用的术语是出于描述具体实施例的目的而不旨在限制。如这里使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式。另外，术语“包括”、“包含”用在本说明书中时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

在此参照是理想示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种示例性实施例。这样，由例如制造技术和/或公差而造成的图示的形状的变化将是预期的。因此，这里公开的示例性实施例不应该被理解为局限于区域的具体示出的形状，而是将包括由例如制造造成的形状的偏差。附图中示出的区域实际上是示意性的，并且它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状，也不意图限制。

除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。除非在此明确这样定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域的环境中它们的含义相一致的含义，而将不以理想的或过于正式的含义来进行解释。

图1A和图1B是示意性地示出根据发明构思的示例性实施例的触摸感测单元的透视图。

参照图1A和图1B，根据示例性实施例的触摸感测单元TSU可在第一模式或第二模式下操作。参照图1A，触摸感测单元TSU可在第一模式下基于弯曲轴BX沿一个方向弯曲。参照图1B，触摸感测单元TSU可在第二模式下不弯曲。弯曲可指由于外力将触摸感测单元TSU弯曲成某一形状。

在图1A中，当触摸感测单元TSU关于弯曲轴BX弯曲时，触摸感测单元TSU的面对的侧面之间的距离是恒定的。然而，发明构思不限于此，通过弯曲的触摸感测单元TSU的面对的侧面之间的距离可以不是恒定的。另外，触摸感测单元TSU的面对的侧面的面积在触摸感测单元TSU基于弯曲轴BX沿第一方向弯曲时是相同的。然而，发明构思不限于此，通过弯曲的触摸感测单元TSU的面对的侧面的面积可彼此不同。

再次参照图1A和图1B，触摸感测单元TSU可包括触摸弯曲部BF1和触摸非弯曲部NBF1。触摸弯曲部BF1可在第一模式下基于沿第二方向DR2延伸的弯曲轴BX弯曲。触摸弯曲部BF1可在第二模式下不弯曲。

触摸弯曲部BF1的一侧可具有第一曲率半径R1。第一曲率半径R1可在例如大约1mm至大约10mm的范围内。触摸非弯曲部NBF1可连接到触摸弯曲部BF1。触摸非弯曲部NBF1在第一模式和第二模式下均不弯曲。

触摸感测单元TSU可识别用户的直接触摸、用户的间接触摸、物体的直接触摸或物体的间接触摸。直接触摸意味着用户或物体与触摸感测单元TSU直接接触。间接触摸意味着即使用户或物体不与触摸感测单元TSU直接接触，然而用户或物体被定位在触摸感测单元TSU可以将用户或物体识别为被触摸的距离处，触摸感测单元TSU也识别为被触摸。

图2A是根据发明构思的示例性实施例的触摸感测单元的示意性平面图。图2B是与图2A中的线I-I'对应的示意性剖视图。图2C是与图2A中的线I-I'对应的示意性剖视图。

图3A是根据发明构思的示例性实施例的触摸感测单元的示意性平面图。图3B是与图3A中的线II-II'对应的示意性剖视图。图3C是与图3A中的线II-II'对应的示意性剖视图。

参照图2A至图2C和图3A至图3C，触摸感测单元TSU包括绝缘层INL和导电图案CP。绝缘层INL可在第一模式下弯曲，在第二模式下不弯曲。绝缘层INL包括第一无机绝缘层IOL1、第一自组装单层SAML1和第二无机绝缘层IOL2。

第一无机绝缘层IOL1包括第一无机绝缘材料。第一无机绝缘层IOL1的厚度t1可大于第一自组装单层SAML1的厚度t2。第一无机绝缘层IOL1的厚度t1可在例如大约100nm至大约3,000nm的范围内。

第一自组装单层SAML1可包括硅。第一自组装单层SAML1可包括硅烷化合物。第一自组装单层SAML1可包括通常使用的任何材料，而没有限制，并且可包括例如(3-氨丙基)三甲氧基硅烷(APS)、11-巯基十一烷酸(MUA)、(3-三甲氧基硅基丙基)二亚乙基三胺(DET)、N-(2-氨基乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷(EDA)、全氟癸基三氯硅烷(PFS)、十八烷基三氯硅烷(OTS)、十八烷基三甲氧基硅烷(OTMS)、1-十六烷硫醇(HDT)、(十七氟代-1,1,2,2,-四氢癸基)三氯硅烷(FDTS)、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷-全氟癸基三氯硅烷(FOTS)、五氟苯硫醇(PFBT)和二氯二甲基硅烷(DDMS)中的至少一种。

第一自组装单层SAML1的厚度t2可小于第一无机绝缘层IOL1的厚度t1和第二无机绝缘层IOL2的厚度t3中的每个。第一自组装单层SAML1的厚度t2可在例如大约1nm至大约10nm的范围内。

根据发明构思的示例性实施例的触摸感测单元已经被示出为包括具有单个层的第一自组装单层SAML1。然而，第一自组装单层SAML1可具有多层。

一般而言，由于弯曲会在无机绝缘层中产生裂纹。在无机绝缘层中产生的裂纹在无机绝缘层内扩展。第一自组装单层SAML1是有机绝缘层，并且可防止无机绝缘层中产生的裂纹的扩展。

第二无机绝缘层IOL2设置在第一自组装单层SAML1上。第二无机绝缘层IOL2包括第二无机绝缘材料。第二无机绝缘材料可以与第一无机绝缘材料相同或者不同。

第二无机绝缘层IOL2的厚度t3可与第一无机绝缘层IOL1的厚度t1相同或者不同。第二无机绝缘层IOL2的厚度t3可大于第一自组装单层SAML1的厚度t2。第二无机绝缘层IOL2的厚度t3可以在例如大约100nm至大约3,000nm的范围内。

参照图2C和图3C，绝缘层INL还可包括第二自组装单层SAML2。第二自组装单层SAML2可设置在第二无机绝缘层IOL2上。

第二自组装单层SAML2可包括硅。第二自组装单层SAML2可包括硅烷化合物。第二自组装单层SAML2可包括通常使用的任何材料，而没有限制，并且可包括例如(3-氨丙基)三甲氧基硅烷(APS)、11-巯基十一烷酸(MUA)、(3-三甲氧基硅基丙基)二亚乙基三胺(DET)、N-(2-氨基乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷(EDA)、全氟癸基三氯硅烷(PFS)、十八烷基三氯硅烷(OTS)、十八烷基三甲氧基硅烷(OTMS)、1-十六烷硫醇(HDT)、(十七氟代-1,1,2,2,-四氢癸基)三氯硅烷(FDTS)、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷-全氟癸基三氯硅烷(FOTS)、五氟苯硫醇(PFBT)和二氯二甲基硅烷(DDMS)中的至少一种。

第二自组装单层SAML2的厚度可小于第一无机绝缘层IOL1的厚度t1和第二无机绝缘层IOL2的厚度t3。

在图2B和图3B中，示出包括两个无机绝缘层和一个自组装单层的示例性实施例，在图2C和图3C中，示出包括两个无机绝缘层和两个自组装单层的示例性实施例。然而，发明构思不限于此，无机绝缘层的个数可以是两个或更多个，自组装单层的个数可以是两个或更多个。

再次参照图2A至图2C和图3A至图3C，导电图案CP与绝缘层INL接触。参照图2A、图2B、图3A和图3B，导电图案CP可与第一无机绝缘层IOL1和第二无机绝缘层IOL2中的至少一个接触。参照图2A、图2C、图3A和图3C，导电图案CP可与第一无机绝缘层IOL1和第二自组装单层SAML2中的至少一个接触。

更具体地，参照图2A和图2B，导电图案CP与第一无机绝缘层IOL1和第二无机绝缘层IOL2中的每个接触。参照图2A和图2C，导电图案CP与第一无机绝缘层IOL1和第二自组装单层SAML2中的每个接触。参照图3A和图3B，导电图案CP与第二无机绝缘层IOL2接触。参照图3A和图3C，导电图案CP与第二自组装单层SAML2接触。

导电图案CP可在第一模式下弯曲，在第二模式下不弯曲。导电图案CP的至少一部分被包括在触摸弯曲部(图1A中的BF1)中。导电图案CP还可被包括在触摸非弯曲部(图1A中的NBF1)中。

导电图案CP可包括感测电极TE、互连布线TL1和TL2、扇出布线PO1和PO2以及焊盘部PD1和PD2。参照图3A至图3C，导电图案CP还可包括桥BD1和BD2。

再次参照图2A至图2C和图3A至图3C，感测电极TE包括第一感测电极Tx和第二感测电极Rx。第一感测电极Tx和第二感测电极Rx彼此电绝缘。第一感测电极Tx和第二感测电极Rx中的每个可具有各种形状，诸如菱形、正方形、矩形、圆形或者没有结构的形状(例如，诸如树枝(dendrite)结构的纠缠分支的形状)。第一感测电极Tx和第二感测电极Rx中的每个可具有网格形状。

第一感测电极Tx和第二感测电极Rx中的每个可以是通常使用那些，而没有具体限制，并且可包括例如金属、合金和透明导电氧化物中的至少一种。第一感测电极Tx和第二感测电极Rx中的每个可包括例如Cu、Ti、Al、Ag、Au、Pt、Mo、银钯铜(APC)的合金、银钯(AP)的合金、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟镓锌(IGZO)中的至少一种。金属和合金中的每个可具有诸如球体形状和电线形状(wire shape)的各种形状。

例如，利用直接触摸或者间接触摸，可在包括在感测电极TE中的第一感测电极Tx与第二感测电极Rx之间产生电容的变化。根据电容的变化，施加到第一感测电极Tx的感测信号可被延迟并被提供到第二感测电极Rx。触摸感测单元TSU可根据感测信号的延迟值感测触摸坐标。

在根据发明构思的示例性实施例的触摸感测单元TSU中，触摸感测单元TSU可被驱动为电容型。然而，发明构思不限于此，触摸感测单元TSU可被驱动为电阻型。另外，触摸感测单元TSU可被驱动为自电容型和互电容型中的一种。

参照图2A至图2C，第一感测电极Tx和第二感测电极Rx可设置在不同的层中。第一感测电极Tx可沿第二方向DR2延伸并可在第三方向DR3上分开。第一感测电极Tx设置在绝缘层INL下方。第一感测电极Tx与第一无机绝缘层IOL1接触。第一感测电极Tx覆盖有第一无机绝缘层IOL1。

第二感测电极Rx可沿第三方向DR3延伸并可在第二方向DR2上彼此分开。第二感测电极Rx设置在第一感测电极Tx上。第二感测电极Rx设置在绝缘层INL上。第二感测电极Rx与第二无机绝缘层IOL2接触。

参照图3A至图3C，第一感测电极Tx和第二感测电极Rx可设置在同一层中。第一感测电极Tx和第二感测电极Rx中的每个可设置在绝缘层INL上。第一感测电极Tx和第二感测电极Rx在同一平面上彼此分开。

第一感测电极Tx可在第二方向DR2和第三方向DR3上分开。在第二方向DR2上分开的第一感测电极Tx通过第一桥BD1连接。第二感测电极Rx可在第二方向DR2和第三方向DR3上分开。在第三方向DR3上分开的第二感测电极Rx通过第二桥BD2连接。第二桥BD2可设置在第一桥BD1上。尽管没有示出，但是绝缘层INL可设置在第二桥BD2与第一桥BD1之间。

第一感测电极Tx和第二感测电极Rx设置在绝缘层INL上。第一感测电极Tx和第二感测电极Rx中的每个与第二无机绝缘层IOL2接触。

再次参照图2A至图2C和图3A至图3C，互连布线TL1和TL2与感测电极TE电连接。互连布线TL1和TL2包括第一互连布线TL1和第二互连布线TL2。第一互连布线TL1可与第一感测电极Tx和第一扇出布线PO1连接。第二互连布线TL2可与第二感测电极Rx和第二扇出布线PO2连接。

扇出布线PO1和PO2与互连布线TL1和TL2以及焊盘部PD1和PD2连接。扇出布线PO1和PO2包括第一扇出布线PO1和第二扇出布线PO2。第一扇出布线PO1与第一互连布线TL1和第一焊盘部PD1连接。第二扇出布线PO2与第二互连布线TL2和第二焊盘部PD2连接。

焊盘部PD1和PD2与感测电极TE电连接。焊盘部PD1和PD2包括第一焊盘部PD1和第二焊盘部PD2。第一焊盘部PD1与第一扇出布线PO1连接。第一焊盘部PD1可与第一感测电极Tx电连接。第二焊盘部PD2与第二扇出布线PO2连接。第二焊盘部PD2可与第二感测电极Rx电连接。

现有技术的典型的触摸感测单元不包括无机绝缘层内的第一自组装单层，在由于弯曲而产生裂纹的情况下，所述裂纹会扩展到整个无机绝缘层。

然而，根据发明构思的示例性实施例的触摸感测单元包括设置在第一无机绝缘层与第二无机绝缘层之间的第一自组装单层。因此，即使会在第一无机绝缘层或第二无机绝缘层中产生裂纹，第一自组装单层也可防止所述裂纹的扩展。因此，根据示例性实施例的触摸感测单元可具有高的耐用性。

另外，根据示例性实施例的触摸感测单元使用第一自组装单层作为有机绝缘层，并且当与使用有机绝缘层而不是第一自组装单层时的情况相比时，其可具有减小厚度的绝缘层。

在下文中，将解释根据示例性实施例的显示装置。在下文中，将主要讨论不是根据上述示例性实施例的触摸感测单元的部件或者除了根据上述示例性实施例的触摸感测单元之外的部件。

图4A和图4B是示意性地示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置的透视图。

参照图4A和图4B，根据发明构思的示例性实施例的显示装置包括显示面板DP和触摸感测单元TSU。显示面板DP包括显示弯曲部BF2和显示非弯曲部NBF2。显示弯曲部BF2在第一模式下基于沿第二方向DR2延伸的弯曲轴BX弯曲。显示弯曲部BF2在第二模式下不弯曲。显示非弯曲部NBF2与显示弯曲部BF2连接。显示非弯曲部NBF2在第一模式下和第二模式下均不弯曲。

在下文中，显示面板DP的示例性实施例是有机发光显示面板。然而，发明构思不限于此并可包括液晶显示面板、等离子体显示面板、电泳显示面板、微机电系统(MEMS)显示面板或者电润湿显示面板。

触摸感测单元TSU包括触摸弯曲部BF1和触摸非弯曲部NBF1。触摸弯曲部BF1在第一模式下基于沿第二方向DR2延伸的弯曲轴BX弯曲。触摸弯曲部BF1在第二模式下不弯曲。导电图案(图2A和图3A中的CP)的至少一部分被包括在触摸弯曲部BF1中。导电图案(图2A和图3A中的CP)可被包括在触摸非弯曲部NBF1中。

触摸弯曲部BF1的一侧可具有第一曲率半径R1。第一曲率半径R1可在例如大约1mm至大约10mm的范围内。触摸非弯曲部NBF1与触摸弯曲部BF1连接。触摸非弯曲部NBF1在第一模式和第二模式下均不弯曲。

图5A是根据发明构思的示例性实施例的包括在显示装置中的显示面板中所包括的一个像素的电路图。图5B是根据发明构思的示例性实施例的包括在显示装置中的显示面板中所包括的一个像素的平面图。图5C是与图5B中的线III-III'对应的根据发明构思的示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。

参照图5A和图5B，每个像素PX可连接到由栅极线GL、数据线DL和驱动电压线DVL组成的布线部分。每个像素PX包括薄膜晶体管TFT1和TFT2、与薄膜晶体管TFT1和TFT2连接的有机发光器件(OEL)以及电容器Cst。

在发明构思的示例性实施例中，一个像素与一条栅极线、一条数据线和一条驱动电压线连接。然而，发明构思不限于此，多个像素可与一条栅极线、一条数据线和一条驱动电压线连接。另外，一个像素可与至少一条栅极线、至少一条数据线和至少一条驱动电压线连接。

栅极线GL沿第二方向DR2延伸。数据线DL沿与栅极线GL交叉的第三方向DR3延伸。驱动电压线DVL沿与数据线DL的方向基本上相同的方向的第三方向DR3延伸。栅极线GL将扫描信号传输到薄膜晶体管TFT1和TFT2，数据线DL将数据信号传输到薄膜晶体管TFT1和TFT2，驱动电压线DVL将驱动电压提供到薄膜晶体管TFT1和TFT2。

每个像素可发射具有特定颜色的光，例如，红光、绿光和蓝光中的一种。有色光的种类不局限于此并且还可包括例如白光、青色光、品红色光或黄光。

薄膜晶体管TFT1和TFT2可包括用于控制有机发光器件OEL的驱动薄膜晶体管TFT2和用于开关驱动薄膜晶体管TFT2的开关薄膜晶体管TFT1。在发明构思的示例性实施例中，每个像素PX包括两个薄膜晶体管TFT1和TFT2。然而，发明构思不限于此。每个像素PX可包括一个薄膜晶体管和一个电容器，每个像素PX可设置有三个或更多个薄膜晶体管以及两个或更多个电容器。

开关薄膜晶体管TFT1包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第一栅电极GE1与栅极线GL连接，第一源电极SE1与数据线DL连接。第一漏电极DE1经由第五接触孔CH5与第一共电极CE1连接。开关薄膜晶体管TFT1根据施加到栅极线GL的扫描信号将施加到数据线DL的数据信号传输到驱动薄膜晶体管TFT2。

驱动薄膜晶体管TFT2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。第二栅电极GE2与第一共电极CE1连接。第二源电极SE2与驱动电压线DVL连接。第二漏电极DE2经由第三接触孔CH3与阳极EL1连接。

阳极EL1与驱动薄膜晶体管TFT2的第二漏电极DE2连接。共电压被施加到阴极EL2，发射层EML根据驱动薄膜晶体管TFT2的输出信号而发射光以显示图像。以下将更详细地解释阳极EL1和阴极EL2。

电容器Cst连接在驱动薄膜晶体管TFT2的第二栅电极GE2与第二源电极SE2之间，充入并维持输入到驱动薄膜晶体管TFT2的第二栅电极GE2的数据信号。电容器Cst可包括经由第六接触孔CH6与第一漏电极DE1连接的第一共电极以及与第一共电极CE1和驱动电压线DVL连接的第二共电极CE2。

参照图5A至图5C，柔性基底FB可以是通常使用的任意一种，而没有限制，并且可包括例如塑料、有机聚合物等。形成柔性基底FB的有机聚合物可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺、聚醚砜等。可考虑到机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、易处理性、防水性等来选择柔性基底FB。柔性基底FB可以是透明的。

在柔性基底FB上，可设置基底缓冲层(未示出)。基底缓冲层(未示出)防止杂质扩散到开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2。基底缓冲层(未示出)可使用氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等来形成，并且可根据柔性基底FB的材料和工艺条件而被省略。

在柔性基底FB上，设置有第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2。第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2使用半导体材料来形成并被操作为开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2中的每个的有源层。第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2中的每个可包括源极部SA、漏极部DA和设置在源极部SA和漏极部DA之间的沟道部CA。第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2中的每个可通过选择无机半导体或有机半导体来形成。源极部SA和漏极部DA可掺杂有n型杂质或p型杂质。

在第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2上，设置有栅极绝缘层GI。栅极绝缘层GI覆盖第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2。可利用有机绝缘材料或无机绝缘材料形成栅极绝缘层GI。

在栅极绝缘层GI上，设置有第一栅电极GE1和第二栅电极GE2。第一栅电极GE1和第二栅电极GE2中的每个可形成为覆盖与第一半导体图案SM1或者第二半导体图案SM2的漏极部DA对应的区域。

在第一栅电极GE1和第二栅电极GE2上，设置有基底绝缘层IL。基底绝缘层IL覆盖第一栅电极GE1和第二栅电极GE2。可使用有机绝缘材料或无机绝缘材料来形成基底绝缘层IL。

在基底绝缘层IL上，设置有第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。第二漏电极DE2经由形成在栅极绝缘层GI和基底绝缘层IL中的第一接触孔CH1与第二半导体图案SM2的漏极部DA接触，第二源电极SE2经由形成在栅极绝缘层GI和基底绝缘层IL中的第二接触孔CH2与第二半导体图案SM2的源极部SA接触。第一源电极SE1经由形成在栅极绝缘层GI和基底绝缘层IL中的第四接触孔CH4与第一半导体图案SM1的源极部(未示出)接触，第一漏电极DE1经由形成在栅极绝缘层GI和基底绝缘层IL中的第五接触孔CH5与第一半导体图案SM1的漏极部(未示出)接触。

钝化层PL设置在第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2上。钝化层PL可起使开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2钝化的作用，或者可用作用于使开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2的顶表面平坦化的平坦化层。

在钝化层PL上，设置有阳极EL1。阳极EL1可以是例如正电极。阳极EL1经由形成在钝化层PL中的第三接触孔CH3与驱动薄膜晶体管TFT2的第二漏电极DE2连接。

在钝化层PL上，设置有将与每个像素PX对应的发射层EML隔开的像素限定层PDL。像素限定层PDL暴露阳极EL1的顶表面并从柔性基底FB突出。像素限定层PDL可包括金属氟离子化合物，而没有限制。例如，像素限定层PDL可使用LiF、BaF₂和CsF中的至少一种金属氟离子化合物来形成。在金属氟离子化合物的厚度比预定的具体厚度大的情况下，可配置绝缘性质。像素限定层PDL的厚度可在例如从大约10nm至大约100nm的范围内。

由像素限定层PDL围绕的区域设置有有机发光器件OEL。有机发光器件OEL包括阳极EL1、空穴传输区HTR、发射层EML、电子传输区ETR和阴极EL2。

阳极EL1是导电的。阳极EL1可以是像素电极或者正电极。阳极EL1可以是透射电极、透反射电极或者反射电极。在阳极EL1是透射电极的情况下，阳极EL1可使用例如ITO、IZO、ZnO、ITZO等的透明金属氧化物来形成。在阳极EL1是透反射电极或者反射电极的情况下，阳极EL1可包括Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种。

有机层设置在阳极EL1上，并且包括发射层EML。有机层还可包括空穴传输区HTR和电子传输区ETR。

空穴传输区HTR设置在阳极EL1上。空穴传输区HTR可包括空穴注入层、空穴传输层、缓冲层和电子阻挡层中的至少一种。空穴传输区HTR可具有使用单种材料形成的单层、使用多种不同的材料形成的单层或者使用多种不同的材料形成的具有多个层的多层。

例如，空穴传输区HTR可具有使用多种不同的材料形成的单层的结构，或者可具有从阳极EL1由空穴注入层/空穴传输层、空穴注入层/空穴传输层/缓冲层、空穴注入层/缓冲层、空穴传输层/缓冲层或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层层压的结构，而没有限制。

当空穴传输区HTR包括空穴注入层时，空穴传输区HTR可包括诸如铜酞菁的酞菁化合物、N,N'-二苯基-N,N'-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯基-4,4'-二胺(DNTPD)、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N,N-二苯胺基)三苯胺(TDATA)、4,4',4”-三{N-(2-萘基)-N-苯基胺基}-三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)等，而没有限制。

当空穴传输区HTR包括空穴传输层时，空穴传输区HTR可包括诸如N-苯基咔唑和聚乙烯咔唑的咔唑衍生物、氟类衍生物、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4'-二胺(TPD)、诸如4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)的三苯胺类衍生物、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)、4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)等，而没有限制。

发射层EML可设置在空穴传输区HTR上。发射层EML可包括使用单种材料形成的单层、使用多种不同的材料形成的单层或者使用多种不同的材料形成的具有多个层的多层结构。

发射层EML可使用通常使用的材料来形成，而没有限制，并可包括例如发射红光、绿光或蓝光的材料。发射层EML可包括磷光材料或荧光材料。另外，发射层EML可包括主体或掺杂剂。

主体可以是通常使用的任何材料而没有具体的限制，并可包括例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯亚芳基(DSA)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(CDBP)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)等。

当发射层EML发射红光时，发射层EML可包括包含例如三(二苯甲酰甲基)菲咯啉铕(PBD:Eu(DBM)3(Phen))的磷光材料或者苝。当发射层EML发射红光时，包括在发射层EML中的掺杂剂可选自于金属配合物或者诸如双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱(PIQIr(acac))、双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱(PQIr(acac))、三(1-苯基喹啉)铱(PQIr)和八乙基卟啉铂(PtOEP)的有机金属配合物。

当发射层EML发射绿光时，发射层EML可包括包含例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)的磷光材料。当发射层EML发射绿光时，包括在发射层EML中的掺杂剂可选自于诸如面式-三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)的金属配合物或者有机金属配合物。

当发射层EML发射蓝光时，发射层EML还可包括包含从由例如螺-DPVBi、螺-6P、联苯乙烯-苯(DSB)、联苯乙烯-亚芳基(DSA)、聚芴(PFO)类聚合物和聚(对苯撑乙烯)(PPV)类聚合物组成的组中选择的至少一种的磷光材料。当发射层EML发射蓝光时，包括在发射层EML中的掺杂剂可选自于诸如(4,6-F2ppy)₂Irpic的金属配合物或者有机金属配合物。稍后将具体描述发射层EML。

电子传输区ETR设置在发射层EML上。电子传输区可包括电子阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一种，而没有限制。

当电子传输区包括电子传输层时，电子传输区可包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,08)-(1,1'-联苯基-4-羟基)铝(BAlq)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)或它们的混合物，而没有限制。

当电子传输区包括电子注入层时，电子传输区可包括LiF、羟基喹啉锂(LiQ)、Li₂O、BaO、NaCl、CsF、镧系金属(诸如Yb)或者金属卤化物(诸如RbCl和RbI)，而没有限制。电子注入层也可使用空穴传输材料和绝缘的有机金属盐的混合材料来形成。有机金属盐可以是具有大约4eV或更大的能带隙的材料。具体地，有机金属盐可包括例如金属醋酸盐、金属苯酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮盐(metal acetylacetonate)或金属硬脂酸盐。电子注入层的厚度可在从大约至大约的范围内，并还可在从大约至大约的范围内。当电子注入层的厚度满足上述范围时，可获得令人满意的电子注入性质而没有引起驱动电压的大幅度增大。

阴极EL2可设置在电子传输区ETR上。阴极EL2可以是共电极或者负电极。阴极EL2可以是透射电极、透反射电极或者反射电极。当阴极EL2是透射电极时，阴极EL2可包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mg、BaF、Ba、Ag、它们的化合物或者它们的混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。

当阴极EL2是透反射电极或反射电极时，阴极EL2可包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、它们的化合物或者它们的混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。阴极EL2可具有包括反射层或透反射层以及使用ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电层的多层的结构，所述反射层或透反射层使用上述Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、它们的化合物或者它们的混合物来形成。

阴极EL2可与辅助电极连接。辅助电极可包括通过沉积Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、它们的化合物或者它们的混合物形成的层以及在所述层上使用例如ITO、IZO、ZnO、ITZO、Mo、Ti等形成的透明金属氧化物。

当有机发光器件OEL是顶发射型时，阳极EL1可以是反射电极，阴极EL2可以是透射电极或者透反射电极。当有机发光器件OEL是底发射型时，阳极EL1可以是透射电极或者透反射电极，阴极EL2可以是反射电极。

在有机发光器件OEL中，根据施加到阳极EL1和阴极EL2中的每个的电压，从阳极EL1注入的空穴可经由空穴传输区HTR传输到发射层EML，从阴极EL2注入的电子可经由电子传输区ETR传输到发射层EML。电子和空穴在发射层EML中复合以产生激子，激子可经由从激发态跃迁到基态而发光。

在阴极EL2上，设置有密封层SL。密封层SL覆盖阴极EL2。密封层SL可包括有机层和无机层中的至少一种。密封层SL可以是例如薄膜密封层。密封层SL使有机发光器件OEL钝化。

参照图2A至图2C、图3A至图3C、图4A、图4B以及图5A至图5C，触摸感测单元TSU设置在密封层SL上。在示例性实施例中，触摸感测单元TSU与密封层SL接触。然而，发明构思不限于此，可在触摸感测单元TSU与密封层SL之间设置诸如黏合层的单独的层。

参照图2A至图2C、图4A、图4B和图5A至图5C，第一感测电极Tx可设置在密封层SL上或者与密封层SL接触。绝缘层INL设置在密封层SL和第一感测电极Tx上，并与密封层SL和第一感测电极Tx中的每个第一感测电极Tx接触。更具体地，第一无机绝缘层IOL1设置在密封层SL和第一感测电极Tx上，并与密封层SL和第一感测电极Tx中的每个第一感测电极Tx接触。

第一自组装单层SAML1设置在第一无机绝缘层IOL1上。第二无机绝缘层IOL2设置在第一自组装单层SAML1上。第二感测电极Rx与第二无机绝缘层IOL2接触。

参照图3A至图3C、图4A、图4B和图5A至图5C，绝缘层INL设置在密封层SL上，并与密封层SL接触。更具体地，第一无机绝缘层IOL1设置在密封层SL上，并与密封层SL接触。第一自组装单层SAML1设置在第一无机绝缘层IOL1上。第二无机绝缘层IOL2设置在第一自组装单层SAML1上。第一感测电极Tx和第二感测电极Rx中的每个与第二无机绝缘层IOL2接触。

现有技术的典型的显示装置中包括的触摸感测单元不包括位于无机绝缘层中的第一自组装单层，在由于弯曲而产生裂纹的情况下，所述裂纹会扩展到整个无机绝缘层。

然而，包括在根据发明构思的示例性实施例的显示装置中的触摸感测单元包括设置在第一无机绝缘层和第二无机绝缘层之间的第一自组装单层。因此，即使当在第一无机绝缘层或第二无机绝缘层中产生裂纹时，第一自组装单层也可防止所述裂纹的扩展。因此，根据示例性实施例的触摸感测单元可具有高的耐用性。

另外，包括在根据示例性实施例的显示装置中的触摸感测单元使用第一自组装单层作为有机绝缘层，并且当与使用有机绝缘层而不是第一自组装单层的情况相比时，其可具有厚度减小的绝缘层。

在下文中，将解释根据示例性实施例的制造触摸感测单元的方法。在下文中，将主要描述不是根据上述示例性实施例的触摸感测单元的部件或者除了根据上述示例性实施例的触摸感测单元之外的部件。

图6是示意性地示出根据发明构思的示例性实施例的制造触摸感测单元的方法的流程图。

参照图1A、图1B、图2A至图2C、图3A至图3C和图6，制造根据示例性实施例的触摸感测单元TSU的方法包括形成绝缘层INL的步骤(S100)和形成与绝缘层INL接触的导电图案CP的步骤(S200)。形成绝缘层INL的步骤(S100)包括形成第一无机绝缘层IOL1的步骤以及在第一无机绝缘层IOL1上形成第一自组装单层SAML1并且在第一自组装单层SAML1上形成第二无机绝缘层IOL2的步骤。

图7A至图7E是示出根据发明构思的示例性实施例的制造触摸感测单元的方法的剖视图。

参照图2A、图2B、图6和图7A至图7E，形成导电图案CP的步骤(S200)包括形成第一感测电极Tx的步骤和在绝缘层INL上形成第二感测电极Rx的步骤。在形成绝缘层INL的步骤(S100)中，可在第一感测电极Tx上形成绝缘层INL。

参照图7A，形成第一感测电极Tx。参照图7B，在第一感测电极Tx上形成第一无机绝缘层IOL1。可例如通过沉积第一无机绝缘材料来形成第一无机绝缘层IOL1。第一无机绝缘层IOL1的厚度可在例如大约100nm至大约3,000nm的范围内。第一感测电极Tx与第一无机绝缘层IOL1接触。第一感测电极Tx覆盖有第一无机绝缘层IOL1。

参照图7C，在第一无机绝缘层IOL1上形成第一自组装单层SAML1。第一自组装单层SAML1可通过例如经由沉积工艺来形成。

第一自组装单层SAML1可包括硅。第一自组装单层SAML1可包括硅烷化合物。第一自组装单层SAML1可包括通常使用的任何材料，而没有限制，并且可包括例如(3-氨丙基)三甲氧基硅烷(APS)、11-巯基十一烷酸(MUA)、(3-三甲氧基硅基丙基)二亚乙基三胺(DET)、N-(2-氨基乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷(EDA)、全氟癸基三氯硅烷(PFS)、十八烷基三氯硅烷(OTS)、十八烷基三甲氧基硅烷(OTMS)、1-十六烷硫醇(HDT)、(十七氟代-1,1,2,2,-四氢癸基)三氯硅烷(FDTS)、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷-全氟癸基三氯硅烷(FOTS)、五氟苯硫醇(PFBT)和二氯二甲基硅烷(DDMS)中的至少一种。

第一自组装单层SAML1的厚度可小于第一无机绝缘层IOL1的厚度。第一自组装单层SAML1的厚度可在例如大约1nm至大约10nm的范围内。

参照图7D，在第一自组装单层SAML1上形成第二无机绝缘层IOL2。可通过例如沉积第二无机绝缘材料来形成第二无机绝缘层IOL2。第二无机绝缘材料可与第一无机绝缘材料相同或者不同。第二无机绝缘层IOL2的厚度可在例如大约100nm至大约3,000nm的范围内。

参照图7E，可在第二无机绝缘层IOL2上形成第二感测电极Rx。第二感测电极Rx与第二无机绝缘层IOL2接触。

图8A至图8D是示出根据发明构思的示例性实施例的制造触摸感测单元的方法的剖视图。

参照图3A、图3B、图6和图8A至8D，形成导电图案CP的步骤可包括在绝缘层INL上形成第一感测电极Tx的步骤和在绝缘层INL上形成第二感测电极Rx以在同一平面上与第一感测电极Tx分开的步骤。

参照图8A，形成第一无机绝缘层IOL1。第一无机绝缘层IOL1包括第一无机绝缘材料。第一无机绝缘层IOL1的厚度可大于第一自组装单层SAML1的厚度。第一无机绝缘层IOL1的厚度可在例如大约100nm至大约3,000nm的范围内。

参照图8B，在第一无机绝缘层IOL1上形成第一自组装单层SAML1。第一自组装单层SAML1可包括硅。第一自组装单层SAML1可包括硅烷化合物。第一自组装单层SAML1可包括通常使用的任何材料，而没有限制，并且可包括例如(3-氨丙基)三甲氧基硅烷(APS)、11-巯基十一烷酸(MUA)、(3-三甲氧基硅基丙基)二亚乙基三胺(DET)、N-(2-氨基乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷(EDA)、全氟癸基三氯硅烷(PFS)、十八烷基三氯硅烷(OTS)、十八烷基三甲氧基硅烷(OTMS)、1-十六烷硫醇(HDT)、(十七氟代-1,1,2,2,-四氢癸基)三氯硅烷(FDTS)、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷-全氟癸基三氯硅烷(FOTS)、五氟苯硫醇(PFBT)和二氯二甲基硅烷(DDMS)中的至少一种。

第一自组装单层SAML1的厚度可小于第一无机绝缘层IOL1的厚度。第一自组装单层SAML1的厚度可在例如大约1nm至大约10nm的范围内。

参照图8C，在第一自组装单层SAML1上形成第二无机绝缘层IOL2。第二无机绝缘层IOL2包括第二无机绝缘材料。第二无机绝缘材料可与第一无机绝缘材料相同或者不同。

第二无机绝缘层的厚度可与第一无机绝缘层的厚度相同或者不同。第二无机绝缘层IOL2的厚度可大于第一自组装单层SAML1的厚度。第二无机绝缘层IOL2的厚度可在例如大约100nm至大约3,000nm的范围内。

参照图8D，可在第二无机绝缘层IOL2上形成第一感测电极Tx和第二感测电极Rx。第一感测电极Tx和第二感测电极Rx在同一平面上彼此分开。第一感测电极Tx和第二感测电极Rx中的每个与第二无机绝缘层IOL2接触。

通过制造现有技术的典型的触摸感测单元的方法制造的触摸感测单元不包括位于无机绝缘层中的自组装单层，在由于弯曲而产生裂纹的情况下，所述裂纹会扩展到整个无机绝缘层。

然而，通过根据发明构思的示例性实施例的制造方法制造的触摸感测单元包括位于第一无机绝缘层与第二无机绝缘层之间的第一自组装单层。因此，即使当在第一无机绝缘层或第二无机绝缘层中产生裂纹时，第一自组装单层也可防止所述裂纹的扩展。因此，根据实施例的触摸感测单元可具有高耐用性。

另外，通过根据示例性实施例的制造方法制造的触摸感测单元使用第一自组装单层作为有机绝缘层，并且当与如现有技术中使用有机绝缘层而不使用第一自组装单层时的情况相比，其可具有减小厚度的绝缘层。

根据发明构思的示例性实施例的触摸感测单元，可减少由于弯曲导致的裂纹的产生。

根据发明构思的示例性实施例的显示装置，可防止由于弯曲而产生的裂纹的扩展，并且可实现细长的轮廓。

根据发明构思的示例性实施例，可提供一种制造能够实现细长轮廓并防止由于弯曲而产生的裂纹的扩展的触摸感测单元的方法。

尽管已经在这里描述了某些示例性实施例和实施方案，但是其它实施例和修改通过该描述将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而在于所给出的权利要求和各种明显的修改的更宽的范围以及等同布置。