本实用新型涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种副芯片软件更新用扩展装置。
背景技术:
当今电子设备的功能越来越多样化,一个设备上同时使用多个不同功能的集成芯片的情况非常普遍,如下图1所示,A芯片为主控芯片,B芯片为副芯片,A芯片通过数据线和B芯片通讯,从而控制B芯片工作。当B芯片需要更新软件时,如果下图1这样直接将烧录器或者仿真器直接挂在数据线上时,往往不能正常工作,因为A芯片也挂在这些数据线上,对数据的正常通讯会产生干扰。
现有技术中,解决这个问题的做法通常是,通过其他方法将A芯片从数据线上断开,等B芯片软件更新完成后再将A芯片的数据线接回去,如图2所示的通过将A芯片与B芯片之间的数据线进行割线的方式来实现,或者如图3所示的通过在A芯片与B芯片之间的数据线进行跳电阻的方式来实现。这两种方式很显然不适合大批量生产,没有效率,生产难度大。
技术实现要素:
针对上述技术问题,本实用新型提供了一种副芯片软件更新用扩展装置,可以很容易导入到大规模的批量生产,实现大批量芯片的快速软件更新,提高了生产效率。
对此,本实用新型的技术方案为:
一种副芯片软件更新用扩展装置,所述副芯片通过数据线与主控芯片连接,所述副芯片软件更新用扩展装置包括电源接口、开机按键和复位按键,所述主控芯片的电源正极引脚和电源负极引脚通过电源接口与外界电源连接;所述开机按键与主控芯片的开机引脚和电源引脚连接,或开机按键与主控芯片的开机引脚和地引脚连接;所述复位按键与主控芯片的复位引脚和电源引脚连接;或复位按键与主控芯片的复位引脚和地引脚连接;所述副芯片软件更新用扩展装置设有数据线接口,所述副芯片的数据线通过数据线接口与烧录器或仿真器连接。
其中,主控芯片优选为MT6260、MT621、MT2502或MT2503手机平台的主控芯片。对于低电平开机的平台,开机按键与主控芯片的开机引脚和地引脚连接;对于高电平开机的平台,所述开机按键与主控芯片的开机引脚和电源引脚连接;对于低电平复位的平台,所述复位按键与主控芯片的复位引脚和地引脚连接;对于高电平复位的平台,所述复位按键与主控芯片的复位引脚和电源引脚连接。
采用此技术方案,打开电源开关,将主控芯片与电源连通,然后按一下开机按键,这样,主控芯片的状态就处于初始化的高阻状态,然后就可以正常的更新副芯片的软件或者单独调试B芯片了。对于主控芯片优选为MT6260、MT621、MT2502或MT2503手机平台的主控芯片的平台,也可以通过按住复位键来使其进入复位模式来消除对外部数据总线的不良干扰。这种做法不需要动到板子的任何硬件,只需要将板上的相应引脚与所述副芯片软件更新用扩展装置连接,便可以实现副芯片的软件更新,容易导入到大规模的批量生产,提高生产效率。
作为本实用新型的进一步改进,所述电源接口通过顶针与主控芯片的电源正极引脚和电源负极引脚对接。对于开机按键、复位按键也是如此。
作为本实用新型的进一步改进,所述电源接口与外界电源之间连接有防浪涌元件。采用此技术方案,可以防止电源导通时产生的浪涌对芯片造成损害。
作为本实用新型的进一步改进,所述防浪涌元件为TVS管。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果为:
采用本实用新型的技术方案,可以很方便的对副芯片进行软件更新,不需要进行通过割线或通过增加跳电阻,方法更加简单,便于导入到大规模的批量生产,快速实现软件更新,提高了生产效率。
附图说明
图1是现有技术集成芯片主控A芯片和副芯片B芯片的连接示意图。
图2是现有技术集成芯片副芯片B芯片采用割线方式进行软件更新的电路图。
图3是现有技术集成芯片副芯片B芯片采用跳电阻方式进行软件更新的电路图。
图4是本实用新型实施例1副芯片B芯片软件更新用扩展装置更新B芯片软件的结构示意图。
图5是本实用新型实施例2副芯片B芯片软件更新用扩展装置更新B芯片软件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图,对本实用新型的较优的实施例作进一步的详细说明。
实施例1
如图4所示,一种副芯片软件更新用扩展装置,所述副芯片B芯片1通过数据线与主控芯片A芯片2连接,所述A芯片2为带开机引脚或者复位引脚的平台,所述A芯片2为高电平开机、高电平复位的平台,所述副芯片软件更新用扩展装置其包括电源接口3、开机按键4、复位按键5、数据线接口7,所述A芯片2的电源正极引脚和电源负极引脚通过电源接口3与外界电源6连接,所述开机按键4与A芯片2的开机引脚和电源引脚连接,所述复位按键5与A芯片2的复位引脚和电源引脚连接;所述B芯片1通过数据线接口7与烧录器或仿真器连接。其中,所述电源接口3通过顶针与A芯片2的电源正极引脚和电源负极引脚对接。
实施例2
一种副芯片软件更新用扩展装置,在实施例1的基础上,如图5所示,在所述外界电源6与电源接口3之间并联有防浪涌元件双向TVS管8。
以上所述之具体实施方式为本实用新型的较佳实施方式,并非以此限定本实用新型的具体实施范围,本实用新型的范围包括并不限于本具体实施方式,凡依照本实用新型之形状、结构所作的等效变化均在本实用新型的保护范围内。