技术总结
本发明公开了一种超宽带氮化镓器件小信号模型及其参数提取方法，该小信号模型在栅、源、漏端分别采用三个互联电容和级联电感网络结构形式，包括18个寄生参数和10个本征参数；寄生参数包括外层寄生电容Cpgi1、Cpdi1、Cgdi1等，寄生电感Lgi1、Ldi1、Lsi1等，寄生电阻Rg、Rd、Rs；本征参数包括本征电容Cgd、Cgs、Cds，本征电阻Rgs、Rgd、Rds，本征电流源Ids＝ViGme‑jωta中的参量Gm及ta。该模型可以准确描述高频器件特性，从而使得模型具有更宽的应用频带，最高能够适用于W频段；该参数提取方法可以实现模型参数在0.2‑110GHz的频率范围内具有良好稳定性。
技术研发人员：徐跃杭;贾永昊;毛书漫;徐锐敏;延波
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201710120429
技术研发日：2017.03.02
技术公布日：2017.06.23