电动汽车控制器中功率元件IGBT结温的估算方法与流程

文档序号:18197678发布日期:2019-07-17 05:57阅读:1183来源:国知局
电动汽车控制器中功率元件IGBT结温的估算方法与流程

本发明涉及一种电动汽车控制器中功率元件igbt结温的估算方法。



背景技术:

igbt作为电动汽车上最重要的功率元件之一,在汽车动力系统中,功率元件igbt的高失效率成为制约电动汽车控制器长期、安全、可靠运行的关键因素。据电力电子系统的可靠性调研报告显示,功率器件在整个电控系统中是失效率最高的部件。此外,在所有引发控制器各类失效故障的因素当中,近50%的电力电子系统失效故障是由温度因素引发的。因此,有效的对igbt功率元件内部结温进行动态检测与监控,是提高功率模块及控制器系统可靠性的关键。

目前,针对功率元件igbt结温的估算一般是检测开管时igbt的vce,进行结温估算,该方式检测误差大,并只有在igbt开通时检测,关断时vce电压很高,不易实现结温估算;另外是通过功率元件厂家给出的热阻网络估算结温,但需要外接igbt壳温检测电路,并且误差大。



技术实现要素:

本发明所要解决的技术问题是提供一种电动汽车控制器中功率元件igbt结温的估算方法,本方法克服传统igbt结温估算的缺陷,提取igbt内部芯片与其内部热敏电阻之间的热阻抗模型,有效估算igbt结温,具有良好的动态特性及准确性,确保控制器的可靠性。

为解决上述技术问题,本发明电动汽车控制器中功率元件igbt结温的估算方法包括如下步骤:

步骤一、根据功率元件igbt的参数手册,得到igbt结温与igbt导通压降vce的关系,再通过igbt固定损耗得到vce与热敏电阻温度tntc的关系,将其转换为igbt结温与热敏电阻温度的对应关系,最终提取功率元件igbt和二极管结到热敏电阻的热阻模型zi,j-ntc和zd,j-ntc,其表达式为:

τin=rin×cin

τdn=rdn×cdn

其中:τin为时间常数、rin为热阻、cin为热容、τdn为二极管热阻抗时间常数、rdn为二极管热阻、cdn为二极管热容、zd,j-ntc为二极管结到热敏电阻的热阻抗、zi,j-ntc为igbt结到热敏电阻的热阻抗、n为常数1到3、t为时间;

步骤二、检测输出电流及直流母线电压,判断是功率元件igbt还是二极管导通产生损耗,并计算导通损耗pcon和开关损耗psw,

pcon=vce×ic×d

psw=fsw×(eon+eoff)

其中:ic为输出电流、d为占空比、eon和eoff分别为功率元件igbt的开通功耗和关断功耗、fsw为开关损耗;

则总损耗pavg=pcon+psw;

步骤三、实时采样热敏电阻的温度tntc,得到功率元件igbt结温表达式:

tj=tntc+pavg×zj-ntc

其中:tj为igbt结温、tntc为热敏电阻温度、zj-ntc为igbt结到热敏电阻的热阻抗。

由于本发明电动汽车控制器中功率元件igbt结温的估算方法采用了上述技术方案,即本方法根据功率元件igbt的参数手册,得到igbt结温与igbt导通压降vce的关系,再通过igbt固定损耗得到vce与热敏电阻温度tntc的关系,将其转换为igbt结温与热敏电阻温度的对应关系,最终提取功率元件igbt和二极管结到热敏电阻的热阻模型zi,j-ntc和zd,j-ntc,检测电流及直流母线电压,判断是功率元件igbt还是二极管导通,并计算总损耗pavg;实时采样热敏电阻的温度tntc,得到功率元件igbt结温tj。本方法克服传统igbt结温估算的缺陷,提取igbt内部芯片与其内部热敏电阻之间的热阻抗模型,有效估算igbt结温,具有良好的动态特性及准确性,确保控制器的可靠性。

附图说明

下面结合附图和实施方式对本发明作进一步的详细说明:

图1为功率元件igbt及二极管的损耗等效模型图。

具体实施方式

根据图1所示的模型图,本发明电动汽车控制器中功率元件igbt结温的估算方法包括如下步骤:

步骤一、根据功率元件igbt的参数手册,得到igbt结温与igbt导通压降vce的关系,再通过igbt固定损耗得到vce与热敏电阻温度tntc的关系,将其转换为igbt结温与热敏电阻温度的对应关系,最终提取功率元件igbt和二极管结到热敏电阻的热阻模型zi,j-ntc和zd,j-ntc,其表达式为:

τin=rin×cin

τdn=rdn×cdn

其中:τin为时间常数、rin为热阻、cin为热容、τdn为二极管热阻抗时间常数、rdn为二极管热阻、cdn为二极管热容、zd,j-ntc为二极管结到热敏电阻的热阻抗、zi,j-ntc为igbt结到热敏电阻的热阻抗、n为常数1到3、t为时间;

步骤二、检测输出电流及直流母线电压,判断是功率元件igbt还是二极管导通产生损耗,并计算导通损耗pcon和开关损耗psw,

pcon=vce×ic×d

psw=fsw×(eon+eoff)

其中:ic为输出电流、d为占空比、eon和eoff分别为功率元件igbt的开通功耗和关断功耗、fsw为开关损耗;

则总损耗pavg=pcon+psw;

步骤三、实时采样热敏电阻的温度tntc,得到功率元件igbt结温表达式:

tj=tntc+pavg×zj-ntc

其中:tj为igbt结温、tntc为热敏电阻温度、zj-ntc为igbt结到热敏电阻的热阻抗。

图1中pdiode为二极管的损耗,pigbt为功率元件igbt的损耗,rd1、rd2、rd3分别为二极管的等效热阻,cd1、cd2、cd3分别为二极管的等效热容,ri1、ri2、ri3分别为功率元件igbt的等效热阻,ci1、ci2、ci3分别为功率元件igbt的等效热容,tntc为热敏电阻的温度。

本方法中功率元件igbt的参数手册为iec60747《半导体器件.分立器件和集成电路》第2部分整流二极管和第9部分绝缘栅双极型晶体管,以热敏电阻温度为基准,将功率元件igbt的损耗等效为电流源,并通过电流源对阻容网络充放电的方法来估算结温,根据估算结果提高电机控制器功率器件利用率,增加功率密度,评估igbt寿命,确保控制器的可靠性。

当前第1页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1