技术总结
本发明涉及一种多NAND闪存组成的存储系统中的并行访问方法，所述NAND闪存的数量为N，通道的数量等于NAND闪存的数量，所述NAND闪存的物理页的数量为M，一次连续的请求的逻辑地址为0到M*N‑1，其中，M和N都是正整数，M≥2，N≥2，包括：所述连续的请求通过队列管理器，对于第i通道的第j次请求，分配的逻辑地址为M*N‑1‑i*N‑j；依次经过闪存转译层地址映射、请求分配管理器和NAND闪存控制器后写入到多NAND闪存组成的存储系统中。系统I/O性能提高，减少了基于NAND Flash SSD的垃圾回收时脏块的擦除次数及有效页复制次数。发明还涉及一种多NAND闪存组成的存储系统中的访问方法、固态硬盘和计算机。
技术研发人员：黄敏;陈大庆;殷艳超;许宜申;吴迪;陶智;詹耀辉
受保护的技术使用者：苏州大学
技术研发日：2017.12.29
技术公布日：2018.06.01