技术总结
本申请公开了超声波传感器。所述超声波传感器包括：CMOS电路；以及至少一个超声波换能器，其中，所述CMOS电路与所述至少一个超声波换能器连接，用于驱动所述至少一个超声波换能器和处理所述至少一个超声波换能器产生的检测信号，其中，所述至少一个超声波换能器包括：压电叠层，所述压电叠层包括压电层，以及分别位于所述压电层的第一表面和第二表面上的第一电极和第二电极，所述第一表面与所述第二表面彼此相对，其中，所述压电叠层与所述CMOS电路之间电连接，所述压电层由有机压电聚合物组成。该超声波传感器采用有机压电聚合物形成压电层，从而可以降低制造成本以及提高传感器的性能。
技术研发人员：季锋;闻永祥;刘琛;邹光祎
受保护的技术使用者：杭州士兰微电子股份有限公司
文档号码：201720395581
技术研发日：2017.04.14
技术公布日：2018.04.20