一种超声波传感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种超声波传感器，特别是一种泊车用超声波传感器。
【背景技术】
[0002]如图1所示，现有的超声波传感器包括传感器外壳1、压电陶瓷片2、PCB板4、双绞线5以及插头6，其中压电陶瓷片2与PCB板4均位于外壳I内，压电陶瓷片2通过环氧树脂3粘接于外壳I的内侧面上，压电陶瓷片2通过信号线7与PCB板4连接，PCB板的信号输出端通过双绞线5接至插头6，为了接地良好，所述外壳I常采用铝外壳或铝合金外壳等金属外壳，PCB板的接地端通过接地线8与外壳I导电连接。
[0003]现有的超声波传感器具有这样的缺陷，由于外壳与压电陶瓷采用环氧树脂粘接，当传感器受到高温或低温冲击时其信号输出不稳定，情况恶劣时还会出现压电陶瓷片脱胶而产生传感器无信号输出现象，使传感器无法正常工作。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的发明目的在于:针对上述存在的问题，对传感器进行改进，提高超声波传感器的稳定性。
[0005]本实用新型采用的技术方案是这样的:包括外壳及压电陶瓷片，所述外壳的外侧面覆盖有银层，所述外壳的内侧面覆盖有银层或锡层；所述压电陶瓷片固定于外壳内侧面上的银层或锡层上。
[0006]优选地，所述外壳为销壳或销合金壳。
[0007]优选地，所述压电陶瓷片通过银浆固定于外壳内侧面上的银层上。
[0008]优选地，所述压电陶瓷片通过焊锡膏固定于外壳内侧面上的锡层上。
[0009]综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是:
[0010]由于银和锡受温度变化影响小，本实用新型中的超声波传感器的信号传输更加稳定，不会受到环境高温或低温的冲击影响；由于压电陶瓷片采用银浆或焊锡膏焊接于外壳的内侧面，即使多次受到高、低温冲击也不会发生压电陶瓷片脱胶的现象。综上，本实用新型中的超声波传感器具有良好的可靠性及稳定性。
【附图说明】
[0011]图1是现有技术的超声波传感器结构示意图。
[0012]图2是本实用新型的超声波传感器结构示意图。
[0013]图中标记:1为外壳；2为压电陶瓷片；3为环氧树脂胶；4为PCB板；5为双绞线；6为插头；7为信号线；8为接地线；1_1为外壳外侧面上的银层；1_2为外壳内侧面上的银层或锡层。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。
[0015]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0016]如图2所示，本实用新型在图1所述的传统的传感器结构上进行了以下改进:
[0017]外壳的外侧面覆盖有银层1-1，所述外壳的内侧面覆盖有银层或锡层1-2 ;所述压电陶瓷片2直接固定于外壳内侧面上的银层或锡层1-2上。
[0018]为了使压电陶瓷片更好的与外壳内侧面上的金属镀层粘接，在一个优选实施例中，外壳内侧面的金属镀层为银层，采用银浆将所述压电陶瓷片通过焊接、粘接等方式固定于外壳内侧面上的银层上。
[0019]在另一个优选实施例中，外壳内侧面的金属镀层为锡层，采用焊锡膏将所述压电陶瓷片通过焊接、粘接等方式固定于外壳内侧面上的锡层上。
[0020]在其他具体实施例中，所述外壳为销壳或销合金壳。
[0021]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种超声波传感器，包括外壳及压电陶瓷片，其特征在于，所述外壳的外侧面覆盖有银层，所述外壳的内侧面覆盖有银层或锡层；所述压电陶瓷片固定于外壳内侧面上的银层或锡层上。
2.根据权利要求1所述的一种超声波传感器，其特征在于，所述外壳为铝壳或铝合金壳。
3.根据权利要求1或2所述的一种超声波传感器，其特征在于，所述压电陶瓷片通过银浆固定于外壳内侧面上的银层上。
4.根据权利要求1或2所述的一种超声波传感器，其特征在于，所述压电陶瓷片通过焊锡膏固定于外壳内侧面上的锡层上。
【专利摘要】本实用新型公开了一种超声波传感器,涉及一种泊车用超声波传感器。现有的超声波传感器由于外壳与压电陶瓷采用环氧树脂粘接，当传感器受到高温或低温冲击时其信号输出不稳定，情况恶劣时还会出现压电陶瓷片脱胶而产生传感器无信号输出现象，使传感器无法正常工作。本实用新型的发明目的在于：针对上述存在的问题，对传感器进行改进，提高超声波传感器的稳定性。本实用新型采用的技术要点：包括外壳及压电陶瓷片，所述外壳的外侧面覆盖有银层，所述外壳的内侧面覆盖有银层或锡层；所述压电陶瓷片固定于外壳内侧面上的银层或锡层上。
【IPC分类】G01D21-00
【公开号】CN204421944
【申请号】CN201520142831
【发明人】李铭, 欧贵彬
【申请人】成都楷模电子科技有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年3月13日