技术特征：
技术总结
本发明公开了一种改善Flash磨损寿命的方法、控制装置及存储系统，该方法包括：收集各个Flash芯片上不同Block/Page的原始误码率RBER和纠正误码数CBE；当RBER增加到一定程度时，计算得到相应Block/Page的最优读电平阀值并写入相应的Flash芯片；并根据CBE将空闲的Block/Page进行分类，将CBR较低的Block/Page分配给更新频率高的数据，将CBR较高的Block/Page分配给更新频率低的数据。本发明一方通过调整读电平阀值，使得RBER降低，另一方面通过匹配数据的更新特质与Flash的Endurance磨损能够延缓块的损坏速度，提高Flash的磨损寿命。本发明可应用于固态硬盘，磁盘阵列，固态缓存，分布式存储系统，大数据应用等诸多领域，具有广泛的应用前景。
技术研发人员：胡晓宇
受保护的技术使用者：南京道熵信息技术有限公司
技术研发日：2018.05.10
技术公布日：2018.10.09