磁性安全传输装置和包括该磁性安全传输装置的电子装置的制作方法

本申请要求于2017年6月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2017-0077431的优先权，该申请的全部内容以引用方式并入本文中。

示例实施例涉及一种集成电路。例如，至少一些示例实施例涉及一种磁性安全传输(mst)装置和/或包括其的电子装置。

背景技术：

诸如智能电话、移动装置和平板电脑的便携式电子装置为用户提供了各种功能。已将便携式电子装置迅速提供给消费者。此外，用户对便携式电子装置的需求已多样化。因此，便携式电子装置必须支持的功能得以增加。

电子装置可支持的功能之一是通过磁性安全传输(mst)的支付功能。基于mst的支付功能取代了现有的卡式支付装置，并直接通过便携式电子装置为用户提供支付功能。为此，具有支付功能的电子装置正在增加。

便携式电子装置的面积可能由于装置特性而受到限制。因此，在便携式电子装置上安装用户所期望的各种功能可具有局限性。此外，由于面积有限，便携式电子装置中包括的电池的容量也可受到限制。

技术实现要素：

本发明构思的示例实施例提供了一种低功率mst装置和/或包括其的电子装置。

根据示例实施例，一种磁性安全传输(mst)装置可被构造为产生mst信号。mst装置可包括：第一发送器，其被构造为以第一工作频率操作；第一线圈，其被构造为基于第一发送器的操作而产生第一信号；第二发送器，其被构造为以第二工作频率操作，第二工作频率是与第一发送器所关联的第一工作频率相同的频率；以及第二线圈，其被构造为基于第二发送器的操作而产生第二信号，第二信号抵消或补偿第一信号，其中mst装置随着第一信号和第二信号彼此叠加而产生mst信号。

根据示例实施例，一种mst装置可被构造为产生mst信号。所述mst装置可包括：第一发送器，其被构造为以第一工作频率操作；第一线圈，其被构造为基于第一发送器的操作而产生第一信号；第二发送器，其被构造为以第二工作频率操作，第二工作频率是与第一工作频率相同的频率；以及第二线圈，其被构造为基于第二发送器的操作而产生第二信号，第二线圈的至少一些导线位于第一线圈的导线之间，其中，mst装置被构造为随着第一信号和第二信号彼此叠加而产生mst信号。

根据示例实施例，一种电子装置可包括：mst装置，mst装置被构造为基于第一信号和第二信号之间的叠加而产生mst信号，所述mst装置包括被构造为产生第一信号的第一发送器和被构造为产生用于抵消或补偿第一信号的第二信号的第二发送器；以及控制器，其被构造为控制第一发送器和第二发送器。

附图说明

从下面结合以下附图的描述中，以上和其它目的和特征将变得更加清楚，其中，除非另有说明，否则在不同的附图中，相同的附图标记始终指代相同的部件，并且其中：

图1是示出mst装置和pos装置的示图；

图2是示出图1所示的mst装置的示图；

图3是用于描述图2的mst装置的操作的时序图；

图4是示出根据本发明构思的示例实施例的mst装置和pos装置的示图；

图5是示出图4所示的mst装置的电路图；

图6是用于描述图4的mst装置的操作的时序图；

图7至图14是用于描述图4所示的第一发送器的操作的示图；

图15和图16是示出图4所示的第一线圈和第二线圈的构造的示图；

图17是用于描述根据本发明构思的另一示例实施例的mst装置的操作的时序图；

图18和图19是示出根据本发明构思的另一示例实施例的第一线圈和第二线圈的构造的示图；

图20是示出根据本发明构思的另一示例实施例的mst装置的示图；以及

图21是示出包括根据本发明构思的示例实施例的mst装置的电子装置的示图。

具体实施方式

下面，可详细和清楚地描述本发明构思的示例实施例，从而使得本领域普通技术人员能够容易地实施本发明构思。

图1是示出mst装置和pos装置的示图。

参照图1，磁性安全传输(mst)装置10可产生磁场b并且可通过产生的磁场b将信息提供至销售点(pos)装置20。

mst是一种当含信用卡信息的电子装置直接或间接接触信用卡支付终端(例如，pos装置)时允许信用卡支付终端自动加载存储在电子装置中的信用卡信息并且执行支付的技术。通过mst技术，支付信息被发送至信用卡支付终端。支付信息可包括主帐号(pan)、装置帐号(dan)、虚拟信用卡信息、银行信息编号(bin)、卡安全码(csc)、卡认证值(cvv)、密码电文等。

mst装置10可包括发送器11和线圈“l”。发送器11由电源电压vbat驱动。发送器11的操作受控制信号ctrl[1:4]控制。虽然图1中未示出，但是例如，电源电压vbat可由包括mst装置10的电子装置的电池、外部电源等提供。例如，控制信号ctrl[1:4]可由用于控制mst装置10的控制器(或处理器)提供。

发送器11通过端子c+和c-与线圈“l”连接。为了产生将被提供至pos装置20的信号，发送器11操作以使得流至线圈“l”的mst电流imm的量和mst电流imm的方向中的至少一个改变。线圈“l”中产生的磁场“b”可随着mst电流imm的改变(mst电流imm的量或方向的改变)而改变。通过磁场“b”的改变在pos装置20感生出读电压vrd。读电压vrd的幅值与磁场“b”的变化的幅值成比例。也就是说，在mst装置10中产生的磁场“b”的改变被转移至pos装置20。pos装置20可通过磁场“b”的改变而产生读电压vrd。在本说明书中，具有磁场的形式的信号(或者具有磁场的变化的形式的信号)被称作“磁信号”或“mst信号”。

例如，线圈“l”的电感可通过各种因素(诸如mst装置10的mst接口规格和设计规格)改变。在图1的示例中，发送器11示为与单个线圈“l”连接。然而，示例实施例可不限于此。例如，发送器11可额外地与任何电路、任何单元、任何块等连接。例如，发送器11可额外地与用于调整mst电流imm的量或者mst电流imm的变化的电阻器、可变电阻器、电容器等连接。如有必要，发送器11可额外地与用于测量mst电流imm的电流测量装置(参照图20)连接。

pos装置20接收从mst装置10提供的mst信号。pos装置20可包括：线圈“lr”(下文中称作“接收器线圈”)，以接收mst信号；接收器21和解码器22。通过互磁耦合，从磁形式的所发送的mst信号在接收器线圈lr处感生出读电压vrd。如在线圈“l”中，接收器线圈“lr”的电感可通过诸如mst装置10或pos装置20的mst接口规格和设计规格的各种因素改变。

接收器21可将读电压vrd的幅值放大为解码器22中可识别的信号的幅值。将通过接收器21放大的信号提供至解码器22。解码器22将提供的信号解码。pos装置20还可包括用于利用例如已知处理方法来处理解码后的信号的处理器。

图2是示出图1所示的mst装置的示图。

参照图2，发送器11可包括第一开关s1至第四开关s4和第一二极管dd1至第四二极管dd4。

第一开关s1响应于控制信号ctrl[1]在节点nn0与端子c+之间形成电流路径。可利用由控制信号ctrl[1]控制的pmos晶体管实施第一开关s1。第一二极管dd1的阳极与端子c+连接，并且其阴极与节点nn0连接。

第二开关s2响应于控制信号ctrl[2]在节点nn0与端子c-之间形成电流路径。可利用由控制信号ctrl[2]控制的pmos晶体管实施第二开关s2。第二二极管dd2的阳极与端子c-连接，并且其阴极与节点nn0连接。

第一二极管dd1可为由pmos晶体管实施的第一开关s1的寄生二极管，第二二极管dd2可为由pmos晶体管实施的第二开关s2的寄生二极管。如图2所示，由于第一开关s1的源端子与节点nn0连接，因此第一二极管dd1的阴极连接至节点nn0。另外，由于第二开关s2的源端子与节点nn0连接，因此第二二极管dd2的阴极连接至节点nn0。在第一开关s1和第二开关s2关断的情况下，通过相对于节点nn0在反方向上连接的第一二极管dd1和第二二极管dd2，可防止从节点nn0朝着端子c+或者从节点nn0朝着端子c-的意外的漏电流。

第三开关s3响应于控制信号ctrl[3]在端子c+与节点nn1之间形成电流路径。可利用由控制信号ctrl[3]控制的nmos晶体管实施第三开关s3。第三二极管dd3的阳极与节点nn1连接，并且其阴极与端子c+连接。

第四开关s4响应于控制信号ctrl[4]在端子c-与节点nn1之间形成电流路径。可利用由控制信号ctrl[4]控制的nmos晶体管实施第四开关s4。第四二极管dd4的阳极与节点nn1连接，并且其阴极与端子c-连接。

第三二极管dd3可为由nmos晶体管实施的第三开关s3的寄生二极管，第四二极管dd4可为由nmos晶体管实施的第四开关s4的寄生二极管。在第三开关s3和第四开关s4关断的情况下，通过第三二极管dd3和第四二极管dd4，可防止从端子c+朝着节点nn1或者从端子c-朝着节点nn1的意外的漏电流。

例如，第一开关s1和第二开关s2可分别由nmos晶体管实施，而第三开关s3和第四开关s4可分别由pmos晶体管实施。针对另一示例，第一开关s1至第四开关s4可由级联的nmos晶体管或者pmos晶体管实施。可替换地，第一开关s1至第四开关s4中的每一个可按照其中nmos晶体管和pmos晶体管并联连接的传输门的形式实施。然而，示例实施例可不限于此。例如，第一开关s1至第四开关s4可由任何形式的开关实施。

第一开关s1至第四开关s4的连接关系根据发送器11的操作而改变。流至线圈“l”的mst电流imm的方向或量通过改变的连接关系而改变。mst电流imm的改变产生mst信号。将参照图3更完全地描述包括发送器11的mst装置10的操作。

图3是用于描述图2的mst装置的操作的时序图。

参照图3，将参照图1至图3来描述根据mst装置10的操作的mst电流imm的改变、磁通量改变δmagneticflux和读电压vrd的改变。

下面，将参照从端子c+至端子c-的方向描述mst电流imm。在本说明书中，从端子c+至端子c-的方向被称作“参考方向”，并且从端子c-至端子c+的方向被称作“反方向”。另外，假设通过在参考方向上流动的mst电流imm在顺时针方向上产生磁场“b”。线圈“l”被构造为使得通过参考方向的mst电流imm而产生顺时针方向的磁场“b”。然而，磁场“b”的方向仅是一个示例。磁场“b”的方向可随着流至线圈“l”的mst电流imm的方向、线圈“l”的缠绕方向等而改变。

如上所述，产生的磁场“b”的幅值和方向随着mst电流imm改变而改变。在图3中，磁通量的改变示为用于表示磁场“b”的改变的指示器。磁通量是被引入以表示磁场的幅值的物理量。由虚拟曲面的面积与垂直于曲面的磁场分量的乘积来定义磁通量。也就是说，磁通量意指磁场的幅值。在本说明书中，磁通量的改变或磁通量的变化由“p”示出。

磁通量改变“p”的幅值与磁场改变的幅值成比例。结果，磁通量改变“p”的幅值与mst电流(imm)改变的幅值成比例。也就是说，如果mst电流imm的改变大，则磁通量改变“p”的幅值增大。相反，如果mst电流imm的改变小，则磁通量改变“p”的幅值减小。由等式“vrd＝a×(p/dt)”来定义根据磁通量改变“p”感生的读电压vrd。这里，“a”是根据线圈“l”和接收器线圈“lr”的特性确定的常数。

如图1所示，将参照电位的方向描述读电压vrd。接收器线圈“lr”被构造为使得通过顺时针方向的磁场“b”产生图1所示的读电压vrd。然而，形成读电压vrd的方向仅是一个示例。该方向可根据mst电流imm的方向、线圈“l”或者接收器线圈lr的缠绕方向等而改变。mst装置10的操作如下。

从t0至t1，第一开关s1和第四开关s4接通，第二开关s2和第三开关s3关断。随着第一开关s1至第四开关s4的操作状态改变，在t0之前在反方向上流动的mst电流imm在参考方向上流动。也就是说，mst电流imm的方向和量与t0之前的那些相比发生了改变。在顺时针方向上形成的磁场“b”的幅值通过从t0至t1的mst电流imm的改变而增大。因此，发生正磁通量改变“p”。通过互磁耦合，在接收器线圈“lr”的相对端部感生了正读电压(即，正的读电压)vrd。在图3中，读电压vrd的最大幅值示为“vp”。结果，mst装置10将正磁场“b”的改变发送至pos装置20，作为mst信号。pos装置20接收发送的mst信号作为正读电压vrd。

从t1至t2，第一开关s1至第四开关s4保持与从t0至t1保持的操作状态相同的操作状态。因此，具有最大电流量ip的mst电流imm在参考方向上流动。由于mst电流imm的方向或量不改变，因此不发生磁场“b”的改变和磁通量改变“p”。因此，在pos装置20处不感生读电压vrd。

从t2至t3，第二开关s2和第三开关s3接通，第一开关s1和第四开关s4关断。随着第一开关s1至第四开关s4的操作状态改变，从t0至t2在参考方向上流动的mst电流imm在反方向上流动。也就是说，从t2至t3，mst电流imm的方向和量改变。因此，在逆时针方向上形成的磁场“b”的幅值通过mst电流imm的改变而增大。因此，发生负磁通量改变“p”。通过互磁耦合在接收器线圈“lr”的相对端部感生负读电压(即，负的读电压)vrd。结果，mst装置10将负磁场“b”的改变发送至pos装置20，作为mst信号。pos装置20接收所发送的mst信号，作为负读电压vrd。

从t3至t4，第一开关s1至第四开关s4保持与从t2至t3保持的操作状态相同的操作状态。因此，具有最大电流量ip的mst电流imm在反方向上流动。由于mst电流imm的方向或量不改变，因此不发生磁场“b”的改变和磁通量改变“p”。因此，在pos装置20处不感生读电压vrd。

在t4之后，mst装置10的操作与从t0至t4的描述相同。另外，通过mst装置10的操作，在t4之后的mst电流imm的改变、磁场“b”的改变、磁通量改变“p”和读电压vrd的改变与从t0至t4的描述相同，并且因此省略对其的描述。

mst装置10可根据转移的数据控制mst电流imm，以使得mst电流imm增大或减小。mst电流imm的周期性改变可限定mst信号的周期和读电压vrd的周期。pos装置20可基于读电压vrd的周期来确定逻辑“1”和逻辑“0”。

例如，读电压vrd的波形可包括具有比参考周期更短的第一周期的时间间隔和具有比参考周期更长的第二周期的时间间隔。第一周期的读电压vrd的波形可意指逻辑“1”，并且第二周期的读电压vrd的波形可意指逻辑“0”。例如，其中感生了正读电压vrd和负读电压vrd的时间间隔t0至t3可对应于第一周期。在这种情况下，pos装置20可确定第一周期，以从读电压vrd中解码出数据逻辑“1”。可替换地，时间间隔t0至t3可对应于第二周期。在这种情况下，pos装置20可确定第二周期以从读电压vrd中解码出数据逻辑“0”。

作为另一示例，第一周期的读电压vrd的波形可意指逻辑“0”，并且第二周期的读电压vrd的波形可意指逻辑“1”。可通过控制信号ctrl[1:4]的控制时间来控制读电压vrd的波形的周期。上述第一周期和第二周期的长度可根据需要改变。

参照图1至图3，从t1至t2和从t3至t4，具有电流量ip的mst电流imm流至发送器11和线圈“l”。也就是说，最大电流量的mst电流imm在对应的时间间隔中流动。另外，在时间间隔t0至t1、t2至t3和t4至t5中，mst电流imm可从“-ip”改变为“ip”，或者可从“ip”改变为“-ip”。

由“vbat×imm”确定mst装置10的功耗。也就是说，mst装置10的功耗与mst电流imm的量成比例，并且当最大电流量ip的mst电流imm流动时可被最大化。因此，通过减小mst电流imm的最大电流量ip，mst装置10的功耗可与最大电流量ip成比例地减小。下面，将描述在相同电源电压vbat下能够减小mst电流imm的最大电流量ip的mst装置。

图4是示出根据本发明构思的示例实施例的mst装置和pos装置的示图。

参照图4，mst装置100可包括第一发送器110、第二发送器120、第一线圈l1和第二线圈l2。如图1的mst装置10中，图4的mst装置100可通过mst信号将信息提供至pos装置200。例如，pos装置200可包括图1的pos装置20。

第一发送器110由电源电压vbat驱动。第一发送器110的操作由控制信号ctrl[1:4]控制。第一发送器110通过端子c1+和c1-与第一线圈l1连接。第一发送器110响应于控制信号ctrl[1:4]操作，以使得流至第一线圈l1的第一mst电流im1的量和第一mst电流im1的方向中的至少一个改变。第一mst电流im1产生第一磁场b1。另外，在第一线圈l1中产生的第一磁场b1可随着第一mst电流im1的改变(第一mst电流im1的量或方向的改变)而改变。

第二发送器120由电源电压vbat驱动。第二发送器120的操作由控制信号ctrl[5:8]控制。第二发送器120通过端子c2+和c2-与第二线圈l2连接。第二发送器120响应于控制信号ctrl[5:8]操作，以使得流至第二线圈l2的第二mst电流im2的量和第二mst电流im2的方向中的至少一个改变。第二mst电流im2产生第二磁场b2。在第二线圈l2中产生的第二磁场b2可随着第二mst电流im2的改变(第二mst电流im2的量或方向的改变)而改变。

这里，产生第二磁场b2的改变以抵消或补偿第一磁场b1的改变。详细地说，在mst装置100不将mst信号提供至pos装置200的时间间隔中，第二发送器120可控制第二磁场b2的改变，以抵消第一磁场b1的改变。第二发送器120可调整第二mst电流im2，以调整第二磁场b2的改变。在mst装置100将mst信号提供至pos装置200的时间间隔中，第二发送器120可控制第二磁场b2的改变，以补偿第一磁场b1的改变。

随着第一磁场b1和第二磁场b2彼此叠加，产生第三磁场b3。另外，随着第一磁场b1的改变和第二磁场b2的改变彼此叠加，产生mst信号。将mst信号提供至pos装置200。通过mst信号在pos装置200处感生出读电压vrd。

通过mst装置100的上述构造和操作，在保持电源电压vbat的同时，第一发送器110和第二发送器120可将第一mst电流im1的最大电流量和第二mst电流im2的最大电流量减小为小于“ip”。因此，mst装置100的功耗可减小。例如，根据图6的示例实施例，第一mst电流im1和第二mst电流im2中的每一个的最大电流量可降至“ip/2”。在这种情况下，例如，第一发送器110的第一开关sw1至第四开关sw4的大小和第二发送器120的第五开关sw5至第八开关sw8的大小可设计为小于图2的发送器11的第一开关s1至第四开关s4的大小。因此，根据以下示例实施例，mst装置100的面积可减小。将参照图6描述第一发送器110和第二发送器120的详细操作。

第一线圈l1和第二线圈l2中的每一个可与图1所示的线圈“l”基本相同。然而，第一线圈l1的导线中的至少一些可形成为位于第二线圈l2的导线之间。其原因是，第一线圈l1中产生的第一磁场b1的改变和第二线圈l2中产生的第二磁场b2的改变在mst装置100不将mst信号提供至pos装置200的时间间隔中被抵消。将参照图15、图16、图18和图19更完全地描述其中第一线圈l1和第二线圈l2彼此重叠的构造。在图4至图16的示例实施例中，第一线圈l1的缠绕方向与第二线圈l2的缠绕方向相同。因此，当第一mst电流im1从端子c1+流动至端子c1-时产生的第一磁场b1的方向与当第二mst电流im2从端子c2+流动至端子c2-时产生的第二mst电流im2的方向相同。将参照图6描述这一点。

除以上描述之外，第一线圈l1和第二线圈l2中的每一个的构造与图1所示的线圈“l”基本相同，并且第一发送器110和第二发送器120中的每一个的构造与图1所示的发送器11基本相同。

例如，可通过用于控制mst装置100的控制器(参见图20)提供控制信号ctrl[1:8]。例如，第一线圈l1和第二线圈l2中的每一个的电感可通过诸如mst装置100的mst接口规格和设计规格的各种因素改变。如在图1中提供的描述中的那样，第一发送器110和第二发送器120中的每一个可额外地与任何电路、任何单元、任何块等连接，以分别控制第一mst电流im1和第二mst电流im2。

图5是示出图4所示的mst装置的电路图。参照图5，第一发送器110可包括第一开关sw1至第四开关sw4和第一二极管d1至第四二极管d4。另外，第二发送器120可包括第五开关sw5至第八开关sw8和第五二极管d5至第八二极管d8。

第一发送器110的第一开关sw1至第四开关sw4可分别由控制信号ctrl[1]至ctrl[4]控制。包括在第一发送器110中的第一开关sw1至第四开关sw4和第一二极管d1至第四二极管d4分别对应于图2所示的第一开关s1至第四开关s4和第一二极管dd1至第四二极管dd4。另外，第一线圈l1对应于图2所示的线圈“l”。因此，省略了与第一发送器110的构造和连接关系关联的详细描述。

第二发送器120的第五开关sw5至第八开关sw8可分别由控制信号ctrl[5]至ctrl[8]控制。包括在第二发送器120中的第五开关sw5至第八开关sw8和第五二极管d5至第八二极管d8分别对应于图2所示的第一开关s1至第四开关s4和第一二极管dd1至第四二极管dd4。另外，第二线圈l2对应于图2所示的线圈“l”。因此，省略了与第二发送器120的构造和连接关系关联的详细描述。

图6是用于描述图4的mst装置的操作的时序图。将参照图4至图6来描述根据mst装置100的操作的第一mst电流im1的改变、第二mst电流im2的改变、第一磁通量改变δmagneticflux1(下文中称作“p1”)、第二磁通量改变δmagneticflux2(下文中称作“p2”)、第三磁通量改变δmagneticflux3(下文中称作“p3”)和读电压vrd的改变。

下面，将参照从端子c1+至端子c1-的方向描述第一mst电流im1。在本说明书中，从端子c1+至端子c1-的方向被称作“参考方向”，而从端子c1-至端子c1+的方向被称作“反方向”。另外，将参照从端子c2+至端子c2-的方向描述第二mst电流im2。在本说明书中，从端子c2+至端子c2-的方向被称作“参考方向”，并且从端子c2-至端子c2+的方向被称作“反方向”。

另外，假设通过在参考方向上流动的第一mst电流im1在顺时针方向上产生第一磁场b1，并且通过在参考方向上流动的第二mst电流im2在顺时针方向上产生第二磁场b2。在图4中，第一线圈l1被构造为使得通过参考方向的第一mst电流im1产生顺时针方向的第一磁场b1。另外，第二线圈l2被构造为使得通过参考方向的第二mst电流im2产生顺时针方向的第二磁场b2。在图4至图16的示例实施例中，假设第一线圈l1缠绕的方向与第二线圈l2的缠绕方向相同。在图17至图19中，将描述第一线圈l1缠绕的方向与第二线圈l2的缠绕方向相反的示例实施例。

在图6中，示出磁通量改变作为表示第一磁场b1和第二磁场b2中的每一个的改变的指示物。第一磁场b1的改变由第一磁通量改变p1表示，并且第二磁场b2的改变由第二磁通量改变p2表示。另外，第三磁场b3的改变由第三磁通量改变p3表示。通过第三磁通量改变p3在pos装置200处感生出读电压vrd。也就是说，将信号按照第三磁通量改变p3的形式从mst装置100发送至pos装置200。根据图6的示例实施例的mst装置100的操作如下。

从t0至t1，发生第一磁通量改变p1以补偿第二磁通量改变p2。详细地说，第一发送器110操作以使得在t0之前不流动的第一mst电流im1在参考方向上增大。在t1，在参考方向上流动的第一mst电流im1的量为“ip/2”。从t0至t1，通过第一mst电流im1的改变发生正第一磁通量改变(即，正的第一磁通量改变)p1。另外，第二发送器120操作以使得在t0之前在反方向上流动的第二mst电流im2的量减小。在t1，第二mst电流im2的量为“0”。通过第二mst电流im2的改变发生正第二磁通量改变(即，正的第二磁通量改变)p2。

第一磁通量改变p1和第二磁通量改变p2彼此叠加，因此，发生正第三磁通量改变(即，正的第三磁通量改变)p3。将第三磁通量改变p3发送至pos装置200。通过互磁耦合在pos装置200处感生出正读电压vrd。在图6中，通过“vp”示出读电压vrd的最大幅值。结果，mst装置100通过第三磁通量改变p3将mst信号发送至pos装置200。通过发送的mst信号在pos装置200处感生出正读电压vrd。

从t1至t2，具有最大电流量ip/2的第一mst电流im1在参考方向上流至第一线圈l1。由于第一mst电流im1的方向或量不改变，因此不发生第一磁通量改变p1。第二mst电流im2不流动。由于第二mst电流im2的方向或量不改变，因此不发生第二磁通量改变p2。因此，不发生第三磁通量改变p3。结果，从t1至t2，在pos装置200处不感生读电压vrd。

从t0至t2，如图6所示，为了产生第一mst电流im1，第一发送器110可根据各种示例实施例操作。将参照图7至图9描述从t0至t2与第一发送器110的操作关联的各个示例实施例。从t0至t2的第二发送器120的操作与从t6至t8的第一发送器110的操作基本相同。因此，为了便于描述，省略了与从t0至t2的第二发送器120的操作关联的描述。下面将描述从t6至t8的第一发送器110的操作。

从t2至t3，发生第一磁通量改变p1以抵消第二磁通量改变p2。详细地说，第一发送器110操作以使得在参考方向上流动的第一mst电流im1减小。在t3，第一mst电流im1的量为“0”。从t2至t3，通过第一mst电流im1的改变发生负第一磁通量改变p1。另外，第二发送器120操作以使得在参考方向上流动的第二mst电流im2的量增大。在t3，第二mst电流im2的量为“ip/2”。通过第二mst电流im2的改变发生正第二磁通量改变p2。从t2至t3，第一磁通量改变p1和第二磁通量改变p2抵消，因此，不发生第三磁通量改变p3。因此，在pos装置200处不感生读电压vrd。

从t3至t4，第一mst电流im1不流动。由于第一mst电流im1的方向或量不改变，因此不发生第一磁通量改变p1。具有最大电流量ip/2的第二mst电流im2在参考方向上流至第二线圈l2。由于第二mst电流im2的方向或量不改变，因此不发生第二磁通量改变p2。因此，不发生第三磁通量改变p3。结果，从t3至t4，在pos装置200处不感生读电压vrd。

从t2至t4，如图6所示，为了产生第一mst电流im1，第一发送器110可根据各个示例实施例操作。将参照图13至图14描述与从t2至t4的第一发送器110的操作关联的各个示例实施例。从t2至t4的第二发送器120的操作与从t0至t2的第一发送器110的操作基本相同。因此，为了便于描述，省略了与从t2至t4的第二发送器120的操作关联的描述。

从t4至t5，发生第一磁通量改变p1以补偿第二磁通量改变p2。详细地说，第一发送器110操作以使得从t3至t4不流动的第一mst电流im1在反方向上增大。在t5，具有最大电流量ip/2的第一mst电流im1在反方向上流至第一线圈l1。从t4至t5，通过第一mst电流im1的改变发生负第一磁通量改变p1。另外，第二发送器120操作以使得从t3至t4在参考方向上流动的第二mst电流im2的量减小。在t5，第二mst电流im2的量为“0”。通过第二mst电流im2的改变发生负第二磁通量改变p2。从t4至t5，第一磁通量改变p1和第二磁通量改变p2彼此叠加，因此，发生负第三磁通量改变p3。将第三磁通量改变p3发送至pos装置200。通过互磁耦合在pos装置200处感生出负读电压vrd。

从t5至t6，具有最大电流量ip/2的第一mst电流im1在反方向上流至第一线圈l1。由于第一mst电流im1的方向或量不改变，因此不发生第一磁通量改变p1。第二mst电流im2不流动。由于第二mst电流im2的方向或量不改变，因此不发生第二磁通量改变p2。因此，不发生第三磁通量改变p3。结果，从t5至t6，在pos装置200处不感生读电压vrd。

从t4至t6，如图6所示，为了产生第一mst电流im1，第一发送器110可根据各个示例实施例操作。将参照图10至图12描述与从t4至t6的第一发送器110的操作关联的各个示例实施例。从t4至t6的第二发送器120的操作与从t2至t4的第一发送器110的操作基本相同。因此，为了便于描述，省略了与从t4至t6的第二发送器120的操作关联的描述。

从t6至t7，发生第一磁通量改变p1以抵消第二磁通量改变p2。详细地说，第一发送器110操作以使得在反方向上流动的第一mst电流im1减小。在t7，第一mst电流im1不流动。通过第一mst电流im1的改变发生正第一磁通量改变p1。另外，第二发送器120操作以使得在反方向上流动的第二mst电流im2的量增加。在t7，具有最大电流量ip/2的第二mst电流im2在反方向上流动。从t6至t7，通过第二mst电流im2的改变发生负第二磁通量改变p2。从t6至t7，第一磁通量改变p1和第二磁通量改变p2抵消，因此，不发生第三磁通量改变p3。因此，在pos装置200处不感生读电压vrd。

从t7至t8，第一mst电流im1不流动。由于第一mst电流im1的方向或量不改变，因此不发生第一磁通量改变p1。具有最大电流量ip/2的第二mst电流im2在反方向上流至第二线圈l2。由于第二mst电流im2的方向或量不改变，因此不发生第二磁通量改变p2。因此，不发生第三磁通量改变p3。结果，从t7至t8，在pos装置200处不感生读电压vrd。

从t6至t8，如图6所示，为了产生第一mst电流im1，第一发送器110可根据各个示例实施例操作。将参照图13至图14描述与从t6至t8的第一发送器110的操作关联的各个示例实施例。从t6至t8的第二发送器120的操作与从t4至t6的第一发送器110的操作基本相同。因此，为了便于描述，省略与从t6至t8的第二发送器120的操作关联的描述。

在t8之后的mst装置100的操作与从t0至t8的描述相同。另外，在t8之后通过mst装置100的操作的第一mst电流im1的改变、第二mst电流im2的改变、第一磁通量改变p1至第三磁通量改变p3和读电压vrd的改变与从t0至t8的描述相同，并且因此省略对其的描述。

参照图6，在保持电源电压vbat的同时，从t1至t2和从t5至t6，第一发送器110操作以使得具有最大电流量ip/2的第一mst电流im1流动。另外，从t3至t4和从t7至t8，第二发送器120操作以使得具有最大电流量ip/2的第二mst电流im2流动。与图1至图3的示例实施例相比，mst装置100可将最大电流量和功耗减小至几乎一半。另外，mst装置100可保持被发送至pos装置200的信号的幅值。

图7至图14是用于描述图4所示的第一发送器的操作的示图。将参照图4至图6描述图7至图14。将参照图7至图9描述与从t0至t2的第一发送器110的操作关联的示例实施例。

参照图7的示例实施例，从t0至t2，第一开关sw1和第四开关sw4接通，第二开关sw2和第三开关sw3关断。在这种情况下，通过第一开关sw1、第一线圈l1和第四开关sw4形成从电源电压vbat至地电压gnd的电流路径。在图7中，通过第一路径path1示出电流路径。第一mst电流im1在参考方向上通过第一路径path1流动。从t0至t1，第一mst电流im1可沿着由第一线圈l1的电感和第一路径path1上的寄生电阻确定的斜率增大。通过第一mst电流im1的改变发生第一磁通量改变p1。在t1，第一mst电流im1的量为ip/2。从t1至t2，第一mst电流im1保持最大电流量ip/2。

参照图8，从t0至t1，第一发送器110可交替地执行形成第一路径path1的操作和形成第二路径path2的操作。第二路径path2意指通过接通的第二开关sw2、第一线圈l1和接通的第三开关sw3从电源电压vbat至地电压gnd形成的电流路径。如果形成第一路径path1，则第一mst电流im1在参考方向上流动。如果形成第二路径path2，则第一mst电流im1在反方向上流动。

在图8的示例实施例中，发送器110操作以使得保持第一路径path1的时间比保持第二路径path2的时间更长。因此，从t0至t1，在参考方向上流动的第一mst电流im1增大。例如，从t0至t1，第一路径path1与第二路径path2之间的切换重复多次。由于保持第一路径path1的时间比保持第二路径path2的时间更长，因此在参考方向上流动的第一mst电流im1每当重复切换偶数次时可按次序增大。另外，如果调整保持第一路径path1的时间与保持第二路径path2的时间的比率，则可调整在参考方向上流动的第一mst电流im1增大的速度。结果，第一发送器110可调整第一mst电流im1的增大速度以调整第一磁通量改变p1的幅值。

第一开关sw1至第四开关sw4的操作可分别由控制信号ctrl[1]至ctrl[4]控制。虽然图8中未示出，但是可通过控制器(参见图20)或者主处理器(参见图21)提供控制信号ctrl[1]至ctrl[4]。也就是说，参照图8的示例实施例，从t0至t1，为了调整第一磁通量改变p1和第二磁通量改变p2彼此叠加的量，控制器或者主处理器可调整第一mst电流im1的增大速度。

另外，参照图8的示例实施例，从t1至t2，第一发送器110可交替地执行形成第一路径path1的操作和形成第二路径path2的操作。从t1至t2，如果每当执行切换时保持第一路径path1的时间与保持第二路径path2的时间的比率被调整，则第一mst电流im1的最大电流量可调整。例如，在第一mst电流im1的最大电流量大于第二mst电流im2的最大电流量的情况下，第一发送器110可操作以使得保持第二路径path2的时间变得比保持第一路径path1的时间更长。第一mst电流im1的最大电流量可通过第一发送器110的操作而减小。参照图8的示例实施例，从t1至t2，控制器或者主处理器可调整第一mst电流im1，以使得在参考方向上流动的第一mst电流im1的最大电流量与第二mst电流im2的最大电流量匹配。

参照图9的示例实施例，从t0至t1，第一发送器110可交替地执行形成第一路径path1的操作和阻止第一mst电流im1的操作。如果形成第一路径path1，则第一mst电流im1在参考方向上流动。可通过两种方法阻止第一mst电流im1。例如，第一开关sw1和第二开关sw2接通，第三开关sw3和第四开关sw4关断。在这种情况下，端子c1+和c1-可具有电源电压vbat的电平。由于在端子c1+与端子c1-之间不存在电位差，因此第一mst电流im1不流动。作为另一示例实施例，第三开关sw3和第四开关sw4接通，第一开关sw1和第二开关sw2关断。在这种情况下，端子c1+和c1-可具有地电压gnd的电平。由于在端子c1+与端子c1-之间不存在电位差，因此第一mst电流im1不流动。图13和图14示出了阻止第一mst电流im1的示例实施例。

图9的示例实施例与图8的示例实施例相似。在图9的示例实施例中，第一发送器110操作以使得保持第一路径path1的时间比阻止第一mst电流im1的时间更长。在这种情况下，从t0至t1，在参考方向上流动的第一mst电流im1增大。例如，从t0至t1，在形成第一路径path1的操作与阻止第一mst电流im1的操作之间的切换重复多次。由于保持第一路径path1的时间比阻止第一mst电流im1的时间更长，因此每当重复切换偶数次时在参考方向上流动的第一mst电流im1可按次序增大。如在图8的示例实施例中那样，在图9的示例实施例中，控制器或主处理器可调整第一mst电流im1的增大速度以调整第一磁通量改变p1的幅值。因此，从t0至t1，为了调整第一磁通量改变p1和第二磁通量改变p2彼此叠加的量，控制器或者主处理器可调整第一mst电流im1的增大速度。

另外，参照图9的示例实施例，从t1至t2，第一发送器110可交替地执行形成第一路径path1的操作和阻止第一mst电流im1的操作。在这种情况下，通过调整每当执行切换时保持第一路径path1的时间与阻止第一mst电流im1的时间的比率，控制器或者主处理器可调整从t1至t2流动的第一mst电流im1的最大电流量。也就是说，参照图9的示例实施例，从t1至t2，控制器或者主处理器可调整第一mst电流im1，以使得在参考方向上流动的第一mst电流im1的最大电流量与第二mst电流im2的最大电流量匹配。

将参照图10至图12描述与从t4至t6的第一发送器110的操作关联的示例实施例。参照图10的实施例，从t4至t6，第二开关sw2和第三开关sw3接通，第一开关sw1和第四开关sw4关断。在这种情况下，形成第二路径path2。第一mst电流im1在反方向上流动通过第二路径path2。从t4至t6，在反方向上流动的第一mst电流im1可沿着由第一线圈l1的电感和第二路径path2上的寄生电阻确定的斜率增大。通过第一mst电流im1的改变发生第一磁通量改变p1。在t5，反方向的第一mst电流im1的量为ip/2。从t5至t6，最大电流量ip/2的第一mst电流im1在反方向上流动。

参照图11的示例实施例，从t4至t5，第一发送器110可交替地执行形成第一路径path1的操作和形成第二路径path2的操作。图11的示例实施例与图8的示例实施例相似。然而，与图8的示例实施例不同，发送器110操作以使得保持第二路径path2的时间比保持第一路径path1的时间更长。在这种情况下，从t4至t5，在反方向上流动的第一mst电流im1增大。例如，从t4至t5，第一路径path1与第二路径path2之间的切换重复多次。由于保持第二路径path2的时间比保持第一路径path1的时间更长，因此每当重复切换偶数次时在反方向上流动的第一mst电流im1可按次序增大。如果每当切换时调整保持第一路径path1的时间与保持第二路径path2的时间的比率，则可调整在反方向上流动的第一mst电流im1的增大速度。因此，控制器或者主处理器可调整第一mst电流im1的增大速度以调整第一磁通量改变p1的幅值。结果，如在图8的示例实施例中，从t4至t5，为了调整第一磁通量改变p1和第二磁通量改变p2彼此叠加的量，控制器或者主处理器可调整在反方向上流动的第一mst电流im1的增大速度。

另外，参照图11的示例实施例，从t5至t6，第一发送器110可交替地执行形成第一路径path1的操作和形成第二路径path2的操作。在这种情况下，如果每当切换时调整保持第一路径path1的时间与保持第二路径path2的时间的比率，则可调整从t5至t6流动的第一mst电流im1的增大速度。参照图11的示例实施例，从t5至t6，控制器或者主处理器可调整第一mst电流im1，以使得在反方向上流动的第一mst电流im1的最大电流量与第二mst电流im2的最大电流量匹配。

参照图12的示例实施例，从t4至t5，第一发送器110可交替地执行形成第二路径path2的操作和阻止第一mst电流im1的操作。如果形成第二路径path2，则第一mst电流im1在反方向上流动。阻止第一mst电流im1的操作与参照图9描述的操作相同。

图12的示例实施例与图9的示例实施例相似。在图12的示例实施例中，第一发送器110操作以使得保持第二路径path2的时间比阻止第一mst电流im1的时间更长。在这种情况下，从t4至t5，在反方向上流动的第一mst电流im1增大。例如，从t4至t5，形成第二路径path2的操作与阻止第一mst电流im1的操作之间的切换重复多次。由于保持第二路径path2的时间比阻止第一mst电流im1的时间更长，因此每当重复切换偶数次时在反方向上流动的第一mst电流im1可依次增大。如果每当切换时调整保持第二路径path2的时间与阻止第一mst电流im1的时间的比率，则可调整在反方向上流动的第一mst电流im1的增大速度。结果，控制器或者主处理器可调整第一mst电流im1的增大速度以调整第一磁通量改变p1的幅值。

另外，参照图12的示例实施例，从t5至t6，第一发送器110可交替地执行形成第二路径path2的操作和阻止第一mst电流im1的操作。在这种情况下，如果每当切换时调整保持第二路径path2的时间与阻止第一mst电流im1的时间的比率，则可调整从t5至t6流动的第一mst电流im1的最大电流量。结果，从t5至t6，控制器或者主处理器可调整第一mst电流im1，以使得在反方向上流动的第一mst电流im1的最大电流量与第二mst电流im2的最大电流量匹配。

将参照图13至图14描述与从t2至t4和从t6至t8的第一发送器110的操作关联的实施例。参照图13的示例实施例，从t2至t4和从t6至t8，第一开关sw1和第二开关sw2接通，第三开关sw3和第四开关sw4关断。在这种情况下，端子c1+和端子c1-可具有电源电压vbat的电平。

参照图14的示例实施例，从t2至t4和从t6至t8，第三开关sw3和第四开关sw4接通，第一开关sw1和第二开关sw2关断。在这种情况下，端子c1+和端子c1-可具有地电压gnd的电平。

参照图13和图14的示例实施例，从t2至t3，在参考方向上流动的第一mst电流im1可沿着由第一线圈l1的电感和第一路径path1上的寄生电阻确定的斜率减小。从t3至t4，由于在端子c1+与端子c1-之间不存在电位差，因此第一mst电流im1不流动。另外，从t6至t7，在反方向上流动的第一mst电流im1可沿着通过第一线圈l1的电感和第二路径path2上的寄生电阻确定的斜率减小。从t7至t8，由于端子c1+与端子c1-之间不存在电位差，因此第一mst电流im1不流动。从t2至t3和从t6至t7，通过第一mst电流im1的改变发生第一磁通量改变p1。

虽然图13和图14中未示出，但是作为另一实施例，可通过参照图11或图12描述的示例实施例来调整从t2至t3在参考方向上流动的第一mst电流im1沿其减小的斜率。可替换地，可通过参照图8或图9描述的示例实施例来调整从t6至t7在反方向上流动的第一mst电流im1沿其减小的斜率。

上面描述了与mst装置100的详细操作关联的实施例。然而，本发明构思不限于上述实施例。例如，针对从t0至t8的各个时间间隔，发送器110可根据组合了参照图7至图14描述的示例实施例的方法来操作。例如，从t0至t2，发送器110可根据组合了参照图7至图9描述的示例实施例的方法来操作。另外，从t4至t6，发送器110可根据组合了参照图10至图12描述的示例实施例的方法来操作。

图15和图16是示出图4所示的第一线圈和第二线圈的构造的示图。

参照图15和图16，第一线圈l1的至少一些导线可形成为位于第二线圈l2的导线之间。其原因在于，在mst装置100不将mst信号提供至pos装置200的时间间隔中，在第一线圈l1中产生的第一磁场b1的改变和在第二线圈l2中产生的第二磁场b2的改变相互抵消。

参照图15，第一线圈l1和第二线圈l2可在平面上按照螺旋形来构造。另外，第一线圈l1的导线和第二线圈l2的导线在平面上布置为彼此交叉。在第一mst电流im1从端子c1+流动至端子c1-的情况下，在第一线圈l1中产生的第一磁场b1可在垂直于图的向内的方向上产生。另外，在第二mst电流im2从端子c2+流动至端子c2-的情况下，在第二线圈l2中产生的第二磁场b2可在垂直于图的向内的方向上产生。示例实施例在图15中示为第一线圈l1和第二线圈l2在顺时针方向上缠绕。然而，示例实施例可不限于此。例如，第一线圈l1和第二线圈l2可在逆时针方向上缠绕。在这种情况下，第一磁场b1和第二磁场b2可在垂直于图的向外的方向上产生。

参照图16，第一线圈l1和第二线圈l2可按照缠绕虚拟柱的形状构造。另外，第一线圈l1的导线在三维空间上布置为与第二线圈l2的导线交叉。在第一mst电流im1从端子c1+流动至端子c1-的情况下，在第一线圈l1中产生的第一磁场b1可在与“a”方向相反的方向上产生。在第二mst电流im2从端子c2+流动至端子c2-的情况下，在第二线圈l2中产生的第二磁场b2可在与“a”方向相反的方向上产生。参照图16，当在“a”方向上观看第一线圈l1和第二线圈l2时，示例实施例示为第一线圈l1和第二线圈l2在逆时针方向上缠绕。然而，示例实施例可不限于此。例如，第一线圈l1和第二线圈l2可为在顺时针方向上缠绕。在这种情况下，可在“a”方向上产生第一磁场b1和第二磁场b2。

参照图15和图16的示例实施例，第一线圈l1可形成为与第二线圈l2具有基本相同的形状和长度。另外，第一线圈l1和第二线圈l2可被构造为基本重叠。另外，第一线圈l1的特征(电感、材料等)可与第二线圈l2的特征相同。因此，通过mst装置100的操作，在第一线圈l1中产生的第一磁场b1的改变和在第二线圈l2中产生的第二磁场b2的改变可相互抵消。

然而，本发明构思的示例实施例不限于图15和图16的示例实施例。图15和图16用于在形状方面描述第一线圈l1和第二线圈l2的示例实施例。也就是说，除了形状之外，第一线圈l1和第二线圈l2中的每一个的构造(第一线圈l1与第二线圈l2之间的距离、第一线圈l1和第二线圈l2中的每一个的厚度、第一线圈l1和第二线圈l2中的每一个的匝数等)不受图15和图16的示例实施例限制。另外，除螺旋形之外，第一线圈l1和第二线圈l2可被构造为具有任何形状，诸如四边形或三角形。也就是说，第一线圈l1和第二线圈l2可根据各个示例实施例构造，以使得第一磁场b1的改变与第二磁场b2的改变相互抵消。

在图4至图16中，示出了第一线圈l1和第二线圈l2在相同方向上缠绕的示例实施例。然而，示例实施例不限于此。例如，下面，将描述第一线圈l1和第二线圈l2在相反方向上缠绕的示例实施例。

图17是用于描述根据本发明构思的另一实施例的mst装置的操作的时序图。与图4至图16的示例实施例相比，图17至图19的示例实施例可实施为使得第一线圈l1和第二线圈l2在相反方向上缠绕。例如，第一线圈l1被构造为使得通过参考方向的第一mst电流im1产生顺时针方向的第一磁场b1。相反，第二线圈l2被构造为使得通过参考方向的第二mst电流im2产生逆时针方向的第二磁场b2。作为另一实施例，第一线圈l1和第二线圈l2中的每一个可在与上述示例的方向相反的方向上构造。

将参照图17描述根据包括上述构造的mst装置100的操作的第一mst电流im1的改变、第二mst电流im2的改变、第一磁通量改变δmagneticflux1(下文中称作“p1”)、第二磁通量改变δmagneticflux2(下文中称作“p2”)、第三磁通量改变δmagneticflux3(下文中称作“p3”)和读电压vrd的改变。除第二mst电流im2的方向和第二磁场b2的方向之外，第一mst电流im1的改变、第一磁通量改变p1至第三磁通量改变p3和读电压vrd的改变与参照图6描述的相同。

从t0至t1，第二发送器120操作以使得在t0之前在参考方向上流动的第二mst电流im2的量减小。在t1，第二mst电流im2的量为“0”。与图6的示例实施例相反，随着第二mst电流im2减小，发生正第二磁通量改变p2。第一磁通量改变p1和第二磁通量改变p2彼此叠加，因此，发生正第三磁通量改变p3。通过正第三磁通量改变p3在pos装置200处感生出正读电压vrd。

从t1至t2，第二mst电流im2不流动。由于第二mst电流im2的方向或量不改变，因此不发生第二磁通量改变p2。另外，不发生第一磁通量改变p1。因此，不发生第三磁通量改变p3。结果，在pos装置200处不感生读电压vrd。

从t2至t3，第二发送器120操作以使得在反方向上流动的第二mst电流im2的量增大。在t3，在反方向上流动的第二mst电流im2的量为ip/2。通过第二mst电流im2的改变发生正第二磁通量改变p2。第一磁通量改变p1和第二磁通量改变p2相互抵消，因此，不发生第三磁通量改变p3。因此，在pos装置200处不感生读电压vrd。

从t3至t4，电流量为ip/2的第二mst电流im2在反方向上流向第二线圈l2。由于第二mst电流im2的方向或量不改变，因此不发生第二磁通量改变p2。另外，不发生第一磁通量改变p1。因此，不发生第三磁通量改变p3。结果，在pos装置200处不感生读电压vrd。

从t4至t5，第二发送器120操作以使得从t3至t4在反方向上流动的第二mst电流im2的量减小。在t5，第二mst电流im2的量为“0”。通过第二mst电流im2的改变发生负第二磁通量改变p2。第一磁通量改变p1和第二磁通量改变p2彼此叠加，因此，发生负第三磁通量改变p3。通过负第三磁通量改变p3在pos装置200处感生出负读电压vrd。

从t5至t6，第二mst电流im2不流动。由于第二mst电流im2的方向或量不改变，因此不发生第二磁通量改变p2。另外，不发生第一磁通量改变p1。因此，不发生第三磁通量改变p3。结果，在pos装置200处不感生读电压vrd。

从t6至t7，第二发送器120操作以使得参考方向的第二mst电流im2的量增加。在t7，电流量为ip/2的第二mst电流im2在参考方向上流动。从t6至t7，通过第二mst电流im2的改变发生负第二磁通量改变p2。第一磁通量改变p1与第二磁通量改变p2相互抵消，因此，不发生第三磁通量改变p3。因此，在pos装置200处不感生读电压vrd。

从t7至t8，具有最大电流量ip/2的第二mst电流im2在参考方向上流向第二线圈l2。由于第二mst电流im2的方向或量不改变，不发生第二磁通量改变p2。另外，不发生第一磁通量改变p1。因此，不发生第三磁通量改变p3。结果，在pos装置200处不感生读电压vrd。

在t8之后的mst装置100的操作与从t0至t8描述的相同。另外，在t8之后通过mst装置100的操作的第一mst电流im1的改变、第二mst电流im2的改变、第一磁通量改变p1至第三磁通量改变p3和读电压vrd的改变与从t0至t8描述的相同，并且因此省略对其的描述。

图18和图19是示出根据本发明构思的另一实施例的第一线圈和第二线圈的构造的示图。参照图18，第一线圈l1和第二线圈l2可在平面上按照螺旋形构造。另外，第一线圈l1的导线和第二线圈l2的导线在平面上布置为彼此交叉。在第一mst电流im1从端子c1+流动至端子c1-的情况下，在第一线圈l1中产生的第一磁场b1可在垂直于图的向外的方向上产生。另外，在第二mst电流im2从端子c2+流动至端子c2-的情况下，在第二线圈l2中产生的第二磁场b2可在垂直于图的向内的方向上产生。

示例实施例在图18中示为第一线圈l1在逆时针方向上缠绕并且第二线圈l2在顺时针方向上缠绕。然而，实施例可不限于此。例如，第一线圈l1可在顺时针方向上缠绕，并且第二线圈l2可在逆时针方向上缠绕。在这种情况下，第一磁场b1可在垂直于图的向内的方向上产生，并且第二磁场b2可在垂直于图的向外的方向上产生。

参照图19，第一线圈l1和第二线圈l2可按照缠绕虚拟柱的形状来构造。另外，第一线圈l1的导线在三维空间上布置为与第二线圈l2的导线交叉。在第一mst电流im1从端子c1+流动至端子c1-的情况下，在第一线圈l1中产生的第一磁场b1可在与“b”方向相反的方向上产生。在第二mst电流im2从端子c2+流动至端子c2-的情况下，在第二线圈l2中产生的第二磁场b2可在“b”方向上产生。

参照图19，当在“b”方向上观看第一线圈l1和第二线圈l2时，示例实施例示为第一线圈l1在逆时针方向上缠绕并且第二线圈l2在顺时针方向上缠绕。然而，实施例可不限于此。例如，第一线圈l1可在顺时针方向上缠绕并且第二线圈l2可在逆时针方向上缠绕。在这种情况下，第一磁场b1可在“b”方向上产生，第二磁场b2可在与“b”方向相反的方向上产生。

除第一线圈l1和第二线圈l2在相反方向上缠绕之外，图18的示例实施例与图15的示例实施例相同，并且图19的示例实施例与图16的示例实施例基本相同。

图20是示出根据本发明构思的另一实施例的mst装置的示图。

参照图20，mst装置300可包括第一发送器310、第二发送器320、第一电流测量装置330、第二电流测量装置340、第一线圈l1、第二线圈l2和控制器350。第一发送器310、第二发送器320、第一线圈l1和第二线圈l2的构造和操作与以上参照图4至图19描述的那些基本相同。在图20中，控制器350示为被包括在mst装置300中。然而，在另一示例实施例中，控制器350可不被包括在mst装置300中。

第一电流测量装置330连接在端子c1+与第一线圈l1之间。第一电流测量装置330测量第一mst电流im1的量，并且输出测量到的电流量作为第一测量值m_im1。第二电流测量装置340连接在端子c2+与第二线圈l2之间。第二电流测量装置340测量第二mst电流im2的量，并且输出测量到的电流量作为第二测量值m_im2。将第一测量值m_im1和第二测量值m_im2提供至控制器350。

控制器350可包括存储器和处理器(未示出)。

存储器可包括非暂时性计算机可读介质。非暂时性计算机可读介质的示例包括：诸如硬盘、软盘和磁带的磁介质；诸如cdrom盘和dvd的光介质；诸如光盘的磁光介质；和诸如只读存储器(rom)、随机存取存储器(ram)、闪速存储器的被特别构造为存储和执行程序指令的硬件装置等。非暂时性计算机可读介质也可为分布式网络，以按照分布方式存储和执行程序指令。

处理器可为算术逻辑单元、数字信号处理器、微计算机、现场可编程阵列、可编程逻辑单元、微处理器或能够按照限定方式响应于指令和执行指令的任何其它装置。

存储器可包含计算机可读代码，当被处理器执行时，计算机可读代码将处理器构造为专用计算机以分别基于第一测量值m_im1和第二测量值m_im2来控制第一mst电流im1的量和第二mst电流im2的量。因此，控制器350可通过降低因此消耗的功率的量而改进mst装置300本身的功能。

例如，基于第一测量值m_im1和第二测量值m_im2，控制器350存储第一mst电流im1的量的最大值和第二mst电流im2的量的最大值，并且比较所述最大值。控制器350可控制第一发送器310和第二发送器320中的至少一个，以使得第一mst电流im1的最大电流量和第二mst电流im2的最大电流量彼此一致。

为了控制第一发送器310和第二发送器320，控制器350可产生控制信号ctrl[1:8]。将控制信号ctrl[1:4]提供至第一发送器310，并且将控制信号ctrl[5:8]提供至第二发送器320。另外，基于第一测量值m_im1和第二测量值m_im2，控制器350存储第一mst电流im1的变化和第二mst电流im2的变化，并比较所存储的变化。控制器350可控制第一发送器310和第二发送器320中的至少一个以使得第一mst电流im1的变化和第二mst电流im2的变化彼此一致。

例如，基于图8、图9、图11和图12的示例实施例，控制器350可控制第一mst电流im1的最大电流量和变化以及第二mst电流im2的最大电流量和变化中的至少一个。根据图20的示例实施例的mst装置300可更精细地控制第一磁场b1的变化和第二磁场b2的变化。因此，mst装置300产生的mst信号的可靠性可提高。本发明构思的示例实施例不限于图20的示例实施例。也就是说，第一电流测量装置330可位于能够测量第一mst电流im1的任何位置。例如，第一电流测量装置330可位于第一发送器310中。第二电流测量装置340可位于能够测量第二mst电流im2的任何位置。可替换地，第二电流测量装置340可位于第二发送器320中。

图21是示出包括根据本发明构思的示例实施例的mst装置的电子装置的示图。

参照图21，电子装置1000可包括图像处理单元1100、无线收发器单元1200、音频处理单元1300、图像文件产生单元1400、存储器1500、用户接口1600、主处理器1700和mst装置1800。

图像处理单元1100可包括透镜1110、图像传感器1120和图像信号处理器1130。无线收发器单元1200可包括天线1210、收发器1220和调制/解调器(modem)1230。音频处理单元1300包括音频信号处理器1310、麦克风1320和扬声器1330。存储器1500可由存储卡(例如，多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、安全数位(sd)卡或微sd卡)等实施。用户接口1600可包括键盘、触摸垫等。主处理器1700可由对应用程序、操作系统等进行驱动的系统芯片实施。例如，主处理器1700可包括参照图20描述的控制器350。

mst装置1800可在主处理器1700的控制下产生mst信号。例如，mst装置1800可包括参照图1至图20描述的mst装置10、100和300之一。根据本发明构思的示例实施例的mst装置1800可降低功耗。因此，电子装置1000的功率效率可提高。

根据本发明构思的示例实施例的mst装置可降低功耗和减小面积。因此，可减小包括本发明构思的mst装置的电子装置的大小和提高电子装置的功率效率。

虽然已经参照一些示例实施例描述了本发明构思的示例实施例，但是本领域技术人员应该清楚，在不脱离本发明构思的示例实施例的精神和范围的情况下，可作出各种改变和修改。因此，应该理解，以上示例实施例并非限制性的，而是说明性的。