本实用新型属于电子领域，更具体地，涉及一种单层触摸屏的导电层结构。
背景技术：
随着触摸屏的不断发展，电容式触摸屏在终端设备领域中逐渐被广泛地应用。
近年来，为了用户能用最实惠的价格体验到更好的多点触摸效果，互容触摸屏一直趋向低成本、优良效果的方向发展，其中单层（single layer）触摸屏的导电层结构被广泛使用。随着电容屏的广泛应用及其市场潜力的开发，电容屏技术越来越受到大家的关注和肯定。由于触摸屏上氧化铟锡（Indium Tin Oxide，简称为ITO）图案端电阻值愈小, 电容感应的讯号则愈强，且集成电路（Integrated Circuit，简称为IC）的处理反应时间则愈短,因此，质量较佳的电容式触控的解决方案取决于触摸集成电路（Touch IC）的感测及图案设计，因此研发图案就显得尤为重要。
普通的单层图案具有工艺步骤少，价格低廉等优点，但缺点在于布线复杂，绑定区走线密集。
虽然双层氧化铟锡（Double Indium Tin Oxide，简称为DITO）相比单层氧化铟锡（SingleIndium Tin Oxide，简称为SITO）在精确度、灵敏度和响应时间方面更具有优势，但DITO结构是有专利限制的，一般电容屏（Capacitive Touch Panel，简称为CTP）厂商目前只有SITO结构。于是，单层触摸屏的导电层图形发明和优化成为了该行业的一个课题。什么样的图案才能使单层的结构表现出趋于双层高成本传统图形的效果，怎样设计图案才能使线性度更优、互容更均匀、噪声更小，这是目前研究的热点问题。
目前互电容图形的优点是真实多点、速度快，缺点是工艺复杂、功耗大、成本高。
鉴于上述问题，需要研发出更好的图形。
技术实现要素：
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本实用新型提供了一种单层触摸屏的导电层结构，其目的在于实现一种对称、耦合性好、相对噪声较小、互容面积大且盲区足够小的横向纵向分布均匀的适用于单层触摸屏的图案，由此解决目前单层触摸屏导电层图案结构复杂、成本高的技术问题。
为实现上述目的，按照本实用新型的一个方面，提供了一种单层触摸屏的导电层结构，包括单元电极，所述单元电极包括第一驱动电极、第二驱动电极及感应电极，所述第一驱动电极为E字型结构，且所述第一驱动电极的中部突出部分设置为自端面向左凹陷的凹陷结构，所述第一驱动电极与所述第二驱动电极呈镜面对称设置，所述感应电极与所述第一驱动电极的右侧及所述第二驱动电极的左侧耦合。
优选地，所述单元电极包括多个，所述多个单元电极呈阵列分布，且每一列的单元电极相互连通。
优选地，所述第一驱动电极的中部突出部分设置的凹陷结构的数量为1个~5个。
作为进一步优选地，所述第一驱动电极的中部突出部分设置的凹陷结构的数量为1个，设置于所述第一驱动电极的右侧及所述第二驱动电极的左侧之间的感应电极呈“王”字型结构。
优选地，所述第一驱动电极、第二驱动电极与所述感应电极之间存在的盲区的宽度范围为0~2.5mm。
优选地，所述导电层结构可用于单层多点银浆跳线。
优选地，所述导电层结构可用于单层Film、Glass、OGS、G1F或Oncell结构。
优选地，所述导电层结构的材料为ITO、纳米银或metalmesh。
总体而言，通过本实用新型所构思的以上技术方案与现有技术相比，由于本实用新型实现了一种对称、耦合性好、相对噪声较小、互容面积大且盲区足够小的横向纵向分布均匀的适用于单层触摸屏的图案，能够取得下列有益效果。
1、本实用新型公开的导电层结构呈对称结构结构，使得该结构较屏体对称串扰最小，边缘的一致性效果好；
2、本实用新型的感应电极与第一驱动电极、第二驱动电极耦合性好、相对噪声较小、互容面积大、盲区足够小；
3、本实用新型可以满足市场窄边框的要求。
附图说明
图1是本实用新型的具体实施例的单元电极结构图;
图2是本实用新型的具体实施例的感应电极结构图；
图3是本实用新型的具体实施例的单元电极的阵列结构图。
在所有的附图中，相同的标记表示同样的结构或者装置：
1-单元电极；2-第一驱动电极；3-第二驱动电极；4-感应电极。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
在本实用新型的具体实施例中，公开了一种单层触摸屏的导电层结构，所述导电层结构为横向纵向分布均匀的对称结构，且耦合性好、相对噪声较小、互容面积大、盲区足够小。
本实用新型所述的导电层结构可配合减PIN工艺减少50%的绑定位，从而可以大大提高良率，当ITO方阻足够小的时候可以做非常窄的边框，从而满足市场窄边框的要求。
本实用新型所述的导电层结构简单、易理解、图形美观、易于设计、线性度好、边缘效果好，在工艺上也容易实现，可以降低工艺难度和制造成本。
如图1所示，本实用新型提供的导电层结构可以实现单层多点触摸屏功能，所述导电层结构包括单元电极1，所述单元电极1包括第一驱动电极2、第二驱动电极3及感应电极4，所述第一驱动电极2为E字型结构，且所述第一驱动电极2的中部突出部分设置为自端面向左凹陷的凹陷结构，所述第一驱动电极2与所述第二驱动电极3呈镜面对称设置，所述感应电极4与所述第一驱动电极2的右侧及所述第二驱动电极3的左侧耦合。
如图3所示，所述单元电极1包括多个，所述多个单元电极1呈阵列分布，且每一列的单元电极1相互连通。
所述第一驱动电极2的中部突出部分设置的凹陷结构的数量为1个~5个。
如图2所示，所述第一驱动电极2的中部突出部分设置的凹陷结构的数量优选为1个，设置于所述第一驱动电极2的右侧及所述第二驱动电极3的左侧之间的感应电极4呈“王”字型结构，即在“工”字型感应电极的基础上设置了一个横向的感应电极，凹陷结构的设计增大了感应电极4与第一驱动电极2、第二驱动电极3之间的耦合，中心的横向感应电极使得“工”字型感应电极中心偏左偏右的盲点得以优化，使得“工”字型感应电极中心偏左偏右两侧没有盲点，从而弥补了单元电极1的盲区，从而减少了来自液晶显示器模组（Liquid Crystal Display Module，简称为LCM）的干扰，达到减小噪声的效果，大大改善了触摸屏的整体效果，相对其他单层触摸屏的导电层结构，在通道数一定的情况下，减少盲区同时可以调高触摸屏（Touch Panel，简称为TP）性能。
因为盲区可以做到很窄，所述第一驱动电极2、第二驱动电极3与所述感应电极4之间存在的盲区的宽度范围优选为0~2.5mm，所以在保证良率的情况下，可增加通道数减少Pitch从而提高TP性能（所述Pitch为触摸屏中的视窗长除以驱动通道电极数所得的数值以及视窗宽除以感应通道电极数所得的数值）。
在空间足够的情况下，所述导电层结构可用于单层多点银浆跳线，这样可以极大地减小通道阻抗，即能够选用更多的IC管脚来满足中大尺寸的TP，多用于高分辨率对性能有高要求的单层触摸面板上。
所述导电层结构可用于单层Film、Glass、OGS（On Glass Solution）、G1F或Oncell结构，同时，芯片在主板和软板均可使用。
所述导电层结构的材料为ITO、纳米银或金属网（metalmesh），一般的图案采用的导电层材料为透明导电ITO，本实用新型所述的导电层结构的材料还可以为纳米银或金属网等导电材料。
本实用新型所述的导电层结构使得感应电极4与第一驱动电极2、第二驱动电极3产生较好的耦合电容，适用于现有的算法，为软件方面提高了工作效率，不需要重新编写新的算法。
本实用新型在原有的“工”字型感应电极的基础上在中部加上了横向的感应电极，提高了耦合度、触摸精度，增大了驱动电极和感应电极4的耦合。
凹陷结构的设计减小了感应电极4的面积，从而减少了来自LCM的干扰。
第一驱动电极2、第二驱动电极3及感应电极4也可以加dummy块。
第一驱动电极2、第二驱动电极3与感应电极4之间的任何距离都属于本实用新型。
本实用新型的单元电极1为矩形单元，为了设计成感应电极4面积小，从而减少来自LCM的干扰，宽度一定的情况下，长度最短时面积最小，两点之间，直线最短，故“工”字型为同样尺寸同样通道规格条件下，保证横向纵向均匀的面积最小的图形；但是因为直线最短，导致了工字型的第一驱动电极2、第二驱动电极3和感应电极4外围的耦合也是最小的，并且工字型纵向中心偏左偏右几乎为盲点，通过在工字型中线增加一条横向的电极，面积只有很少的增加，第一驱动电极2、第二驱动电极3和感应电极4由于边缘线增加了长度，从而增大了耦合，工字型纵向中线偏左偏右处也有了第一驱动电极2、第二驱动电极3和感应电极4的直接耦合，故增加横向感应电极后的感应电极4为“王”字型感应电极4，表现出噪声小、耦合好、触摸均匀的效果。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。