红外发射管的驱动芯片的制作方法

文档序号:18290307发布日期:2019-07-27 11:17阅读:905来源:国知局
红外发射管的驱动芯片的制作方法
本实用新型涉及电子电路
技术领域
,尤其涉及一种红外发射管的驱动芯片。
背景技术
:目前,由于MCU(MicrocontrollerUnit,微控制单元)的输出电流较小,因此无法通过采用大电流的方式直接驱动多个红外发射管,需要MCU搭配三极管等才能以大电流(如500mA)驱动多个红外发射管,即驱动红外发射管的方式还有待改善。技术实现要素:本实用新型提供了一种红外发射管的驱动芯片,可以解决现有技术中MCU不能直接采用大电流驱动多个红外发射管的技术问题。本实用新型提供一种红外发射管的驱动芯片,包括译码器、用于接收行扫描控制信号的行扫描控制引脚、用于接收列扫描控制信号的列扫描控制引脚,以及行扫描输出信号引脚与列扫描输出信号引脚;所述行扫描控制引脚与所述译码器的输入接口连接,所述行扫描输出信号引脚与所述译码器的输出接口连接;所述行扫描输出信号引脚用于驱动待驱动的红外发射管阵列中的各行红外发射管,所述列扫描输出信号引脚用于驱动所述红外发射管阵列中的各列红外发射管。可选地,所述行扫描输出信号引脚由PMOS管驱动,所述列扫描输出信号引脚由NMOS管驱动。可选地,所述译码器为3-8译码器。可选地,所述列扫描控制引脚为列信号菊花链数据输入引脚。可选地,还包括发射功率调节移位链时钟输入信号引脚、发射功率调节移位链数据输入信号引脚及发射功率调节控制信号引脚。可选地,所述红外发射管的驱动芯片采用QFN5x5-40封装方式封装。可选地,所述红外发射管的驱动芯片应用于红外触摸屏。本实用新型提供的红外发射管的驱动芯片,包括译码器、用于接收行扫描控制信号的行扫描控制引脚、用于接收列扫描控制信号的列扫描控制引脚,以及行扫描输出信号引脚与列扫描输出信号引脚;上述行扫描控制引脚与上述译码器的输入接口连接,上述行扫描输出信号引脚与上述译码器的输出接口连接;上述行扫描输出信号引脚用于驱动待驱动的红外发射管阵列中的各行红外发射管,上述列扫描输出信号引脚用于驱动红外发射管阵列中的各列红外发射管。本实用新型提供的红外发射管的驱动芯片,支持以大电流驱动红外发射管,即可以直接采用大电流对红外发射管阵列进行驱动控制。附图说明为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本实用新型实施例中红外发射管的驱动芯片的结构示意图;图2为本实用新型实施例中红外发射管的驱动芯片的封装引脚示意图;图3为本实用新型实施例中红外发射管的驱动芯片的另一封装引脚示意图;图4为本实用新型实施例中红外发射管的驱动芯片的发射功率调节控制信号引脚的电路示意图;图5为本实用新型实施例中红外发射管的驱动芯片的级联示意图。具体实施方式为使得本实用新型的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而非全部实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。本实用新型实施例提供一种红外发射管的驱动芯片,该红外发射管的驱动芯片可以应用于红外触摸屏。请参阅图1,图1为本实用新型实施例中红外发射管的驱动芯片的结构示意图,本实用新型实施例中,上述红外发射管的驱动芯片包括译码器、用于接收行扫描控制信号的行扫描控制引脚DCOM[2]~DCOM[0]、用于接收列扫描控制信号的列扫描控制引脚DREGI,以及行扫描输出信号引脚COM[7]~COM[0]与列扫描输出信号引脚SEG[6]~SEG[0]。行扫描控制引脚DCOM[2]~DCOM[0]与上述译码器的输入端连接,行扫描输出信号引脚COM[7]~COM[0]与上述译码器的输出接口连接。行扫描输出信号引脚COM[7]~COM[0]用于驱动待驱动的红外发射管阵列中的各行红外发射管,列扫描输出信号引脚SEG[6]~SEG[0]用于驱动所述红外发射管阵列中的各列红外发射管。其中,红外发射管阵列为8×7红外发射管阵列,即由8行、7列共56个红外发射管组成。其中,上述译码器可采用3-8译码器。进一步地,上述红外发射管的驱动芯片还包括行发送使能控制信号引脚,该行发送使能控制信号引脚与上述译码器连接,当ENCOM=1时,DCOM[2]~DCOM[0]选通COM[7]~COM[0],译码器实现8路选通使能。具体的,本实施例通过矩阵扫描的方式对红外发射管进行控制,且行红外发射管可以由500mA的PMOS管驱动,列红外发射管可以由500mA的NMOS驱动,各行红外发射管通过译码器控制,在译码控制选通后,再开启ENCOM信号即可实现行开启。列信号通过移位寄存器链实现,通过移位寄存器链将对应的列控制信号逐次向后传递。其中,参照表1,表1为上述红外发射管的驱动芯片的行扫描输出信号引脚的选通状态示意表。表1:红外发射管的驱动芯片的行扫描输出信号引脚的选通状态示意表序号DCOM[0]~DCOM[2]COM[7]~COM[0]备注100000000001选通COM[0]200100000010选通COM[1]301000000100选通COM[2]401100001000选通COM[3]510000010000选通COM[4]610100100000选通COM[5]711001000000选通COM[6]811110000000选通COM[7]其中,ENCOM=0时,COM[7]~COM[0]输出高阻,红外发射管关闭;SEG[6]~SEG[0]的上电初态为高阻态。为了更好的理解本实用新型实施例,参照图2,图2为本实用新型实施例中红外发射管的驱动芯片的封装引脚示意图,本实用新型实施例中,上述红外发射管的驱动芯片的电源电压范围3.6~5.5V,且行控制驱动由独立电源供电。具体的,参照表2,表2为红外发射管的驱动芯片的封装引脚释义表。表2:红外发射管的驱动芯片的封装引脚释义表序号名称类型描述1~3DCOM[0]~DCOM[2]I行扫描控制信号,译码产生行扫描输出4DREGII列信号菊花链数据输入信号5ENCOMI行发送使能控制信号6DREGOO列信号菊花链数据输出7RESETI外部复位信号8~14DSEG[6]~SEG[0]O列扫描输出信号15~17VSSPWR接地18VDDPWR电源引脚,为输入IO电平19~20VDDTXI发送功率控制电源引脚21~28COM[7]~COM[0]O行扫描输出信号其中,上述红外发射管的驱动芯片的直流供电电压为-0.3V~5.5V,输入输出电压为VSS-0.3V~VDD+0.3V,工作环境温度为-40℃~85℃,存储温度为-55℃~125℃。另外,上述红外发射管的驱动芯片采用QFN5x5-40封装方式封装。进一步地,参照表3,表3为上述红外发射管的驱动芯片的电气特性参数表。表3:红外发射管的驱动芯片的电气特性参数表本实用新型实施例提供的红外发射管的驱动芯片,包括译码器、用于接收行扫描控制信号的行扫描控制引脚、用于接收列扫描控制信号的列扫描控制引脚,以及行扫描输出信号引脚与列扫描输出信号引脚;上述行扫描控制引脚与上述译码器的输入接口连接,上述行扫描输出信号引脚与上述译码器的输出接口连接;上述行扫描输出信号引脚用于驱动待驱动的红外发射管阵列中的各行红外发射管,上述列扫描输出信号引脚用于驱动红外发射管阵列中的各列红外发射管。本实用新型提供的红外发射管的驱动芯片,支持最大以500mA的电流驱动红外发射管,即可以直接采用大电流对红外发射管阵列进行驱动控制。进一步的,参照图3,图3为本实用新型实施例中红外发射管的驱动芯片的另一封装引脚示意图。其中,上述红外发射管的驱动芯片还包括发射功率调节移位链时钟输入信号引脚、发射功率调节移位链数据输入信号引脚及发射功率调节控制信号引脚PWR[7]~PWR[0]。其中,功率控制受深度为8bit移位链控制,默认PWR[7]为高电平,PWR[6]~PWR[0]为低电平。具体的,参照表4,表4为红外发射管的驱动芯片的另一封装引脚释义表。表4:红外发射管的驱动芯片的另一封装引脚释义表进一步的,参照图4,图4为本实用新型实施例中红外发射管的驱动芯片的发射功率调节控制信号引脚的电路示意图。本实用新型实施例所提供的红外发射管的驱动芯片,可以支持最大以500mA的电流驱动红外发射管,即可以直接采用大电流对红外发射管阵列进行驱动控制。进一步的,本实用新型实施例中所提供的红外发射管的驱动芯片可以级联使用,级联的各个芯片共用行译码控制信号,列控制信号通过菊花链的形式首尾相连向后扩展。具体可参照图5,图5为本实用新型实施例中红外发射管的驱动芯片的级联示意图。在图5中,可以将红外发射管的驱动芯片RYD100与RYD101级联在一起,用于同时驱动红外发射管阵列1与红外发射管阵列2。其中,驱动芯片RYD100为图3所示的驱动芯片,驱动芯片RYD101为图2所示的驱动芯片。其中,电容C1=C2=0.1uF。本实用新型实施例所提供的红外发射管的驱动芯片,在级联使用后,可以直接采用大电流,同时驱动多个红外发射管。在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其它实施例的相关描述。以上为对本实用新型所提供的一种红外发射管的驱动芯片的描述,对于本领域的技术人员,依据本实用新型实施例的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。当前第1页1 2 3 
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