技术特征：
1.一种用于电容提取的方法，包括：对半导体布局的一个或多个第一区执行第一电容提取；对所述半导体布局的一个或多个第二区执行第二电容提取，所述第二电容提取的分辨率小于所述第一电容提取的分辨率；基于所述第一电容提取和所述第二电容提取的结果来为所述半导体布局构建网表；以及基于所述网表来修改所述半导体布局，所述修改的半导体布局用于制造集成电路。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述执行所述第一电容提取包括：基于第一步长参数来应用三维电容确定过程，以生成包括与所述一个或多个第一区相关联的一个或多个电容结果的第一网表。3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行所述第二电容提取包括：基于大于所述第一步长参数的第二步长参数来应用所述三维电容确定过程，以生成包括与所述一个或多个第二区相关联的一个或多个电容结果的第二网表。4.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第二电容提取包括：应用2.5维电容确定过程，以生成包括与所述一个或多个第二区相关联的一个或多个电容结果的第二网表。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：将包括所述半导体布局中的功能电路的区域识别为所述一个或多个第一区。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过人工智能或机器学习模型确定用于所述第一电容提取或所述第二电容提取的一个或多个步长参数。7.根据权利要求1所述的方法，还包括：基于第一步长参数来计算与第一结构的第一部分和第二结构的第一部分相关联的第一电容参数，所述第一结构的所述第一部分和所述第二结构的所述第一部分位于所述一个或多个第一区内；以及基于不同于所述第一步长参数的第二步长参数来计算与所述第一结构的第二部分和所述第二结构的第二部分相关联的第二电容参数，所述第一结构的所述第二部分和所述第二结构的所述第二部分位于所述一个或多个第二区内。8.根据权利要求7所述的方法，还包括：基于所述第二步长参数来计算与所述第一结构的所述第一部分和所述第二结构的所述第二部分相关联的第三电容参数；基于所述第二步长参数来计算与所述第一结构的所述第二部分和所述第二结构的所述第一部分相关联的第四电容参数；以及基于所述第一电容参数、所述第二电容参数、所述第三电容参数和所述第四电容参数来计算与所述第一结构和所述第二结构相关联的电容值。9.一种用于电容提取的系统，包括：处理单元；以及一个或多个存储器单元，存储用于一个或多个程序的指令，所述一个或多个程序可由所述处理单元执行以执行包括以下各项的操作：
接收半导体布局；标识所述半导体布局内的多个区；基于所述多个区上的不同精度来执行电容提取；基于所述电容提取的结果来为所述半导体布局构建网表；以及基于所述网表来修改所述半导体布局，所述修改的半导体布局用于制造集成电路。10.一种存储指令集的非暂时性计算机可读存储介质，所述指令集可由器件的一个或多个处理器执行以使所述器件执行方法，所述方法包括：对半导体布局的一个或多个第一区执行具有第一精度的第一电容提取；对所述一个或多个第一区之外的一个或多个第二区执行具有不同于所述第一精度的第二精度的第二电容提取；基于所述第一电容提取和所述第二电容提取的结果来为所述半导体布局构建网表；以及基于所述网表来修改所述半导体布局，所述修改的半导体布局用于制造集成电路。
技术总结
一种用于电容提取的方法包括：对半导体布局的一个或多个第一区执行第一电容提取；对半导体布局的一个或多个第二区执行第二电容提取，第二电容提取的分辨率小于第一电容提取的分辨率；基于第一电容提取和第二电容提取的结果来为半导体布局构建网表；以及基于网表来修改半导体布局。该修改的半导体布局用于制造集成电路。本发明的实施例还涉及用于电容提取的系统以及非暂时性计算机可读存储介质。系统以及非暂时性计算机可读存储介质。系统以及非暂时性计算机可读存储介质。
技术研发人员：李国辅 颜景阳 苏哿颖 魏朝文
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.09.22
技术公布日：2022/2/28